Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:БД "Книги" (6)Труды АМГУ (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=фотолюминесценция<.>)
Общее количество найденных документов : 106
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.


   
    Морфология и фотолюминесценция самоформирующихся нанокластеров GeSi/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде германа [Текст] / Д. О. Филатов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 268-271. - Библиогр.: c. 271 (13 назв. )
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия -- нанокластеры -- морфология -- фотолюминесценция -- гетероструктуры GeSi/Si (001) -- температурная зависимость -- оптические свойства -- коалесценция -- условия роста -- температуры роста
Аннотация: Исследованы зависимости морфологии и спектров фотолюминесценции (ФЛ) гетероструктур GeSi/Si (001) с самоформирующимися нанокластерами, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH[4], от условий роста.


Доп.точки доступа:
Филатов, Д. О.; Круглова, М. В.; Исаков, М. А.; Сипрова, С. В.; Марычев, М. О.; Шенгуров, В. Г.; Светлов, С. П.; Чалков, В. Ю.; Денисов, С. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

2.


   
    Исследования пористого InP методами рентгеновской дифракции, ИК-спектроскопии, УМРЭС, XANES и ФЛ [Текст] / Э. П. Домашевская [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 4. - С. 470-473. - Библиогр.: c. 473 (6 назв. )
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики

Кл.слова (ненормированные):
рентгеновская дифракция -- ИК-спектроскопия -- ультрамягкая рентгеновская спектроскопия -- спектроскопия ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения -- дисперсионный анализ -- методы исследования -- фотолюминесценция -- пористый фосфид индия -- XANES -- рентгеноструктурный анализ
Аннотация: Проведены комплексные исследования методами рентгеновской дифракции и ИК-спектроскопии, ультрамягкой рентгеновской спектроскопии (УМРЭС), спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения (XANES - X-ray absorption near edge structure) и фотолюминесценции (ФЛ) слоев пористого фосфида индия (por-InP), полученных анодным импульсным электрохимическим травлением монокристаллических пластин InP (100) n-типа проводимости (n~10{18}).


Доп.точки доступа:
Домашевская, Э. П.; Кашкаров, В. М.; Середин, П. В.; Терехов, В. А.; Турищев, С. Ю.; Арсентьев, И. Н.; Улин, В. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

3.


   
    Структура, фазовый состав и оптические свойства нанопорошков кремния [Текст] / В. А. Терехов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 4. - С. 532-535 : Рис. - Библиогр.: c. 535 (6 назв. )
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
электронная микроскопия -- комбинированное рассеяние света -- фотолюминесценция -- спектроскопия ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения -- рентгеновская эмиссионная спектроскопия -- нанопорошки кремния -- оптические свойства -- фазовый состав -- экспериментальные исследования
Аннотация: Методами электронной микроскопии, комбинированного рассеяния света, спектроскопии фотолюминесценции, рентгеновской эмиссионной спектроскопии и спектроскопии ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения исследованы нанопорошки, полученные распылением кремния мощным электронным пучком в атмосферах N[2] и Ar.


Доп.точки доступа:
Терехов, В. А.; Кашкаров, В. М.; Турищев, С. Ю.; Панков, К. Н.; Володин, В. А.; Ефремов, М. Д.; Марин, Д. В.; Черков, А. Г.; Горяйнов, С. В.; Корчагин, А. И.; Черепков, В. В.; Лаврухин, А. В.; Фадеев, С. Н.; Салимов, Р. А.; Бардаханов, С. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

4.


   
    Долгоживущие локализованные магнитные поляроны в сверхрешетках второго типа ZnMnSe/ZnSSe [Текст] / А. А. Максимов [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 133: вып. 6. - С. 1290-1297 : 8 рис. - Библиогр.: с. 1297
УДК
ББК 22.31
Рубрики: Физика
   Теоретическая физика

Кл.слова (ненормированные):
поляризованные спектры -- низкотемпературная фотолюминесценция -- кинетика -- поляроны -- полупроводниковые сверхрешетки -- магнитные поляроны -- долгоживущие локализованные поляроны -- сверхрешетки второго типа -- спектры низкотемпературной фотолюминесценции -- полумагнитные полупроводниковые сверхрешетки
Аннотация: Изучена кинетика и поляризованные спектры низкотемпературной фотолюминесценции полумагнитных полупроводниковых сверхрешеток второго типа на основе ZnMnSe/ZnSSe.


Доп.точки доступа:
Иванов, С. В.; Торопов, А. А.; Кулаковский, В. Д.; Максимов, А. А.; Пашков, А. В.; Бричкин, А. С.; Тартаковский, И. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

5.


   
    Спектрально-люминесцентные свойства малодефектных органических стекол, депонированных трис (бензоилтрифторацетонат) европием [Текст] / В. В. Семенов [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2008. - Т. 420, N 6, июнь. - С. 781-787 : 4 рис., 2 табл., 1 схема. - Библиогр.: с. 787
УДК
ББК 22.345
Рубрики: Физика
   Люминесценция

Кл.слова (ненормированные):
органические стекла -- органические полимеры -- трис (бензоилтрифторацетонат) европия -- рездкоземельные металлы -- люминесцирующие редкоземельные металлы -- фотолюминесценция европия
Аннотация: Представлена первая попытка получения двух типов (жесткого и мягкого) прозрачных стекол с инкорпорированным в них комплексом редкоземельного металла - трис (бензоилтрифторацетонат) европия.


Доп.точки доступа:
Семенов, В. В.; Золотарева, Н. В.; Клапшина, Л. Г.; Горшков, О. Н.; Касаткин, А. П.; Антонов, И. Н.; Михайлов, А. Н.; Сидоренко, К. В.; Треушников, В. М.; Треушников, В. В.; Домрачев, Г. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

6.


    Запуниди, С. А.
    Тушение фотолюминесценции через резонансный перенос энергии в смеси сопряженного полимера с низкомолекулярным акцептором [Текст] / С. А. Запуниди, Д. Ю. Паращук // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 134, вып. 6. - С. 1257-1268. . - Библиогр.: с. 1267-1268
УДК
ББК 22.31
Рубрики: Физика
   Теоретическая физика

Кл.слова (ненормированные):
сопряженные полимеры -- полимеры -- энергия -- фотолюминесценция -- перенос энергии -- смеси -- акцепторы -- тушение фотолюминесценции -- резонансный перенос энергии -- низкомолекулярные акцепторы
Аннотация: Развита модель тушения фотолюминесценции через резонансный перенос энергии в смеси сопряженного полимера с низкомолекулярным акцептором.


Доп.точки доступа:
Паращук, Д. Ю.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

7.


   
    Гетероэпитаксиальные пленки GaN на подложках кремния с буферными слоями на основе пористого материала [Текст] / Ю. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 11. - С. 1583-1587. . - Библиогр.: c. 1587 (21 назв. )
УДК
ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
   Электровакуумные приборы

Кл.слова (ненормированные):
гетероэпитаксильные пленки -- электрическая однородность -- фотолюминесценция -- подложки кремния -- метод МОГФЭ -- сложные буферные слои -- пленки GaN
Аннотация: Для эпитаксии GaN на подложках Si разработаны новые сложные буферные слои на основе пористого материала.


Доп.точки доступа:
Бузынин, Ю. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Лукьянов, А. Ю.; Хрыкин, О. И.; Бузынин, А. Н.; Лукьянов, А. Е.; Рау, Э. И.; Лукьянов, Ф. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

8.


    Кравец, В. Г.
    Спектры фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света наноструктур SnO[x], легированных ионами самария [Текст] / В. Г. Кравец // Оптика и спектроскопия. - 2007. - Т. 103, N 5. - С. 790-795.
УДК
ББК 22.345
Рубрики: Физика
   Люминесценция

Кл.слова (ненормированные):
наночастицы -- SnO[x] -- ионы самария -- фотолюминесценция -- комбинационое рассеяние света
Аннотация: Представлены результаты исследований фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света наночастицами SnO[x], осажденными из газовой фазы. Спектры фотолюминесценции характеризуются двухполосной структурой. Высокоэнергетическая полоса в области 300-350 нм связана с аннигиляцией экситонной пары и может характеризовать изменение ширины запрещенной зоны в нанокристаллах SnO[x] в зависимости от их диаметра. В красной области спектра 600-700 нм проявляется полоса свечения, происхождение которой обусловлено наличием дефектов в нанокристаллах. Существование дефектов в наноструктурах SnO[x] подтверждают и спектры комбинационного рассеяния света. В результате легирования наночастиц SnO[x] редкоземельными атомами самария в спектрах фотолюминесценции проявляются интенсивные линии свечения в красной области спектра.


Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

9.


   
    Фотолюминесценция водорастворимых наночастиц СdSe/ZnS в комплексах с катионными и анионными полиэлектролитами [Текст] / Н. Стрекаль [и др. ] // Оптика и спектроскопия. - 2008. - Т. 104, N 1. - С. 57-63.
УДК
ББК 22.345
Рубрики: Физика
   Люминесценция

Кл.слова (ненормированные):
наночастицы -- CdSe/ZnS -- фотолюминесценция -- полиэлектролиты -- молекулярная литография
Аннотация: Получены данные о процессах влияния полиэлектролитов на вероятность испускания фотонов водорастворимыми наночастицами (НЧ) CdSe/ZnS. Уменьшение квантового выхода фотолюминесценции НЧ при их переносе в водные растворы из толуола (в процессе солюбилизации) зависит от ионной природы агента, применяемого для замещения остатков триоктилфосфиноксида на поверхности НЧ. Обсуждаются возможные механизмы наблюдаемых эффектов и их учет в приложениях к молекулярной литографии на основе полиэлектролитов.


Доп.точки доступа:
Стрекаль, Н.; Кулакович, О.; Беляев, А.; Степуро, В.; Маскевич, С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.


   
    Излучательные свойства квантовых ям GaAs/InGaAs с барьером GaAs, бета-легированным атомами Mn [Текст] / О. В. Вихрова [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 16-19. . - Библиогр.: c. 19 (7 назв. )
УДК
ББК 22.345 + 32.840/841
Рубрики: Физика
   Люминесценция

   Радиоэлектроника

   Теоретические основы радиотехники

Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция -- квантово-размерные гетероструктуры GaAs/InGaAs -- бета (Mn) -легирование -- МОС-гидридная эпитаксия -- лазерное распыление -- квантовые ямы -- фотолюминесценция -- Шоттки барьеры -- барьеры Шоттки -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды
Аннотация: Проведено исследование структурных, электрических и люминесцентных свойств квантово-размерных гетероструктур GaAs/InGaAs, модифицированных бета (Mn) -легированием GaAs-барьера.


Доп.точки доступа:
Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Демина, П. Б.; Дорохин, М. В.; Звонков, Б. Н.; Прокофьева, М. М.; Дроздов, Ю. Н.; Сапожников, М. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 
Статистика
за 22.08.2024
Число запросов 95935
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)