Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=фианит<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Гетероэпитаксиальные пленки соединений A{III}B{V} на подложках и буферных слоях фианита [Текст] / Ю. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 4. - С. 511-516. . - Библиогр.: c. 516 (10 назв. )

УДК

^a621.385

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
гетероэпитаксильные пленки -- многослойные структуры -- фотолюминесценция -- вторично-ионная миасс-спектроскопия -- метод МОГФЭ -- буферные слои -- пленки GaN -- фианит -- растровая электронная микроскопия
Аннотация: На фианитовых подложках методом МОГФЭ получены эпитаксильные пленки GaAs, GaSb, AlGaAs и InGaAs, а также многослойные гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs для PHEMT-полевых транзисторов.

Доп.точки доступа:
Бузынин, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Бузынин, А. Н.; Осико, В. В.; Звонков, Б. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Парафин, А. Е.; Мурель, А. В.; Хрыкин, О. И.; Лукьянов, А. Е.; Лукьянов, Ф. А.; Сеннов, Р. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Фианит - многофункциональный материал электроники [Текст] / А. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 7. - С. 1068-1075. : Рис. - Библиогр.: c. 1075 (19 назв. )

УДК

^a621.385

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
буферные слои -- диэлектрические материалы -- защитные покрытия -- метод металлоорганической газофазной эпитаксии -- метод плазмостимулированной молекулярно-лучевой эпитаксии -- монолитные подложки -- просветляющие покрытия -- солнечные элементы -- фианит -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: Фианит, или иттрием (гафнием) стабилизированная двуокись циркония (YSZ), обладает уникальной комбинацией физических и химических свойств, что делает его очень перспективным материалом для широкого использования в различных областях техники. В статье рассматриваются применения фианита в электронике в качестве монолитной подложки и буферного слоя для эпитаксии соединений A{II}IB{V}, а также в качестве просветляющего и защитного покрытия фотоприемников и солнечных элементов.

Доп.точки доступа:
Бузынин, А. Н.; Осико, В. В.; Бузынин, Ю. Н.; Звонков, Б. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Хрыкин, О. И.; Дроздов, М. Н.; Тришенков, М. А.; Лукьянов, А. Е.; Лукьянов, Ф. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Эпитаксиальные пленки GeSi, AlGaN, GaSb и сверхрешетки GaSb/InAs на подложках фианита [Текст] / Ю. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 9. - С. 1291-1296. . - Библиогр.: c. 1296 (9 назв. )

УДК

^a621.385

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
диоксид гафния -- диоксид циркония -- монокристаллы -- сверхрешетки GaSb/InAs -- фианит -- электроника
Аннотация: Фианит - монокристалл кубических твердых растворов на основе диоксида циркония (ZrO[2]) или гафния (HfO[2]) со стабилизирующими окислами иттрия, скандия и лантанидов - обладает уникальной комбинацией физических и химических свойств, что делает его очень перспективным материалом для широкого использования в электронике. В статье рассматриваются новые применения фианита в качестве монолитной подложки для получения эпитаксиальных пленок Ge, GeSi, AlGaN, GaSb и сверхрешеток GaSb/InAs.

Доп.точки доступа:
Бузынин, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Бузынин, А. Н.; Осико, В. В.; Звонков, Б. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Хрыкин, О. И.; Лукьянов, А. Е.; Лукьянов, Ф. А.; Шенгуров, В. Г.; Денисов, С. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Антиотражающие покрытия фианита и ZrO[2] для солнечных элементов [Текст] / А. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 9. - С. 1282-1286. . - Библиогр.: c. 1286 (5 назв. )

УДК

^a621.385

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
антиотражающие покрытия -- гетероэпитаксия -- диэлектрические подложки -- монолитные подложки -- просветляющие покрытия -- солнечные элементы -- фианит
Аннотация: Благодаря уникальному сочетанию физико-химических свойств, фианит является перспективным многофункциональным материалом новых электронных технологий. Его можно использовать практически во всех основных технологических звеньях создания приборов микро-, опто- и СВЧ-электроники: как монолитную диэлектрическую подложку и материал буферных слоев при гетероэпитаксии; как материал изолирующих, просветляющих и защитных слоев приборных структур, а также как подзатворный диэлектрик [1-3]. В настоящей статье рассматриваются возможности применения фианита и ZrO[2] в качестве просветляющего покрытия кремниевых солнечных элементов (СЭ), а также СЭ на основе гетероструктур InGaAsP.

Доп.точки доступа:
Бузынин, А. Н.; Бузынин, Ю. Н.; Осико, В. В.; Панов, В. И.; Звонков, Б. Н.; Чинарева, И. В.; Хакаушев, П. Е.; Тришенков, М. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 02.09.2024
Число запросов	67161
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)