Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска
БД "Книги"
БД "Статьи"
Труды АМГУ
Выпускные квалификационные работы
Антитеррор
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=радиационный дефект<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.


   
    Кинетика релаксации фотопроводимости в кремнии р-типа, компенсированном атомами фосфора [Текст] / М. Каримов [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 5. - С. 9-12. . - Библиогр.: c. 12 (7 назв. )
УДК
^a530.1
^a621.315.55/.58
ББК 22.31 + 31.232
Рубрики: Физика
   Теоретическая физика
   Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
глубокоуровневые центры -- иридий -- кинетика фотопроводимости -- компенсирование (физика) -- компенсирующие центры (физика) -- кремний -- легирование -- микронеоднородность кремния -- нейтронно-легированный кремний -- постоянная времен релаксации основных носителей заряда -- радиационный дефект -- термоотжиг радиационных дефектов -- фосфор -- фотопроводимость кремния
Аннотация: Обсуждается кинетика релаксации Фотопроводимости нейтронно-легированного кремния (НЛК) р-типа. Обнаружено, что в компенсированном p-Si<В, Р> и контрольном p-Si<В> релаксационный процесс происходит различным образом. Различие объясняется на базе представлений о разной степени микронеоднородности по проводимости материала. Для определения термоотжига структурных дефектов предлагается метод, основанный на изучении зависимости подвижности носителей заряда от времени отжига.


Доп.точки доступа:
Каримов, М.; Махкамов, Ш.; Турсунов, Н. А.; Махмудов, Ш. А.; Бегматов, К. А.; Караходжаев, А. К.; Садиков, А. Х.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие
2.


    Мадатов, Р. С.
    Влияние ионизирующего излучения на механизм электропроводности монокристаллов TlInSe[2] [Текст] / Р. С. Мадатов, А. И. Наджафов, М. Р. Газанфаров // Перспективные материалы. - 2012. - № 3. - С. 31-35 : 5 рис. - Библиогр.: с. 35 (16 назв. ) . - ISSN 1028-978Х
УДК
^a539.21:537
ББК 22.373
Рубрики: Физика
   Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
радиационный дефект -- механизм электропроводности -- электропроводность -- монокристаллы
Аннотация: Исследованы электропроводности и вольтамперные характеристики (ВАХ) кристаллов Tl: nSe[2] облученных гамма-квантами. Установлено, что наблюдаемые аномалии электропроводности при сильных полях и малых дозах облучения связаны с распадом нейтральных комплексов, в состав которых входит междоузельный атом катиона. Найдено, что при слабых полях менее 10{2} В/см механизм электропроводности обусловлен монополярной инжекцией заряда.


Доп.точки доступа:
Наджафов, А. И.; Газанфаров, М. Р.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 29.07.2024
Число запросов 160289
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)