Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=исследования наноструктур<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.


   
    Процесс самоорганизации и зависимость морфологических характеристик селенсодержащих наноструктур на основе оксиэтилцеллюлозы от массового соотношения селен: полимер в растворе [Текст] / Н. П. Новоселов [и др. ] // Химические волокна. - 2008. - N 4. - С. 42-46. - Библиогр.: с. 45 (20 назв. ) . - ISSN 0023-1118
УДК
ББК 35.732
Рубрики: Химическая технология
   Синтетические волокна

Кл.слова (ненормированные):
синтетические материалы -- полимерные материалы -- полимерные наноструктуры -- селенсодержащие наноструктуры -- оксиэтилцеллюлоза -- наноразмерные частицы -- наночастицы -- наночастицы селена -- морфологические характеристики -- формирование наноструктур -- исследования наноструктур -- методы исследований -- оптические методы -- спектрофотометрические методы
Аннотация: С целью установления характера влияния массового соотношения селен : полимер в растворе, при фиксированной молекулярной массе полимерной матрицы, на морфологические характеристики и процесс формирования наноструктур оптическими и спектрофотометрическими методами были изучены селенсодержащие наноструктуры на основе жесткоцепных молекул оксиэтилцеллюлозы.


Доп.точки доступа:
Новоселов, Н. П.; Иванов, Д. А.; Валуева, С. В.; Боровикова, Л. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

2.


   
    Детекторы гамма-излучений на основе GaAsCr для исследования наноструктур [Текст] / Г. И. Айзенштат [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 10. - С. 38-52. . - Библиогр.: c. 51-52 (62 назв. )
УДК
ББК 32.857
Рубрики: Радиоэлектроника
   Диэлектрические приборы

Кл.слова (ненормированные):
детекторы гамма-излучений на основе GaAsCr -- исследования наноструктур -- квантово-чувствительные детекторы -- рентгеновские гамма-излучения
Аннотация: Развитие нанотехнологий в значительной мере обусловлено созданием новых источников гамма-излучения и координатных детекторов нового поколения, призванных обеспечить как координатные, так и временные измерения в нано- и фемтоинтервалах. Представлены результаты разработки нового типа материала для детекторов гамма-излучений нового поколения. Решены научные и технические задачи, касающиеся создания детекторного материала и структур для регистрации единичных квантов рентгеновского и гамма-излучений и заряженных частиц высоких энергий. Созданы многоэлементные координатные детекторы нового поколения.


Доп.точки доступа:
Айзенштат, Г. И.; Будницкий, Д. Л.; Мокеев, Д. Ю.; Новиков, В. А.; Сыресин, Е. М.; Толбанов, О. П.; Тяжев, А. В.; Шелков, Г. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

 
Статистика
за 03.09.2024
Число запросов 10575
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)