Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=метод МОГФЭ<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Гетероэпитаксиальные пленки GaN на подложках кремния с буферными слоями на основе пористого материала [Текст] / Ю. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 11. - С. 1583-1587. . - Библиогр.: c. 1587 (21 назв. )

УДК

^a621.385

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
гетероэпитаксильные пленки -- электрическая однородность -- фотолюминесценция -- подложки кремния -- метод МОГФЭ -- сложные буферные слои -- пленки GaN
Аннотация: Для эпитаксии GaN на подложках Si разработаны новые сложные буферные слои на основе пористого материала.

Доп.точки доступа:
Бузынин, Ю. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Лукьянов, А. Ю.; Хрыкин, О. И.; Бузынин, А. Н.; Лукьянов, А. Е.; Рау, Э. И.; Лукьянов, Ф. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Гетероэпитаксиальные пленки соединений A{III}B{V} на подложках и буферных слоях фианита [Текст] / Ю. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 4. - С. 511-516. . - Библиогр.: c. 516 (10 назв. )

УДК

^a621.385

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
гетероэпитаксильные пленки -- многослойные структуры -- фотолюминесценция -- вторично-ионная миасс-спектроскопия -- метод МОГФЭ -- буферные слои -- пленки GaN -- фианит -- растровая электронная микроскопия
Аннотация: На фианитовых подложках методом МОГФЭ получены эпитаксильные пленки GaAs, GaSb, AlGaAs и InGaAs, а также многослойные гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs для PHEMT-полевых транзисторов.

Доп.точки доступа:
Бузынин, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Бузынин, А. Н.; Осико, В. В.; Звонков, Б. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Парафин, А. Е.; Мурель, А. В.; Хрыкин, О. И.; Лукьянов, А. Е.; Лукьянов, Ф. А.; Сеннов, Р. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Рост и свойства пленок GaAs, GaN и низкоразмерных структур GaAs/QWs InGaAs на подложках Si с буферным слоем Ge [Текст] / Ю. Н. Бузынин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 9. - С. 1153-1157. - Библиогр.: c. 1157 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a621.385.833

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
вторичная ионная масс-спектрометрия -- квантовые ямы -- металлоорганическая газофазная эпитаксия -- метод МОГФЭ -- монокристаллические пленки -- низкоразмерные структуры -- фотолюминесценция -- химическое газовое осаждение
Аннотация: Найдены условия получения методом химического газового осаждения с горячей проволокой (HW-CVD) при низкой температуре (350 град. С) зеркально гладких, однородных по площади буферных слоев Ge на подложках Si (100) и (111). Методом МОГФЭ при пониженном давлении на новых буферных слоях получены монокристаллические однородные гладкие пленки GaN и GaAs, а также низкоразмерные структуры GaAs/QW InGaAs/GaAs/QWInGaAs/GaAs/Ge/Si. Установлено, что квантовые ямы имеют интенсивную фотолюминесценцию, сравнимую по интенсивности с полученными на подложках GaAs.

Доп.точки доступа:
Бузынин, Ю. Н.; Шенгуров, В. Г.; Звонков, Б. Н.; Бузынин, А. Н.; Хрыкин, О. И.; Дроздов, М. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Денисов, С. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Романов, В. В.
Узкозонные гетероструктуры InAs[1-y]Sb[y]/InAsSbP (y=0.09-0.16) для спектрального диапазона 4-6 um, полученные методом МОГФЭ [Текст] / В. В. Романов, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 10. - С. 1746-1753 : 6 рис., 2 табл. - Библиогр. в конце ст. (15 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
МОГФЭ -- антимониды -- гетеропереходы -- люминесценция -- метод МОГФЭ -- спектральный диапазон
Аннотация: Продемонстрировано влияние химии поверхности активного слоя на состав наращиваемого барьерного слоя и на формирование гетероперехода InAsSb/InAsSbP при увеличении концентрации сурьмы в твердом растворе InAsSb.

Доп.точки доступа:
Иванов, Э. В.; Моисеев, К. Д.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 22.08.2024
Число запросов	96459
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)