Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=потенциальный барьер<.>)
Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4
1.


    Федирко, В. А. (Московский государственный технологический университет "Станкин").
    Матричный метод для моделирования туннельного переноса [Текст] / В. А. Федирко, С. В. Поляков, Д. А. Зенюк // Математическое моделирование. - 2010. - Т. 22, N 5. - С. 3-14 : 4 рис. - Библиогр.: с. 14 (15 назв. ) . - ISSN 0234-0879
УДК
ББК 22.16 + 22.16
Рубрики: Математика
   Математический анализ

Кл.слова (ненормированные):
туннельный перенос -- вакуумные микроструктуры -- потенциальный барьер -- метод передаточных матриц
Аннотация: Развит эффективный подход для численного моделирования стационарного рассеяния и туннельного переноса в произвольном одномерном потенциале. Разработаны алгоритмы и программы, проведены тестовые рассчеты. Исследована сходность метода.


Доп.точки доступа:
Поляков, С. В. (Институт математического моделирования РАН); Зенюк, Д. А. (Московский государственный технологический университет "Станкин")

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

2.


   
    Влияние быстрых нейтронов на электрофизические свойства ядерно-легированного кремния р-типа [Текст] / М. Каримов [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 5. - С. 75-78. . - Библиогр.: c. 78 (8 назв. )
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
быстрые нейтроны -- микронеоднородность -- подвижность носителей заряда -- потенциальный барьер -- радиационные дефекты -- скорость удаления носителей -- удельное сопротивление -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- флюенс быстрых нейтронов -- Холла эффект -- эффект Холла -- ядерно-легированный кремний р-типа
Аннотация: Исследуется влияние дефектов, наведенных облучением быстрыми нейтронами, на скорость удаления носителей заряда в ядерно-легированном кремнии (р-Si<В, P>) и контрольном р-Si<В> методом измерения коэффициента Холла и удельного сопротивления при комнатной температуре. Показано, что скорость удаления носителей заряда в р-Si<В, P> быстрее, чем в р-Si<В>. Предлагается барьерная модель, объясняющая наблюдаемый эффект.


Доп.точки доступа:
Каримов, М.; Махкамов, Ш.; Турсунов, Н. А.; Махмудов, Ш. А.; Сулаймонов, А. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

3.


    Федирко, В. А. (Московский государсвтенный технологический университет "Станкин").
    К моделированию туннельного переноса электронов из ультратонкого лезвийного автокатода [Текст] / В. А. Федирко, Д. А. Зенюк, С. В. Поляков // Математическое моделирование. - 2012. - Т. 24, № 12. - С. 13-22 : 8 рис. - Библиогр.: с. 22 (10 назв. ) . - ISSN 0234-0879
УДК
ББК 22.19 + 22.19
Рубрики: Математика
   Вычислительная математика

Кл.слова (ненормированные):
туннельный перенос -- конформное преобразование -- метод передаточных матриц -- потенциальный барьер -- лезвийный наноразмерный автоэмиттер
Аннотация: Предложена модель аналитического описания потенциального барьера у вершины ультратонкого лезвийного автоэмиттера. На ее основе выполнено численное моделирование туннельного переноса электронов из вершины катода. Показано, что модель дает существенно более адекватное описание барьера по сравнению с общепринятым подходом и может быть использована при численном моделировании полевой эмиссии из наноразмерных автокатодов.


Доп.точки доступа:
Зенюк, Д. А. (Московский государсвтенный технологический университет "Станкин", Институт прикладной математики им. М. В. Келдыша РАН); Поляков, С. В. (Институт прикладной математики им. М. В. Келдыша РАН)

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

4.


   
    Незаполненные электронные состояния и потенциальный барьер в пленках замещенных дифенилфталидов на поверхности высокоупорядоченного пиролитического графита [Текст] / А. С. Комолов, Э. Ф. Лазнева, Н. Б. Герасимова [и др.] // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 2. - С. 299-303 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (26 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
дифенилфталиды -- кристаллография в целом -- пиролитический графит -- плотность электронных состояний -- потенциальный барьер -- ультратонкие пленки -- электронные свойства -- электронные состояния
Аннотация: Приведены результаты исследования незаполненных электронных состояний ультратонких пленок бис-карбоксифенил-фталида и бис-метилфенил-фталида.


Доп.точки доступа:
Комолов, А. С.; Лазнева, Э. Ф.; Герасимова, Н. Б.; Соболев, В. С.; Пшеничнюк, С. А.; Асфандиаров, Н. Л.; Крайкин, В. А.; Handke, B.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

 
Статистика
за 03.09.2024
Число запросов 101488
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)