Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=нитрид галлия<.>)

Общее количество найденных документов : 18
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-18

Прудаев, И. А.
Ограничение тока в светодиодах на основе нитридов А{3}В{5} при прямом смещении [Текст] / И. А. Прудаев, И. В. Ивонин, О. П. Толбанов // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, № 12. - С. 66-68. - Библиогр.: c. 68 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

^a621.382

ББК 22.37 + 32.852
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперная характеристика -- контактное сопротивление -- нитрид галлия -- светодиоды
Аннотация: Представлены результаты исследования прямых вольт-амперных характеристик светодиодов на основе InGaN/GaN в статическом и импульсном режимах для плотностей тока до 1000 Л/см{2}. Показано, что прямые вольт-амперные характеристики описываются линейной зависимостью при комнатной температуре, начиная с 5-6 В. Последовательное сопротивление не превышает 1 Ом для площади диодов S ~ 1 мм{2} и определяется удельным контактным сопротивлением. Также показано, что между участками рекомбинационного и омического токов на прямой вольт-амперной характеристике имеет место температурно-зависимый участок.

Доп.точки доступа:
Ивонин, И. В.; Толбанов, О. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Гольцова, М.
Мощные GAN-транзисторы. Истинно революционная технология [Текст] / М. Гольцова // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2012. - № 4. - С. 86-100. - Библиогр.: с. 100 (24 назв. ) . - ISSN 1992-4178

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
GAN-транзисторы -- нитрид галлия -- нитридгаллиевые транзисторы -- силовая электроника -- МОП-транзисторы
Аннотация: Сегодня, когда растут требования к снижению энергопотребления и уменьшению габаритов электронной аппаратуры, GAN-транзистор оказался одним из самых перспективных приборов, способных заменить мощные кремниевые полевые транзисторы в компактных импульсных источниках питания, DC/DC-преобразователях, разумных сетях электропитания, электроприводах.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

Катодолюминесцентные экспериментальные исследования транспорта экситонов в нитриде галлия [Текст] / А. Н. Поляков [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 9. - С. 1082-1085. - Библиогр.: c. 1085 (16 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

ББК 22.338 + 22.345 + 22.37 + 30.3
Рубрики: Физика
   Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
   Люминесценция
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Техника
   Материаловедение
Кл.слова (ненормированные):
времяпролетные исследования -- диффузия экситонов -- катодолюминесцентные исследования -- нитрид галлия -- транспорт экситонов -- экспериментальные исследования
Аннотация: Показаны возможности применения времяпролетных катодолюминесцентных исследований полупроводниковых образцов, частично покрытых непроницаемой для излучения маской специальной геометрии, для получения количественной информации о свойствах изучаемого материала. По результатам экспериментальных исследований нитрида галлия определены значения коэффициента диффузии экситонов.

Доп.точки доступа:
Поляков, А. Н.; Noltemeyer, M.; Hempel, T.; Christen, J.; Степович, М. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок n-GaN [Текст] / В. Н. Брудный [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 1. - С. 47-51. - Библиогр.: c. 51 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
Ферми уровень -- заглубление уровня Ферми -- нитрид галлия -- облучение электронами -- радиационные дефекты -- радиация -- уровень Ферми -- электронное облучение -- электронные свойства -- эпитаксиальные пленки n-GaN
Аннотация: Рассмотрено влияние облучения электронами (E=7, D= 10{16}-10{18} см{-2}) и последующей термообработки в интервале температур 100-1000 °С на электрофизические свойства нелегированных, n = 1 10{14}-1 10{16} см{-3}, промежуточно-легированных, (1, 2-2) -10{17} см{-3}, и сильно легированных кремнием, n = (2-3, 5) 10{18} см{-3}, эпитаксиальных пленок n-GaN, выращенных на подложке АI[2]О[3] (001) с использованием МОСГФЭ-технологии. Обнаружено увеличение удельного электросопротивления n-GaN и закрепление уровня Ферми в предельном положении вблизи Е[с] - 0, 9 эВ при электронном облучении. В интервале температур 100-1000 °С исследовано восстановление исходных свойств облученного материала. Выявлена стадия "обратного" отжига в интервале температур 300-400 °С.

Доп.точки доступа:
Брудный, В. Н.; Веревкин, С. С.; Колин, Н. Г.; Корулин, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Хлудков, С. С.
Нитрид галлия в качестве материала для спинтроники [Текст] / С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 8. - С. 44-49 : рис. - Библиогр.: c. 49 (39 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.38

ББК 32.857
Рубрики: Радиоэлектроника
Диэлектрические приборы
Кл.слова (ненормированные):
легирование магнитными примесями -- нитрид галлия -- примеси переходных металлов -- редкоземельные элементы -- ферромагнитные свойства
Аннотация: Приведен обзор литературы по магнитным свойствам GaN, легированного магнитными примесями: переходными металлами (Mn, Cr, Fe, Ni, V) и редкоземельными элементами (Gd, Eu, Sm), а также нитрида галлия, содержащего большую концентрацию вакансий галлия и квантовые точки. Рассмотрены свойства GaN, легированного в процессе роста слоев методом молекулярно-лучевой и мосгидридной эпитаксии, а также в процессе ионного легирования. Пленки GaN, легированные переходными металлами и редкоземельными элементами, а также нелегированный GaN, часто сохраняют ферромагнитные свойства при комнатной температуре.

Доп.точки доступа:
Прудаев, И. А.; Толбанов, О. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком [Текст] / В. И. Олешко [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 1. - С. 55-58 : рис. - Библиогр.: c. 58 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.3/.6

^a535.37

ББК 30.121 + 22.345
Рубрики: Техника
   Сопротивление материалов
   Физика
   Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
вынужденное излучение -- люминесценция тонкопленочных светодиодных структур -- нитрид галлия -- пленки GaAs -- светодиодные гетероструктуры -- сильноточные электронные пучки -- тонкопленочные светодиодные структуры
Аннотация: Изучена возможность применения сильноточных электронных пучков для люминесцентного контроля светодиодных гетероструктур InGaN/GaN, нанесенных на сапфировые подложки. Показано, что возбуждение образцов электронным пучком со стороны гетероструктуры приводит к интенсивной люминесценции эпитаксиальных слоев GaN и InGaN, характеристики которой определяются предысторией образцов. Обнаружено вынужденное излучение, возникающее в отдельных светодиодных структурах при достижении плотности энергии электронного пучка порогового значения. Переход в режим вынужденного излучения в InGaN-квантовых ямах сопровождается появлением светящегося «гало» вокруг зоны возбуждения.

Доп.точки доступа:
Олешко, В. И.; Горина, С. Г.; Корепанов, В. И.; Лисицын, В. М.; Прудаев, И. А.; Толбанов, О. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Викулов, И.
GаN-микросхемы претендуют на замену ЭВП [Текст] : конкуренция обостряется / И. Викулов // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2014. - № 1. - С. 168-175 . - ISSN 1992-4178

УДК

^a62.001.63

ББК 30.2
Рубрики: Техника
Проектирование
Кл.слова (ненормированные):
GaN-приборы -- GaN-транзисторы -- ЭВП -- нитрид галлия -- системы радиовооружения -- усилители
Аннотация: Полученные к настоящему времени мощности отдельных GaN-транзисторов и усилителей в некоторых диапазонах частот достигают сотен ватт. Но готовы ли GaN-приборы заменить ЭВП в наиболее ответственных применениях, включая системы радиовооружения? Ведь развитие ЭВП пока не прекратилось. Но и нитрид галлия быстрыми темпами укрепляет свои позиции.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

Гольцова, М.
Силовая полупроводниковая электроника. Многообещающие технологии становятся реальностью [Текст] / М. Гольцова // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2014. - № 4. - С. 54-70 . - ISSN 1992-4178

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- нитрид галлия -- полупроводниковые приборы -- полупроводниковые соединения -- силовая полупроводниковая электроника -- теплопроводность
Аннотация: По мере достижения кремниевыми силовыми компонентами теоретических пределов популярными становятся приборы на основе полупроводниковых соединений с большой шириной запрещенной зоны, высокими теплопроводностью и напряженностью поля пробоя. Это – карбид кремния и нитрид галлия. Состояние и перспективы развития этих приборов рассмотрены в статье.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

Левицкий, М. Е.
Акустическая эмиссия при сублимации микронного слоя нитрида галлия под воздействием излучения KrF-лазера [Текст] / М. Е. Левицкий, Н. Н. Бочкарев, В. Г. Соковиков // Известия РАН. Серия физическая. - 2015. - Т. 79, № 2. - С. 270-274. - Библиогр.: c. 274 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a534.6:53.082.4

ББК 22.321
Рубрики: Физика
Экспериментальные методы и аппаратура акустики
Кл.слова (ненормированные):
KrF-лазер -- акустическая эмиссия -- метод Laser Lift-off -- нитрид галлия -- технология LLO -- эффект лазерной абляции
Аннотация: Исследована эффективность абляции слоя нитрида галлия при воздействии через слой сапфира импульсами KrF-лазера. Полученные зависимости эволюции акустической эмиссии при изменении плотности энергии лазерных импульсов имеют пороговый характер, что позволяет контролировать эффективность абляции и следить за качеством кристаллов нитрида галлия, отделяемых от сапфировой подложки.

Доп.точки доступа:
Бочкарев, Н. Н.; Соковиков, В. Г.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.

Юнович, Александр (доктор физико-математических наук).
Свет настоящего и будущего [Текст] / Александр Юнович // Наука и жизнь. - 2015. - № 4. - С. 52-62, 4-я с. обл. : 7 фот., 11 рис., 2 карт., 3 диагр. . - ISSN 0028-1263

УДК

^a621.32

ББК 31.294
Рубрики: Энергетика
Электрическое освещение. Светотехника
Кл.слова (ненормированные):
история светодиодов -- лампы -- нитрид галлия -- полупроводники -- светодиодное освещение -- светодиодные лампы -- светодиоды -- электроны
Аннотация: В статье освещается история создания светодиодов.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

1-10 11-18

Тематический навигатор

Статистика за 01.09.2024
Число запросов	77076
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)