Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=бета (Mn) -легирование<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Излучательные свойства квантовых ям GaAs/InGaAs с барьером GaAs, бета-легированным атомами Mn [Текст] / О. В. Вихрова [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 16-19. . - Библиогр.: c. 19 (7 назв. )

УДК

^a535.376

^a537.871.53

ББК 22.345 + 32.840/841
Рубрики: Физика
   Люминесценция
   Радиоэлектроника
   Теоретические основы радиотехники
Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция -- квантово-размерные гетероструктуры GaAs/InGaAs -- бета (Mn) -легирование -- МОС-гидридная эпитаксия -- лазерное распыление -- квантовые ямы -- фотолюминесценция -- Шоттки барьеры -- барьеры Шоттки -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды
Аннотация: Проведено исследование структурных, электрических и люминесцентных свойств квантово-размерных гетероструктур GaAs/InGaAs, модифицированных бета (Mn) -легированием GaAs-барьера.

Доп.точки доступа:
Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Демина, П. Б.; Дорохин, М. В.; Звонков, Б. Н.; Прокофьева, М. М.; Дроздов, Ю. Н.; Сапожников, М. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Магнитосопротивление структур, содержащих слои MnAs и сильнолегированных марганцем полупроводников A{3}B{5} [Текст] / О. В. Вихрова [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 30-32. . - Библиогр.: c. 32 (4 назв. )

УДК

^a537.632

ББК 22.334
Рубрики: Физика
Магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
магнитосопротивление -- трехслойные структуры -- бета (Mn) -легирование -- МОС-гидридная эпитаксия -- лазерное осаждение -- магнитотранспортные свойства -- полупроводники -- ферромагнетики -- магнитнооптический эффект Керра -- Керра магнитнооптический эффект
Аннотация: Исследовались магнитотранспортные свойства эпитаксильных гетероструктур ферромагнетик/полупроводник на основе ферромагнитных слоев MnAs и GaMnAs, разделенных промежуточным немагнитным слоем полупроводника (InAs либо GaAs).

Доп.точки доступа:
Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Дроздов, Ю. Н.; Звонков, Б. Н.; Кудрин, А. В.; Подольский, В. В.; Сапожников, М. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 22.07.2024
Число запросов	171815
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)