Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=пленки GaN<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Гетероэпитаксиальные пленки GaN на подложках кремния с буферными слоями на основе пористого материала [Текст] / Ю. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 11. - С. 1583-1587. . - Библиогр.: c. 1587 (21 назв. )

УДК

^a621.385

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
гетероэпитаксильные пленки -- электрическая однородность -- фотолюминесценция -- подложки кремния -- метод МОГФЭ -- сложные буферные слои -- пленки GaN
Аннотация: Для эпитаксии GaN на подложках Si разработаны новые сложные буферные слои на основе пористого материала.

Доп.точки доступа:
Бузынин, Ю. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Лукьянов, А. Ю.; Хрыкин, О. И.; Бузынин, А. Н.; Лукьянов, А. Е.; Рау, Э. И.; Лукьянов, Ф. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Гетероэпитаксиальные пленки соединений A{III}B{V} на подложках и буферных слоях фианита [Текст] / Ю. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 4. - С. 511-516. . - Библиогр.: c. 516 (10 назв. )

УДК

^a621.385

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
гетероэпитаксильные пленки -- многослойные структуры -- фотолюминесценция -- вторично-ионная миасс-спектроскопия -- метод МОГФЭ -- буферные слои -- пленки GaN -- фианит -- растровая электронная микроскопия
Аннотация: На фианитовых подложках методом МОГФЭ получены эпитаксильные пленки GaAs, GaSb, AlGaAs и InGaAs, а также многослойные гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs для PHEMT-полевых транзисторов.

Доп.точки доступа:
Бузынин, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Бузынин, А. Н.; Осико, В. В.; Звонков, Б. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Парафин, А. Е.; Мурель, А. В.; Хрыкин, О. И.; Лукьянов, А. Е.; Лукьянов, Ф. А.; Сеннов, Р. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Гуткин, М. Ю.
Динамика проникающих дислокаций в пористых гетероэпитаксиальных пленках GaN [Текст] / М. Ю. Гуткин, Е. А. Ржавцев // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 12. - С. 2370-2376 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (70 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.21:534

ББК 22.372
Рубрики: Физика
Механические и акустические свойства монокристаллов
Кл.слова (ненормированные):
GaN -- галлий -- гетероэпитаксиальные пленки -- дислокации -- нитрид галлия -- пленки GaN -- проникающие дислокации
Аннотация: Исследовано поведение проникающих дислокаций в пористых гетероэпитаксиальных пленках нитрида галлия (GaN).

Доп.точки доступа:
Ржавцев, Е. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 22.08.2024
Число запросов	98166
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)