Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=подвижность носителей заряда<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

Подвижность носителей заряда в слоях пористого кремния [Текст] / П. А. Форш [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 134, вып. 6. - С. 1195-1199. . - Библиогр.: с. 1199

УДК

^a539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
кремний -- пористый кремний -- носители заряда -- подвижность носителей заряда -- слои пористого кремния
Аннотация: Оценена подвижность носителей заряда в слоях пористого кремния.

Доп.точки доступа:
Кашкаров, П. К.; Тимошенко, В. Ю.; Воронцов, А. С.; Форш, П. А.; Латышева, А. П.; Мартышов, М. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Влияние быстрых нейтронов на электрофизические свойства ядерно-легированного кремния р-типа [Текст] / М. Каримов [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 5. - С. 75-78. . - Библиогр.: c. 78 (8 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
быстрые нейтроны -- микронеоднородность -- подвижность носителей заряда -- потенциальный барьер -- радиационные дефекты -- скорость удаления носителей -- удельное сопротивление -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- флюенс быстрых нейтронов -- Холла эффект -- эффект Холла -- ядерно-легированный кремний р-типа
Аннотация: Исследуется влияние дефектов, наведенных облучением быстрыми нейтронами, на скорость удаления носителей заряда в ядерно-легированном кремнии (р-Si<В, P>) и контрольном р-Si<В> методом измерения коэффициента Холла и удельного сопротивления при комнатной температуре. Показано, что скорость удаления носителей заряда в р-Si<В, P> быстрее, чем в р-Si<В>. Предлагается барьерная модель, объясняющая наблюдаемый эффект.

Доп.точки доступа:
Каримов, М.; Махкамов, Ш.; Турсунов, Н. А.; Махмудов, Ш. А.; Сулаймонов, А. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Гасумянц, В. Э.
Сравнительное исследование коэффициента Нернста - Эттингсгаузена в нормальной фазе в системах Y[1-x]Pr[x]Ba[2]Cu[3]O[y] и Y[0.85-x]Pr[x]Ca[0.15]Ba[2]Cu[3]O[y] [Текст] / В. Э. Гасумянц, О. А. Мартынова // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 8. - С. 1424-1432 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (54 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
Нернста - Эттингсгаузена коэффициент -- высокотемпературные сверхпроводники -- коэффициент Нернста - Эттингсгаузена -- подвижность носителей заряда -- сверхпроводники -- энергетические спектры
Аннотация: Представлены результаты сравнительного исследования модификации температурных зависимостей коэффициента Нернста - Эттингсгаузена под действием легирования празеодимом в двух сериях образцов состава Y[1-x]Pr[x]Ba[2]Cu[3]O[y] и Y[0. 85-x]Pr[x]Ca[0. 15]Ba[2]Cu[3]O[y].

Доп.точки доступа:
Мартынова, О. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Байрамов, Б. Х.
Оптическая характеризация структурных и электрических свойств нанослоев n-GaP, выращенных на проводящих подложках (001) n-GaP [Текст] / Б. Х. Байрамов, В. В. Топоров, Ф. Б. Байрамов // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 1. - С. 80-84. - Библиогр. в конце ст. (26 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
n-GaP -- нанослои n-GaP -- носители заряда -- оптическая характеризация -- подвижность носителей заряда -- подложки -- сильнолегированная подложка
Аннотация: Приводятся результаты исследования структурных и электрических свойств гомоэпитаксиального наномасштабного слоя (001) n-GaP, выращенного методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на проводящей сильнолегированной подложке кристалла n-GaP, ориентированного по оси (001).

Доп.точки доступа:
Топоров, В. В.; Байрамов, Ф. Б.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

Бутко, А. В.
Зависимость подвижности носителей заряда в гибридных наноструктурах на интерфейсе графена с молекулярными ионами от их зарядовой плотности [Текст] / А. В. Бутко, В. Ю. Бутко, Ю. А. Кумзеров // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 11. - С. 1960-1963 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (19 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гибридные наноструктуры -- графены -- зарядовая плотность -- кристаллография в целом -- молекулярные ионы -- носители заряда -- подвижность носителей заряда -- транзисторы
Аннотация: Исследована зависимость подвижности носителей заряда в гибридных наноструктурах от плотности интерфейсных молекулярных ионов (Nii).

Доп.точки доступа:
Бутко, В. Ю.; Кумзеров, Ю. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 07.07.2024
Число запросов	7906
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)