Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска
БД "Книги"
БД "Статьи"
Труды АМГУ
Выпускные квалификационные работы
Антитеррор
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=сверхрешетки GaSb/InAs<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


   
    Эпитаксиальные пленки GeSi, AlGaN, GaSb и сверхрешетки GaSb/InAs на подложках фианита [Текст] / Ю. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 9. - С. 1291-1296. . - Библиогр.: c. 1296 (9 назв. )
УДК
^a621.385
ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
   Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
диоксид гафния -- диоксид циркония -- монокристаллы -- сверхрешетки GaSb/InAs -- фианит -- электроника
Аннотация: Фианит - монокристалл кубических твердых растворов на основе диоксида циркония (ZrO[2]) или гафния (HfO[2]) со стабилизирующими окислами иттрия, скандия и лантанидов - обладает уникальной комбинацией физических и химических свойств, что делает его очень перспективным материалом для широкого использования в электронике. В статье рассматриваются новые применения фианита в качестве монолитной подложки для получения эпитаксиальных пленок Ge, GeSi, AlGaN, GaSb и сверхрешеток GaSb/InAs.


Доп.точки доступа:
Бузынин, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Бузынин, А. Н.; Осико, В. В.; Звонков, Б. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Хрыкин, О. И.; Лукьянов, А. Е.; Лукьянов, Ф. А.; Шенгуров, В. Г.; Денисов, С. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 04.09.2024
Число запросов 61206
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)