Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=гетеросистемы<.>)

Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7

Гутаковский, А. К.
Применение высокоразрешающей электронной микроскопии для визуализации и количественного анализа полей деформации в гетеросистемах [Текст] / А. К. Гутаковский, А. Л. Чувилин, Se Ahn Song // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 10. - С. 1464-1470. - Библиогр.: c. 1470 (23 назв. )

УДК

^a537.533.35

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
анализ геометрической фазы -- атомное строение -- визуализация -- высокоразрешающая электронная микроскопия -- гетеросистемы -- количественный анализ -- кристаллические решетки -- метод геометрической фазы -- поля деформации -- пространственные частоты -- рассеяние -- упругие деформации -- электронная микроскопия
Аннотация: Рассмотрены общие принципы, возможности и ограничения классического метода геометрической фазы. Для расширения его возможностей разработан новый обобщающий подход, заключающийся в анализе всех доступных пространственных частот высокоразрешающего электронно-микроскопического изображения.

Доп.точки доступа:
Чувилин, А. Л.; Se Ahn Song

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Формирование наноразмерных частиц таллия при фотолизе гетеросистем азид таллия — кадмий [Текст] / Э. П. Суровой [и др. ] // Материаловедение. - 2010. - N 11. - С. 35-39.

УДК

^a544

ББК 24.5
Рубрики: Химия
Физическая химия в целом
Кл.слова (ненормированные):
таллий -- азиды таллия -- кадмий -- фотолиз -- наноразмерные частицы таллия -- гетеросистемы -- облучение
Аннотация: Установлено, что при облучении систем TlN3 (А) –Cd светом преимущественно формируются частицы таллия размером d = 40–50 и d = 100—120. В результате анализа ВАХ, фотоЭДС, КРП предложена модель фотолиза систем TlN3 (А) –Cd.

Доп.точки доступа:
Суровой, Э. П.; Шурыгина, Л. И.; Бугерко, Л. Н.; Борисова, Н. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Структурное состояние гетеросистем Ge/Si с интерфейсами (001), (111) и (7 7 10) [Текст] / Е. М. Труханов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 3. - С. 373-376. - Библиогр.: c. 376 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a539.25

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гетеросистемы Ge/Si -- дислокации несоответствия -- дислокации Шокли -- кристаллографическая ориентация -- пластическая релаксация -- просвечивающая электронная микроскопия -- сканирующая туннельная микроскопия -- Шокли дислокации -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: Для интерфейсов с кристаллографической ориентацией (111) и (001) показано, что при одинаковом уровне пластической релаксации напряжений в полупроводниковых эпитаксиальных пленках отношение расстояний D между соседними дислокациями несоответствия D[ (111) ]/D[ (001) ] = 1. 5. Это позволило установить, что дислокационный интерфейс (7 7 10) содержит частичные 90°-дислокации Шокли, залегающие в трех направлениях (110).

Доп.точки доступа:
Труханов, Е. М.; Лошкарев, И. Д.; Романюк, К. Н.; Гутаковский, А. К.; Ильин, А. С.; Колесников, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Теоретическое и экспериментальное определение начальной стадии пластической релаксации напряжений несоответствия в гетеросистеме подложка (111)- островки пленки [Текст] / И. Д. Лошкарев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 3. - С. 425-428. - Библиогр.: c. 428 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a539.23

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
биатомные слои -- гетеросистемы -- граница раздела -- дислокации несоответствия -- пластическая релаксация -- размерные эффекты -- химическое травление -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: Развита модель определения критической толщины пленки h[С] для введения дислокаций несоответствия по плоскостям скольжения пленки и подложки, параллельным границе раздела (111). Экспериментальные величины h[С], согласующиеся с расчетными, определены для гетеросистем Ge/Si (111) и Si[3]N[4]/Ge (111). Реализован двухуровневый эпитаксиальный рост Ge на Si в режиме комбинации механизмов ступенчато-слоевого и 2D-островкового роста.

Доп.точки доступа:
Лошкарев, И. Д.; Труханов, Е. М.; Романюк, К. Н.; Качанова, М. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Оптимальная и неоптимальная релаксация напряжений несоответствия в полупроводниковой гетеросистеме [Текст] / Е. М. Труханов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2014. - Т. 78, № 4. - С. 472-475. - Библиогр.: c. 475 (10 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
дальнодействующие напряжения -- дислокации несоответствия -- полупроводниковые гетеросистемы -- релаксационные процессы -- эпитаксильные пленки
Аннотация: Процессы релаксации напряжений несоответствия полупроводниковой гетеросистемы расклассифицированы на оптимальные и неоптимальные. В зависимости от типа процесса и степени его завершенности установлены и экспериментально зарегистрированы четыре варианта однородного поля напряжений в приповерхностном слое эпитаксиальной пленки. Рассмотрено взаимодействие пронизывающих дислокаций, способствующее переходу неоптимального релаксационного процесса в оптимальный.

Доп.точки доступа:
Труханов, Е. М.; Василенко, А. П.; Лошкарев, И. Д.; Колесников, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Эффект кулоновской ямы в квантовых ямах (In, Ga)As/GaAs [Текст] / Р. П. Сейсян [и др.] // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 6. - С. 1133-1149 : 17 рис., 2 табл. - Библиогр. в конце ст. (40 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.21:535

ББК 22.374
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
As -- Ga -- Ga -- In -- гетеросистемы -- квантовые ямы -- кулоновская яма
Аннотация: Выполнено магнитооптическое исследование экситонных переходов в высококачественных квантовых ямах гетеросистемы (In, Ga) As/GaAs.

Доп.точки доступа:
Сейсян, Р. П.; Кавокин, А. В.; Moumanis, Kh.; Сасин, М. Э.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Особенности фазовых переходов в висмутсодержащих упругонапряженных гетеросистемах AlGaInSbBi-InSb [Текст] / Д. Л. Алфимова, Л. С. Лунин, М. Л. Лунина [и др.] // Физика твердого тела. - 2020. - Т. 62, вып. 4. - С. 523-528 : 7 рис. - Библиогр. в конце ст. (7 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
AlGaInSbBi-InSb -- гетеросистемы -- изотермы солидуса -- спинодальный распад -- твердые растворы -- упругие напряжения -- упругонапряженные гетеросистемы -- фазовые переходы
Аннотация: Обсуждаются особенности фазовых переходов в упругонапряженных гетеросистемах AlGaInSbBi-InSb.

Доп.точки доступа:
Алфимова, Д. Л.; Лунин, Л. С.; Лунина, М. Л.; Пащенко, А. С.; Пащенко, О. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 28.07.2024
Число запросов	28740
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)