Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=нитевидные нанокристаллы<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Гpанкин, М. В.
Плазмохимические реакции на поверхности с наноструктурами, стимулированные электронными переходами [Текст] / М. В. Гpанкин, А. И. Бажин // Известия РАН. Серия физическая. - 2014. - Т. 78, № 6. - С. 747-751. - Библиогр.: c. 751 (12 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a535.377

^a621.315.592

ББК 22.345 + 31.233
Рубрики: Физика
   Люминесценция
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
Монте-Карло метод -- аккомодация энергии горячих адатомов -- диссипация энергии -- метод Монте-Карло -- нитевидные нанокристаллы -- плазмохимические реакции
Аннотация: Предложен механизм диссипации энергии гетерогенной рекомбинации атомов из низкотемпературной плазмы, учитывающий аккомодацию энергии реакции по электронному каналу. Представлены результаты моделирования методом Монте-Карло для систем газ-поверхность с наноточками из металла. Показано, что в случае широкозонных твердых тел с металлическими наноточками электронный канал может определять скорость плазмохимической реакции и эпитаксиальный рост полупроводника или нитевидного нанокристалла.

Доп.точки доступа:
Бажин, А. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / Р. Р. Резник [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 10. - С. 1886-1889 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (16 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
GaN -- SiC/Si (111) -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- нанокристаллы GaN -- нитевидные нанокристаллы -- оптические свойства -- подложка SiC/Si (111) -- эпитаксия
Аннотация: Продемонстрирована принципиальная возможность выращивания нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевой подложке с наноразмерным буферным слоем карбида кремния.

Доп.точки доступа:
Резник, Р. Р.; Котляр, К. П.; Илькив, И. В.; Сошников, И. П.; Кукушкин, С. А.; Осипов, А. В.; Никитина, Е. В.; Цырлин, Г. Э.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Автокаталитический синтез нитевидных нанокристаллов CdTe методом магнетронного осаждения [Текст] / И. П. Сошников [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 12. - С. 2314-2318 : 7 рис. - Библиогр. в конце ст. (27 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
CdTe -- Te -- автокаталитический синтез -- магнетронное осаждение -- нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- синтез нанокристаллов
Аннотация: Продемонстрирована возможность автокаталитического синтеза нитевидных нанокристаллов CdTe методом магнетронного осаждения через отверстия в сверхтонком слое SiO[2].

Доп.точки доступа:
Сошников, И. П.; Семенов, А. А.; Белявский, П. Ю.; Штром, И. В.; Котляр, К. П.; Лисак, В. В.; Кудряшов, Д. А.; Павлов, С. И.; Нащекин, А. В.; Цырлин, Г. Э.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Корякин, А. А.
Влияние упругих напряжений на формирование осевых гетеропереходов в трехкомпонентных нитевидных нанокристаллах A{III}B{V} [Текст] / А. А. Корякин, Е. Д. Лещенко, В. Г. Дубровский // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 12. - С. 2437-2441 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (19 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом--Россия--Санкт-Петербург, 2019 г.
Кл.слова (ненормированные):
доклады -- конференции -- кристаллография в целом -- нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- осевые гетеропереходы -- полупроводники -- упругие напряжения
Аннотация: Проведено теоретическое исследование влияния упругих напряжений на формирование осевых гетеропереходов в трехкомпонентных нитевидных нанокристаллах A{III}B{V}.

Доп.точки доступа:
Лещенко, Е. Д.; Дубровский, В. Г.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 28.07.2024
Число запросов	154549
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)