Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=низкоинтенсивное бета-облучение<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Влияние электрических полей на динамику изменений микротвердости кремния, индуцируемых низкоинтенсивным бета-излучением [Текст] / А. А. Дмитриевский [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 7. - С. 988-990. . - Библиогр.: c. 990 (5 назв. )

УДК

^a539.21:539.12.04

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
электрическое поле -- низкоинтенсивное бета-облучение -- радиационные дефекты -- микротвердость -- кристаллы кремния -- динамика изменений -- экспериментальные исследования
Аннотация: Обнаружено замедляющее действие электрического поля (ЭП) на процесс изменения микротвердости кремния, индуцируемый низкоинтенсивным (I=10. 4x10{4}см{-2}xc{-1}) бета-облучением.

Доп.точки доступа:
Дмитриевский, А. А.; Головин, Ю. И.; Васюков, В. М.; Сучкова, Н. Ю.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Влияние низкоинтенсивного бета-облучения на фазовые превращения в кремнии при микроиндентировании [Текст] / Ю. И. Головин [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, № 8. - С. 73-76. - Библиогр.: c. 76 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.19

^a539.21:534

ББК 22.36 + 22.372
Рубрики: Физика
Молекулярная физика в целом
Механические и акустические свойства монокристаллов
Кл.слова (ненормированные):
бета-облучение -- дефектообразование -- индентирование -- кремний -- микроиндентирование -- низкоинтенсивное бета-облучение -- фазовые превращения
Аннотация: С использованием метода рамановскои спектроскопии исследована морфология фазового состава кремния внутри отпечатка индентора с пространственным разрешением ~ 200 нм. Обнаружено подавление эффективности образования фаз Si-XII, Si-III и -Si, индуцируемое облучением бета-частицами от источника {90}Sr + {90}Y (флюенс F=3, 6-10[10] см [-2]).

Доп.точки доступа:
Головин, Ю. И.; Дмитриевский, А. А.; Шуклинов, А. В.; Косырев, П. А.; Ловцов, А. Р.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 03.09.2024
Число запросов	57878
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)