Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска
БД "Книги"
БД "Статьи"
Труды АМГУ
Выпускные квалификационные работы
Антитеррор
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>S=Энергетика -- Техника высоких измерений<.>)
Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Головацкий В.А., Гуцул В.И.
Заглавие : Энергетический спектр электрона в эллиптической квантовой проволоке и эллиптической нанотрубке
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 12. - С. 55-62 (Шифр izph/2006/49/12)
Примечания : Библиогр.: с. 62 (12 назв. )
ISSN: 0021-3411
УДК : 621.3.08 + 621.315.592
ББК : 31.24
Предметные рубрики: Энергетика-- Техника высоких измерений
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): квазичастицы--полупроводниковые нанотрубки--уравнение шредингера--цилиндрические наносистемы--шредингера уравнение--эллиптическая квантовая проволока--эллиптические полупроводниковые нанотрубки--энергетический спектр электрона
Аннотация: В приближении эффективной массы исследован спектр электрона в эллиптической квантовой проволоке (ЭКП) и эллиптической полупроводниковой нанотрубке (ЭПН). Получен точный энергетический спектр электрона в ЭКП и ЭПН GaAs с непроницаемыми стенками и приближенное решение уравнения Шредингера при конечной высоте потенциального барьера в ЭКП GaAs/ A [x]Ga[1-x]As. Показано, что эллиптичность квантовой проволоки и нанотрубки приводит к снятию вырождения энергетического спектра квазичастиц. Зависимости энергий четных и нечетных состояний от соотношения полуосей эллипса имеют немонотонный характер. В предельном случае вырождения эллиптических квантовых проволок и нанотрубок в круговые энергетический спектр квазичастиц совпадает с соответствующим спектром в цилиндрических наносистемах.
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Лаврентьева Л.Г., Вилисова М.Д., Бобровникова И.А., Ивонин И.В., Преображенский В.В., Чалдышев В.В.
Заглавие : Дефекты в слоях GaAs и InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 12. - С. 63-72 (Шифр izph/2006/49/12)
Примечания : Библиогр.: с. 71-72 (34 назв. )
ISSN: 0021-3411
УДК : 621.3.08 + 621.315.592:548.552.22
ББК : 31.24
Предметные рубрики: Энергетика-- Техника высоких измерений
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): дефекты в слоях gaas и ingaas--метод молекулярно-лучевой эпитаксии--морфология ростовой поверхности--отжиг (физика)--электронная микроскопия
Аннотация: В статье обсуждается проблема дефектообразования в слоях GaAs и InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах. Анализируется влияние условий роста (температура, соотношение потоков элементов групп) на морфологию ростовой поверхности, внутреннюю структуру, тип и концентрацию электрически и оптически активных точечных дефектов. Проведено сопоставление процессов дефектообразования в GaAs и InGaAs при росте и последующем отжиге.
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Каримов М.А., Юлдашев Н.Х.
Заглавие : Спектры тока короткого замыкания фотовольтаических пленок CdTe, CdTe: In
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 1. - С. 71-74 (Шифр izph/2007/50/1)
Примечания : Библиогр.: с. 73-74 (6 назв. )
ISSN: 0021-3411
УДК : 621.3.08 + 621.315.592
ББК : 31.24
Предметные рубрики: Энергетика-- Техника высоких измерений
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фотовольтаические пленки cdte, cdte: in--спектральная область--короткое замыкание--спектры тока--примесное поглощение
Аннотация: Обнаружено, что генерация АФН в легированных косонапыленных тонких пленках CdTe: In вызывается светом из спектральной области как собственного, так и примесного поглощения. Проанализирован спектр фототока короткого замыкания в зависимости от температуры.
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Зайнабидинов С., Надыров Д. Э.
Заглавие : Диффузия, растворимость и электрические свойства скандия и празеодима в кремнии
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 1. - С. 75-77 (Шифр izph/2007/50/1)
Примечания : Библиогр.: с. 77 (8 назв. )
ISSN: 0021-3411
УДК : 621.3.08 + 621.315.592.3:546.28{,}65
ББК : 31.24
Предметные рубрики: Энергетика-- Техника высоких измерений
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): акцепторная природа примесей--празеодим--скандий--холла эффект--эффект холла
Аннотация: Впервые проведены комплексные исследования диффузии, растворимости и электрических свойств скандия и празеодима в кремнии при различных средах отжига и для широкого интервала температур (1100-1280 С). Установлены диффузионные параметры, растворимость и выявлена акцепторная природа исследованных примесей в кремнии.
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Марьянчук П.Д., Яблоновская Л.М.
Заглавие : Зонная структура и доминирующие механизмы рассеяния электронов в Hg[1-x-y] Mn[x]Fe[y]Se
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 3. - С. 35-39 (Шифр izph/2007/50/3)
Примечания : Библиогр.: с. 39 (7 назв. )
ISSN: 0021-3411
УДК : 621.3.08 + 621.315.592
ББК : 31.24
Предметные рубрики: Энергетика-- Техника высоких измерений
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): зонные параметры--межзонные переходы--механизмы рассеяния электронов--оптические фононы--рассеяние электронов
Аннотация: В интервале температур T = 77-300 К при H примерно равной 0, 5-6 кЭ исследованы магнитные и кинетические свойства, а также спектры пропускания и поглощения кристаллов Hg[1-х-y]Mn[x]Fe[y]Se[0, 09x0, 099; 0, 001у0, 01). На основе экспериментальных данных определены зонные параметры и установлено, что в исследованных кристаллах при Т
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Хабибуллин И.Х., Шмидт Е.В, Шульгин Д.Е., Матухин В.Л.
Заглавие : Взаимосвязь электрических и магнитных свойств образцов полупроводникового минерала CuFeS[2]
Серия: Краткие сообщения
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 4. - С. 93-94 (Шифр izph/2007/50/4)
Примечания : Библиогр.: с. 94 (5 назв. )
ISSN: 0021-3411
УДК : 621.3.08 + 621.315.6 + 537.3 + 539.1
ББК : 31.24
Предметные рубрики: Энергетика-- Техника высоких измерений
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): антиферромагнитное упорядочение--магнитные полупроводники--спектры ямр cu--халькопирит cufes[2]
Аннотация: Интерес к исследованию магнитных полупроводников со структурой типа халькопирита (CuFeS[2]) связан с их практическим применением в фотоэлектронной энергетике. Присутствие атомов железа в кристаллической структуре халькопирита определяет его принадлежность к магнитным полупроводникам с антиферромагнитным упорядочением. В данной работе проводится исследование спектров ЯМР Cu в локальном поле в образцах природного полупроводникового минерала халькопирита.
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Моисеев А.Г.
Заглавие : Рассеяние носителей заряда на неупорядоченной сетке атомов в изотропном поликристалле кремния p-типа
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 5. - С. 3-12 (Шифр izph/2007/50/5)
Примечания : Библиогр.: с. 12 (24 назв. )
ISSN: 0021-3411
УДК : 621.3.08 + 621.315.592
ББК : 31.24
Предметные рубрики: Энергетика-- Техника высоких измерений
Аннотация: В работе рассматривается новый механизм рассеяния носителей в поликристаллах. Поликристалл представляется как совокупность кристаллитов, ориентированных относительно друг друга произвольным образом, что определяет случайную сетку атомов в пространстве и обуславливает дополнительный механизм рассеяния носителей в поликристалле. Дается расчет подвижности носителей в поликристалле кремния p-типа и приводятся сравнения с результатами эксперимента.
Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 02.07.2024
Число запросов 32110
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)