Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=сканирующая туннельная микроскопия<.>)

Общее количество найденных документов : 16
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-16

Регулярные системы ступеней на базе чистых поверхностей Si (hhm) 7х7 [Текст] / А. Н. Чайка [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 5. - С. 716-718. : Рис. - Библиогр.: c. 718 (9 назв. )

УДК

^a538.971

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
термообработка -- поверхности -- чистые поверхности Si (hhm) 7х7 -- сканирующая туннельная микроскопия -- дифракция медленных электронов -- атомное разрешение -- сверхвысоковакуумные камеры -- регулярные системы ступеней -- вицинальные поверхности Si (hhm) 7х7 -- эже-электронная спектроскопия
Аннотация: Проведены исследования условий формирования и атомной структуры регулярных систем ступеней на базе чистых поверхностей Si (hhm) 7х7.

Доп.точки доступа:
Чайка, А. Н.; Фокин, Д. А.; Божко, С. И.; Ионов А. М.; Debontridder, F.; Dubost, V.; Cren, T.; Roditchev, D.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Морфология на поверхностях монокристалла Ni. Экспериментальное и теоретическое исследование [Текст] / Д. Ю. Усачев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 5. - С. 719-722. : Рис. - Библиогр.: c. 722 (18 назв. )

УДК

^a539.211

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
графит -- графен -- компьютерное моделирование -- поверхности -- монокристалл Ni -- атомная структура -- фасетированные поверхности -- сканирующая туннельная микроскопия -- индексы Миллера -- Миллера индексы -- дифракция медленных электронов -- экспериментальные исследования
Аннотация: Выполнены экспериментальные исследования и компьютерное моделирование для монослоя графита (графена) на различных поверхностях монокристалла Ni.

Доп.точки доступа:
Усачев, Д. Ю.; Добротворский, А. М.; Шикин, А. М.; Адамчук, В. К.; Варыхалов, А. Ю.; Rader, O.; Gudat, W/

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Эпитаксильный рост тонких пленок молекул фуллерена C[60] на поверхности Bi (0001) /Si (111) [Текст] / А. И. Орешкин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 7. - С. 937-939. : Рис. - Библиогр.: c. 939 (3 назв. )

УДК

^a539.231

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
двойные ступеньки -- доменные границы -- низкоэнергетическая электронная микроскопия -- поверхности -- сканирующая туннельная микроскопия -- тонкие пленки -- туннельная спектроскопия -- фуллерены -- эпитаксильные пленки
Аннотация: Методами сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии, а также низкоэнергетической электронной микроскопии в условиях сверхвысокого вакуума исследована морфология и атомная структура пленок фуллерена C[60] на поверхности Bi (0001) /Si (111) -7x7 при разных степенях покрытия.

Доп.точки доступа:
Орешкин, А. И.; Бахтизин, Р. З.; Sadowski, J. T.; Sakurai, T.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Влияние локализованных зарядовых состояний на низкочастотную составляющую спектра туннельного тока вида 1/f{альфа} [Текст] / В. Н. Манцевич [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 7. - С. 940-942. : Рис. - Библиогр.: c. 942 (6 назв. )

УДК

^a538.911

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
зарядовые состояния -- кристалл InAs (100) -- кулоновское взаимодействие -- поверхности -- сверхвысокий выкуум -- сканирующая туннельная микроскопия -- сканирующая туннельная спектроскопия -- теоретические модели -- экспериментальные результаты
Аннотация: Методами сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии (СТМ/СТС) в условиях сверхвысокого вакуума исследована зависимость низкочастотной составляющей спектра туннельного тока вида 1/f{альфа} над чистой поверхностью и над изолированными примесными атомами на сколотой поверхности кристалла InAs (100).

Доп.точки доступа:
Манцевич, В. Н.; Маслова, Н. С.; Орешкин, А. И.; Орешкин, С. И.; Музыченко, Д. А.; Савинов, С. В.; Панов, В. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Фрактализация рельефа поверхности аморфного сплава как признак разрыва [Текст] / В. И. Бетехтин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 10. - С. 1507-1511 : Рис. - Библиогр.: c. 1510-1511 (21 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a548.5

ББК 26.303
Рубрики: Геология
Минералогия
Кл.слова (ненормированные):
аморфные сплавы -- аморфный сплав Fe[77]Ni[1]Si[9]B[13] -- метод вейвлет-преобразований -- монофрактальные структуры -- нагруженные поверхности -- поверхности разрыва -- сканирующая туннельная микроскопия -- фольга -- фрактализация -- фрактальный анализ
Аннотация: Фольги аморфного сплава Fe[77]Ni[1]Si[9]B[13] одноосно растягивали вплоть до разрыва.

Доп.точки доступа:
Бетехтин, В. И.; Гиляров, В. Л.; Кадомцев, А. Г.; Корсуков, В. Е.; Корсукова, М. М.; Обидов, Б. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Углеродные фазы на поверхностях никеля [Текст] / Д. Ю. Усачев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 1. - С. 30-33 : Рис. - Библиогр.: c. 33 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a539.211

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
графен -- дифракция медленных электронов -- крекинг пропилена -- никель -- переходные металлы -- плоские поверхности -- поверхности -- синтез графена -- сканирующая туннельная микроскопия -- ступенчатые поверхности -- углерод -- фазовые переходы
Аннотация: Определены условия формирования различных углеродных поверхностных фаз на подложках никеля на примере плоской поверхности Ni (110) и близкой к ней по строению ступенчатой поверхности Ni (771).

Доп.точки доступа:
Уcачев, Д. Ю.; Адамчук, В. К.; Добротворский, А. М.; Шикин, А. М.; Варыхалов, А. Ю.; Rader, O.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Арапкина, Л. В.
Классификация hut-кластеров Ge в массивах, формируемых на поверхности Si (001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах [Текст] / Л. В. Арапкина, В. А. Юрьев // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180, N 3. - С. 289-302 : 11 рис. - Библиогр.: с. 302 (54 назв. ) . - ISSN 0042-1294

ГРНТИ	29.35.43	29.05.15
УДК	^a530.145	^a537.533/.534

ББК 22.315 + 22.338
Рубрики: Физика
Квантовая теория поля
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
hut-кластеры -- сканирующая туннельная микроскопия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- квантовые точки -- кластеры
Аннотация: Методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) in situ выполнено морфологическое исследование и проведена классификация hut-кластеров Ge, образующих массивы квантовых точек на поверхности Si (001) при низких температурах в процессе сверхвакуумной молекулярно-лучевой эпитаксии.

Доп.точки доступа:
Юрьев, В. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Структура и свойства наноструктур Si, на поверхности высокоориентированного пиролитического графита [Текст] / Д. О. Филатов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 1. - С. 18-22. : рис. - Библиогр.: с. 22 (11 назв. )

УДК

^a543

^a621.315.592

ББК 24.46/48 + 31.233
Рубрики: Химия
   Физико-химические методы анализа
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
атомная структура -- высокоориентированный пиролитический графит -- кремниевые наноструктуры -- молекулярно-пучковое осаждение -- пиролитический графит -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- сканирующая туннельная микроскопия -- эпитаксильные пленки
Аннотация: Методами сканирующей туннельной микроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии in situ, а также спектроскопии комбинационного рассеяния света ex situ исследованы морфология, электронная структура и оптические свойства самоформирующихся кремниевых наноструктур на поверхности высокоориентированного пиролитического графита (ВОПГ), полученных методом молекулярно-пучкового осаждения.

Доп.точки доступа:
Филатов, Д. О; Антонов, Д. А.; Зубков, С. Ю.; Нежданов, А. В.; Машин, А. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Фазовые сверхструктурные переходы на начальной стадии эпитаксильного роста Ge на Si (111) [Текст] / С. А. Тийс [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 8. - С. 1116-1119. . - Библиогр.: c. 1119 (7 назв. )

УДК

^a539.261

ББК 22.361
Рубрики: Физика
Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики
Кл.слова (ненормированные):
напряжения несоответствия -- пластическая релаксация -- сверхструктурные переходы -- сканирующая туннельная микроскопия -- фазовые переходы -- эпитаксильный рост
Аннотация: С помощью сканирующей туннельной микроскопии на поверхности островков Ge на Si (111) экспериментально обнаружены поверхностные фазовые переходы 7 х 7 - 5 х 5 у двумерных, а также с2 х 8 - 7 х 7 и 7 х 7 - с2 х 8 у трехмерных островков. Первые два перехода обусловлены увеличением уровня напряжений несоответствия, а последний - их уменьшением при пластической релаксации.

Доп.точки доступа:
Тийс, С. А.; Труханов, Е. М.; Ильин, А. С.; Колесников, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.

Структурное состояние гетеросистем Ge/Si с интерфейсами (001), (111) и (7 7 10) [Текст] / Е. М. Труханов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 3. - С. 373-376. - Библиогр.: c. 376 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a539.25

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гетеросистемы Ge/Si -- дислокации несоответствия -- дислокации Шокли -- кристаллографическая ориентация -- пластическая релаксация -- просвечивающая электронная микроскопия -- сканирующая туннельная микроскопия -- Шокли дислокации -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: Для интерфейсов с кристаллографической ориентацией (111) и (001) показано, что при одинаковом уровне пластической релаксации напряжений в полупроводниковых эпитаксиальных пленках отношение расстояний D между соседними дислокациями несоответствия D[ (111) ]/D[ (001) ] = 1. 5. Это позволило установить, что дислокационный интерфейс (7 7 10) содержит частичные 90°-дислокации Шокли, залегающие в трех направлениях (110).

Доп.точки доступа:
Труханов, Е. М.; Лошкарев, И. Д.; Романюк, К. Н.; Гутаковский, А. К.; Ильин, А. С.; Колесников, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

1-10 11-16

Тематический навигатор

Статистика за 23.08.2024
Число запросов	22296
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)