Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=оксид тантала<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Кукуев, В. И.
Формирование протяженных мезодефектов в тонких пленках анодного оксида тантала [Текст] / В. B. Кукуев, Е. А. Тутов, В. В. Чернышев // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 7. - С. 967-968. . - Библиогр.: c. 968 (6 назв. )

УДК

^a538.975

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
анодные оксиды металлов -- оксид тантала -- пленки -- протяженные мезодефекты -- разломы -- тонкие пленки -- электронно-микроскопические исследования -- электрохимическое анодирование
Аннотация: Методом электрохимического анодирования с последующей деформацией изгиба получены пленки оксида тантала, содержащие протяженные мезодефекты - разломы.

Доп.точки доступа:
Тутов, Е. А.; Чернышев, В. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Влияние материала подложки на свойства пленок оксида тантала [Текст] / В. М. Калыгина [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 12. - С. 83-88. . - Библиогр.: c. 87-88 (10 назв. )

УДК

^a621.315.6

ББК 31.234
Рубрики: Энергетика
Электроизолирующие материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрическая проницаемость -- диэлектрические слои -- кислородная плазма -- оксид тантала -- пленки оксида тантала -- тангенс угла диэлектрических потерь
Аннотация: Исследовано влияние материала подложки на электрические характеристики пленок Ta[x]O[y], полученных ВЧ-магнетронным распылением мишени, изготовленной из оксида тантала. Установлено влияние кислородной плазмы на токи утечки, величину диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь тонких слоев (300-400 нм) Та[x]O[y]. Предложено использовать обработку пленок оксида тантала в кислородной плазме для управления их электрическими и диэлектрическими характеристиками.

Доп.точки доступа:
Калыгина, В. М.; Зарубин, А. Н.; Новиков, В. А.; Петрова, Ю. С.; Скакунов, М. С.; Толбанов, О. П.; Тяжев, А. В.; Яскевич, Т. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Перевалов, Т. В.
Моделирование ab initio электронной структуры кристаллических модификаций Ta[2]O[5] [Текст] / Т. В. Перевалов, А. В. Шапошников // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 143, вып. 6. - С. 1153-1160. - Библиогр.: с. 1159-1160 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
тантал -- оксид тантала -- Ta[2]O[5] -- диэлектрики -- пленки оксида тантала -- проводимость пленок -- электронная структура -- структура кристаллических модификаций -- модификации оксида тантала -- моделирование структуры
Аннотация: Проведено моделирование ab initio электронной структуры перспективного для микроэлектроники диэлектрика оксида тантала в кристаллических бета- и дельта-фазах.

Доп.точки доступа:
Шапошников, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Гурский, Л. И.
Многозатворный 3-мерный транзистор с полевым управлением транспорта отрицательно заряженных экситонов [Текст] / Л. И. Гурский, Г. В. Крылова // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. - 2014. - Т. 5, № 2. - С. 28-32. - Библиогр.: c. 32 . - ISSN 2225-0999

УДК

^a621.315.55/.58

^a537.311.33

ББК 31.232 + 22.379
Рубрики: Проводниковые материалы и изделия
   Энергетика
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Физика
Кл.слова (ненормированные):
3D-транзистор -- Ленгмюра–Блоджетта пленка -- заряженные экситоны -- многозатворный 3D-транзистор -- наноразмерный слой -- оксид тантала -- пленка Ленгмюра–Блоджетта -- подзатворные наноразмерные слои -- полевое управление транспорта экситонов
Аннотация: Рассмотрены принципы построения многозатворного 3D-транзистора с полевым управлением, основанным на 3D-экситонно-диэлектрической структуре с наноразмерными слоями и подзатворной активной области в гетероструктуре.

Доп.точки доступа:
Крылова, Г. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 20.08.2024
Число запросов	89870
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)