Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Труды АМГУ (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=растровый электронный микроскоп<.>)
Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6
1.


    Масловская, А. Г.
    Моделирование теплового воздействия электронного зонда в растровой электронной микроскопии [Текст] / А. Г. Масловская // Информатика и системы управления. - 2007. - N 2 (14). - С. 40-51. - Библиогр.: с. 51 (8 назв.) . - ISSN 1814-2400
УДК
ББК 22.331
Рубрики: Физика
   Электростатика

Кл.слова (ненормированные):
нестационарные тепловые поля -- электронные пучки -- растровый электронный микроскоп -- температурные поля -- сфокусированные источники тепла -- моделирование тепловых полей -- сегнетоэлектрический кристалл -- электронный зонд -- температурный перегрев
Аннотация: Проведено моделирование нестационарных тепловых полей, возникающих при взаимодействии электронных пучков растрового электронного микроскопа с исследуемыми образцами. Представлено обобщенное решение задачи о влиянии сфокусированных источников тепла различных конфигураций. Рассчитаны температурные поля при заданных теплофизических характеристиках образца и параметрах эксперимента для различных типов растрового электронного микроскопа.


Имеются экземпляры в отделах: всего 5 : н.з. (1), ч.з. (1), эн.ф. (1), аб. (2)
Свободны: н.з. (1), ч.з. (1), эн.ф. (1), аб. (2)

Найти похожие

2.


    Масловская, А. Г.
    Анализ тепловых эффектов, возникающих при взаимодействии электронных пучков с сегнетоэлектрическими кристаллами [Текст] / А. Г. Масловская // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 1. - С. 34-40. . - Библиогр.: c. 40 (10 назв. )
УДК
ББК 22.331
Рубрики: Физика
   Электростатика

Кл.слова (ненормированные):
конфигурация теплового источника -- кристаллы -- метод источников -- метод конечных разностей -- нестационарное температурное распределение -- нестационарные тепловые поля -- растровый электронный микроскоп -- сегнетоэлектрики -- схема покоординатного расщепления -- тепловое воздействие -- теплофизические характеристики -- триглицинсульфат -- электронная микроскопия
Аннотация: Проведено моделирование пространственного нестационарного температурного распределения в модельном сегнетоэлектрическом образце под воздействием электронных пучков растрового электронного микроскопа (РЭМ). Представлено решение задачи о влиянии сфокусированных источников тепла различных конфигураций на монокристалл сегнетоэлектрика и на кристалл с нанесенными на грани электродами. Реализация модели основана на методе конечных разностей. Предложено программное приложение, позволяющее рассчитать температурные поля и максимальную температуру перегрева при заданных теплофизических характеристиках образца и параметрах эксперимента для различных типов растровых электронных микроскопов.


Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

3.


    Архарова, Н. А.
    Исследование структуры дефектов в кремнии с примесями переходных металлов с помощью электронографии и ВРЭМ [Текст] / Н. А. Архарова, Ю. В. Григорьев, В. В. Привезенцев // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 7. - С. 1065-1067. : Рис. - Библиогр.: c. 1067 (6 назв. )
УДК
ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
высокотемпературный диффузионный отжиг -- кремний -- методы наведенного тока -- микродефектообразование -- оптическая микроскопия -- просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения -- растровый электронный микроскоп -- фотолюминесценция -- электронография
Аннотация: Исследуются особенности образования дефектов при распаде пересыщенного твердого раствора переходного металла в кремнии. В качестве примеси переходного металла использован цинк, который вводился в кремний путем высокотемпературного диффузионного отжига с последующей закалкой. Для исследования микроструктуры такого материала использованы методы электронографии и просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения в сочетании с рентгеновским энергодисперсионным микроанализом. Установлено, что исследованный материал представляет собой достаточно совершенный монокристалл, содержащий, однако, хаотически распределенные дислокации.


Доп.точки доступа:
Григорьев, Ю. В.; Привезенцев, В. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

4.


    Кузьменков, А. В.
    Возможности метода катодолюминесценции в РЭМ для исследования распределения и определения типов пробоев стеклянных изоляторов [Текст] / А. В. Кузьменков, П. В. Иванников, А. И. Габельченко // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 9. - С. 1090-1094. - Библиогр.: c. 1094 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 22.338
Рубрики: Физика
   Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях

Кл.слова (ненормированные):
вторично-эмиссионные методы -- дефекты диэлектриков -- емкостные методы -- катодолюминесценция -- обратно отраженные электроны -- пробои стеклянных изоляторов -- растровый электронный микроскоп -- стеклянные диэлектрики
Аннотация: Проведено сравнение метода регистрации пробоев диэлектрика по сигналу катодолюминесценции в РЭМ как с емкостными, так и со вторично-эмиссионными методами. На исследованных образцах стеклянных диэлектриков обнаружены пробои двух типов: поверхностные и эмиссионные. Обсуждаются возможности метода катодолюминесценции для выявления и локализации дефектов диэлектриков, понижающих напряжение пробоя.


Доп.точки доступа:
Иванников, П. В.; Габельченко, А. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

5.
   22.3
   Ф50


    Масловская, А. Г.
    Динамическая модель процесса зарядки диэлектриков при электронном облучении [Текст] / А. Г. Масловская // Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование : материалы VIII регион. науч. конф. ФФПИО-2009 / Амурский гос. ун-т, Благовещ. гос. пед. ун-т. - Благовещенск : Изд-во Амур. гос. ун-та, 2009. - С. 36-39 : рис. - Библиогр. в конце ст. . - ISBN 978-5-93493-126-2
ББК 22.3я73

Кл.слова (ненормированные):
растровый электронный микроскоп -- метод Монте-Карло


Доп.точки доступа:
Амурский гос. ун-т; Благовещ. гос. пед. ун-т

Имеются экземпляры в отделах: всего 5 : н.з. (1), ч.з. (1), аб. (3)
Свободны: н.з. (1), ч.з. (1), аб. (3)

Найти похожие

6.


    Ларионов, Ю. В.
    Вариация состояния поверхности в ходе сканирования в низковольтном РЭМ и ее влияние на размеры рельефной структуры [Текст] / Ю. В. Ларионов, Ю. В. Озерин // Физика твердого тела. - 2020. - Т. 62, вып. 6. - С. 947-954 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (14 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
РЭМ -- контаминация -- кристаллография в целом -- нанометрология -- низковольтный РЭМ -- поверхностные зарядовые состояния -- растровый электронный микроскоп -- рельефная структура
Аннотация: Оценена вариация эмиссии медленных вторичных электронов из поверхности рельефных структур (выступов) в ходе длительного их сканирования в низковольтном растровом электронном микроскопе.


Доп.точки доступа:
Озерин, Ю. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

 
Статистика
за 01.08.2024
Число запросов 4542
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)