Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=Шоттки диод<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Влияние обработки в парах селена на дефекты приповерхностной области арсенида галия [Текст] / Н. Н. Безрядин [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 4. - С. 72-76. . - Библиогр.: c. 76 (15 назв. )

УДК

^a621

ББК 34.7
Рубрики: Машиностроение
Отраслевое машиностроение
Кл.слова (ненормированные):
GaAs -- арсенид галлия -- диод Шоттки -- метод вольт-амперных характеристик -- метод вольт-фарадных характеристик -- поверхностно-электронные состояния -- приповерхностная область арсенида галлия -- селен -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- Шоттки диод
Аннотация: Методами вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик, изотермической релаксации емкости в диапазоне температур 77-400 К исследовалось влияние обработки поверхности GaAs в парах селена на параметры электронных состояний приповерхностной области GaAs. Результаты электрофизических измерений барьеров Шоттки, полученных на обработанной в селене поверхности GaAs, указывают на снижение плотности поверхностных электронных состояний (ПЭС) и открепление уровня Ферми. При этом происходит генерация дефектов в приповерхностной области, вызывающих компенсацию мелких доноров и характерное для некоторых структур ''перезакрепление'' уровня Ферми.

Доп.точки доступа:
Безрядин, Н. Н.; Котов, Г. И.; Власов, Ю. Н.; Стародубцев, А. А.; Bhatmager, Р. К.; Mathur, Р. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Дунаевский, Г. Е.
Анализ и синтез варакторных удвоителей частоты. [Текст]. Ч. 1. Основные соотношения / Г. Е. Дунаевский, В. И. Перфильев // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 10. - С. 46-52. - Библиогр.: 52 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.373/.374

ББК 32.847
Рубрики: Радиоэлектроника
Импульсные устройства
Кл.слова (ненормированные):
варакторные удвоители частоты -- диод Шоттки -- диодные удвоители частоты -- Шоттки диод -- электромагнитные колебания
Аннотация: Рассмотрены основные режимы работы варакторных удвоителей частоты миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн. Получена замкнутая система соотношений и связей, позволяющая провести их полный анализ и синтез.

Доп.точки доступа:
Перфильев, В. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 29.07.2024
Число запросов	128315
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)