Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:БД "Книги" (4)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=полупроводниковые гетероструктуры<.>)
Общее количество найденных документов : 15
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-15 
1.


   
    Структурные изменения в многослойных нанопленках Ti/Al [Текст] / К. О. Базалеева [и др. ] // Материаловедение. - 2008. - N 4. - С. 35-39
УДК
ББК 30.3
Рубрики: Техника
   Материаловедение

Кл.слова (ненормированные):
многослойные нанопленки -- титан -- алюминий -- микротвердость нанопленок -- полупроводниковые гетероструктуры -- многослойные наноструктурированные пленки
Аннотация: Исследовано фазово-структурное состояние многослойных нанокристаллических пленок Ti/Al с разной толщиной индивидуального слоя. Формирование неравновесного состояния сопровождается существенным повышением микротвердости пленки.


Доп.точки доступа:
Базалеева, К. О.; Крапошин, В. С.; Цыганков, П. А.; Носырев, А. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

2.


    Горбацевич, А. А.
    Коллапс резонансов в полупроводниковых гетероструктурах как переход с нарушением симметрии в открытой квантовой системе [Текст] / А. А. Горбацевич, М. Н. Журавлев, В. В. Капаев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 134, вып: вып. 2. - С. 338-353. - Библиогр.: с. 352-353
УДК
ББК 22.31
Рубрики: Физика
   Теоретическая физика

Кл.слова (ненормированные):
открытые квантовые системы -- квантовые системы -- резонансы -- нарушение симметрии -- симметрия -- системы -- полупроводниковые гетероструктуры -- коллапс резонансов
Аннотация: Рассматривается коллапс резонансов в полупроводниковых гетероструктурах как переход с нарушением симметрии в открытой квантовой системе.


Доп.точки доступа:
Журавлев, М. Н.; Капаев, В. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

3.


    Алферов, Ж. И.
    Нанотехнологии микроэлектроники и энергетики [Текст] : доклад академика РАН Ж. И. Алферова / Ж. И. Алферов // Вестник Российской академии наук. - 2009. - Т. 79, N 3. - С. 224-229. : 7 рис.
УДК
ББК 31.231
Рубрики: Энергетика
   Металлокерамические материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры полупроводниковые -- доклады -- микроэлектроника -- наноматериалы -- наноструктуры -- нанотехнологии -- наноэлектроника -- научные сессии -- полупроводниковые гетероструктуры -- сессии научные -- энергосбережение
Аннотация: Приведен текст доклада академика РАН Ж. И. Алферова, посвященный нанотехнологиям и наноматериалам.


Доп.точки доступа:
Российская академия наук; РАН

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

4.


    Меньшов, В. Н.
    Спиновое упорядочение в полупроводниковых гетероструктурах с ферромагнитными дельта-слоями [Текст] / В. Н. Меньшов, В. В. Тугушев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 135, вып. 6. - С. 1178-1191. . - Библиогр.: с. 1191
УДК
ББК 22.373
Рубрики: Физика
   Электрические и магнитные свойства твердых тел

Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- упорядочение -- полупроводниковые гетероструктуры -- спиновое упорядочение -- ферромагнитные дельта-слои -- магнитные свойства слоев -- слои магнитных металлов
Аннотация: Проведено теоретическое исследование магнитных свойств дельта-слоя магнитного металла, помещенного в матрицу немагнитного невырожденного полупроводника.


Доп.точки доступа:
Тугушев, В. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

5.


    Дмитриев, А. И.
    Электронный спиновый резонанс в гетероструктурах InGaAs/GaAs с дельта-слоем марганца [Текст] / А. И. Дмитриев, Р. Б. Моргунов, С. В. Зайцев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 139, вып. 2. - С. 367-377. . - Библиогр.: с. 376-377
УДК
ББК 22.31
Рубрики: Физика
   Теоретическая физика

Кл.слова (ненормированные):
электронный спиновый резонанс -- спиновый резонанс -- гетероструктуры -- двумерные полупроводниковые гетероструктуры -- полупроводники -- квантовые ямы -- тонкий слой марганца -- марганец -- магнитные свойства -- фотолюминесценция -- полупроводниковые гетероструктуры
Аннотация: Исследованы статистические и высокочастотные динамические магнитные свойства, а также фотолюминесценция двумерных полупроводниковых гетероструктур GaAs, содержащих квантовую яму InGaAs и тонкий слой марганца (дельта-слой).


Доп.точки доступа:
Моргунов, Р. Б.; Зайцев, С. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

6.


    Алферов, Ж. И.
    Полупроводниковые лазеры и нанотехнологии [Текст] : доклад академика Ж. И. Алферова / Ж. И. Алферов // Вестник Российской академии наук. - 2011. - Т. 81, N 6. - С. 488-495. : 8 рис.
УДК
ББК 32.86-5
Рубрики: Радиоэлектроника
   Квантовые приборы

Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- доклады -- лазеры -- нанотехнологии -- научные открытия -- полупроводники -- полупроводниковые гетероструктуры -- полупроводниковые лазеры
Аннотация: Приведен текст доклада академика РАН Ж. И. Алферова, посвященный полупроводниковым лазерам и нанотехнологиям.


Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

7.


   
    Адмиттанская спектроскопия как метод исследования релаксационных процессов в квантово-размерных структурах [Текст] / В. И. Зубков [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - № 10. - С. 1491-1497. . - Библиогр.: c. 1497 (11 назв. )
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
адмиттанская спектроскопия -- квантово-размерные структуры -- квантовые ямы -- методы исследования -- наногетероструктуры -- полупроводниковые гетероструктуры -- релаксационные процессы -- светоизлучающие гетероструктуры
Аннотация: На примере комплексных исследований полупроводниковых светоизлучающих гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN показаны широкие возможности методов спектроскопии адмиттанса как современного и эффективного метода исследования релаксационных процессов в квантово-размерных гетероструктурах. По характеру релаксации носителей заряда, выявленному из температурных спектров проводимости, определена природа эмитирующих центров в наногетероструктурах на основе InGaN/GaN.


Доп.точки доступа:
Зубков, В. И.; Яковлев, И. Н.; Кучерова, О. В.; Орлова, Т. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

8.


    Петровская, А. Н.
    Исследование методами спектроскопии адмиттанса релаксации заряда в полупроводниковых гетероструктурах с квантовой ямой [Текст] / А. Н. Петровская, В. И. Зубков // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - № 10. - С. 1501-1507. . - Библиогр.: c. 1507 (12 назв. )
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
адмиттанская спектроскопия -- волновые функции -- вольт-фарадные характеристики -- гетеропереходы -- квантовые точки -- квантовые ямы -- полупроводниковые гетероструктуры
Аннотация: На основе анализа и математической обработки вольт-фарадных характеристик, полученных экспериментально в диапазоне частот от 1 кГц до 1 МГц и температур - от 320 до 10 К, на специально изготовленных для адмиттансных измерений образцах гетероструктур с квантовыми ямами (КЯ) InGaAs/GaAs и ультратонкими смачивающими слоями InAs/GaAs, оценена величина заряда как функция от температуры. Обнаружено монотонное увеличение заряда в КЯ, определяемого по наблюдаемым концентрационным профилям из экспериментальных ВФХ по сравнению с истинной величиной заряда в квантовых ямах.


Доп.точки доступа:
Зубков, В. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

9.


    Брус, В. В.
    Электрические свойства полупроводниковой гетероструктуры n-Tio_2/n-GaP [Текст] / В. В. Брус, З. Д. Ковалюк, П. Д. Марьянчук // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 2. - С. 108-109 : рис. - Библиогр.: c. 109 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- диоксид титана -- окислы металлов -- полупроводниковые гетероструктуры -- фосфид галия
Аннотация: В статье рассмотрены электрические свойства полупроводниковой гетероструктуры n-Tio_2/n-GaP.


Доп.точки доступа:
Ковалюк, З. Д.; Марьянчук, П. Д.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.


   
    Особенности переноса заряда и ферромагнитный порядок в полупроводниковых гетероструктурах с delta-легированием марганцем [Текст] / А. М. Луговых [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 11. - С. 2160-2163 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (13 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.373
Рубрики: Физика
   Электрические и магнитные свойства твердых тел

Кл.слова (ненормированные):
delta-легирование -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- легирование -- марганец -- полупроводниковые гетероструктуры -- ферромагнитный порядок
Аннотация: Приводятся результаты исследований температурных и полевых зависимостей удельной намагниченности и магнитосопротивления в гетероструктурах с квантовой ямой GaAs/Ga[0. 84]In[0. 16]As/GaAs и с delta-слоем атомарного Mn, расположенным в барьерном слое вблизи квантовой ямы, заполненной дырками.


Доп.точки доступа:
Луговых, А. М.; Чарикова, Т. Б.; Окулов, В. И.; Моисеев, К. Д.; Кудрявцев, Ю. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

 1-10    11-15 
 
Статистика
за 01.08.2024
Число запросов 11293
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)