Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (59)

Труды АМГУ (12)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>S=Физика полупроводников и диэлектриков<.>)

Общее количество найденных документов : 419
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 22.379/К 72
Автор(ы) : Костюков Н.С., Соколова С.М.
Заглавие : Локальное поле в диэлектриках
Место публикации : Вестник Амурского государственного университета. - 2006. - Вып. 35: Естественные и экономические науки. - С. 13-17 (Шифр vamg/2006/35)
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): релаксационная поляризация, упругая составляющая--релаксационные частоты--локальное поле
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 22.379/Л 84
Автор(ы) : Лукичев А.А., Ильина В.В.
Заглавие : Сравнительный анализ спектральных функций для вынужденных резонансных и заторможенных колебаний линейного осциллятора
Место публикации : Вестник Амурского государственного университета. - 2006. - N 35. - С. 17-22 (Шифр vamg/2006/35)
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): спектральная функция, сравнительный анализ--линейный осциллятор--заторможенные колебания, вынужденные резонансные колебания
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 22.379/Л 84
Автор(ы) : Лукичев А.А., Ильина В.В.
Заглавие : Экспоненциальная функция насыщения поляризации
Место публикации : Вестник Амурского государственного университета. - 2006. - Вып. 33: Естественные и экономические науки. - С. 32-34 (Шифр vamg/2006/33)
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диэлектрики, равновесное состояние, переход--внешнее электрическое поле--функция релаксации--поляризация диэлектрика--экспоненциальная функция насыщения--функция ланжевена--петля гитерезиса
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 22.379/Л 84
Автор(ы) : Лукичев А.А., Ильина В.В., Щекина Г.Б.
Заглавие : Моделирование гистерезисных зависимостей для диэлектриков
Место публикации : Вестник Амурского государственного университета. - 2006. - Вып. 33: Естественные и экономические науки. - С. 34-37 (Шифр vamg/2006/33)
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): линейный гитерезис--гитерезисные явления--гитерезисная петля, математическая модель--функция насыщения, изменение--поляризация диэлектрика
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Лукичев А. А., Ильина В. В.
Заглавие : Основные признаки релаксационной поляризации
Место публикации : Электричество. - 2007. - N 12. - С. С. 47-50: 2 рис. (Шифр elec/2007/12)
Примечания : Библиогр.: с. 50 (13 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диэлектрики--поляризация релаксационная--признаки существенные--релаксационная поляризация--существенные признаки
Аннотация: Проанализированы отмеченные на сегодня в литературе признаки и определения релаксационной поляризации. Выделены четыре наиболее существенных признака и сформулировано определение релаксационной поляризации.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Соболев В. Вал., Соболев В. В.
Заглавие : Электронная структура и оптические свойства кристаллов группы III-VI
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 4. - С. С. 524-531 (Шифр ranf/2008/72/4)
Примечания : Библиогр.: c. 530-531 (15 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Аннотация: Определены поляризованные спектры полных комплексов оптических функций кристаллов GaS, GaSe, InSe, GaTe, InS, TlSe в широкой области энергии собственного поглощения.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Чернышов В. Н.
Заглавие : Анализ условий в гетероструктурах
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 1. - С. С. 39-44 (Шифр izph/2008/51/1)
Примечания : Библиогр.: c. 44 (6 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Аннотация: Получены общие соотношения, которым должны удовлетворять матроицы рассеяния, матрицы сшивания для коэффициентов, матрицы переноса и матрицы сшивания для огибающих в системах с гетерограницами. Показано, что найденные соотношения для данных матриц с хорошей точностью выполняются при использовании предложенных моделей для гетероструктуры GaAs/AlAs (001).
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Москаль Д. С., Надточий В. А., Голоденко Н. Н.
Заглавие : Анализ рельефа поверхности GaAs, сформированного воздействием дифракционно-модулированного лазерного излучения
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 11. - С.86-89. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2008/50/11). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 89 (8 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
Физика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кристаллы--дифракционно-модулированные лазерные излучения--дифракционные маски--кластерообразование--точечные дефекты
Аннотация: Исследован рельеф поверхности GaAs, облученной лазером через дифракционные маски разного профиля. Плотность падающей энергии луча не превышала порогового значения. Под действием дифракционно-модулированного лазерного излучения в поверхностном слое кристалла формируются кластеры из точечных дефектов. С помощью теоретических расчетов установлено, что кластерообразование в поверхностном слое происходит в результате перераспределения точечных дефектов. С помощью теоретических расчетов установлено, что кластерообразование в поверхностном слое происходит в результате перераспределения точечных дефектов в периодическом поле термоупругих напряжений.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Рябинкина Л. И., Романова О. Б., Аплеснин С. С.
Заглавие : Сульфидные соединения Me[x]Mn[1-x]S (Me=Cr, Fe, V, Co) : технология, транспортные свойства и магнитное упорядочение
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 8. - С. 1115-1117 (Шифр ranf/2008/72/8)
Примечания : Библиогр.: c. 1117 (9 назв. )
УДК : 537.311.3
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сульфидные соединения--электронные переходы--магнитные переходы--транспортные свойства--магнитное упорядочение--колоссальное магнитосопротивление--проводимость--рентгеноструктурный анализ--me[x]mn[1-x]s--кристаллическая структура
Аннотация: В катионзамещенных сульфидах марганца Me[x]Mn[1-x]S (Me=Cr, Fe, V, Co), синтезированных на основе альфа-MnS, установлены электронные переходы металл-диэлектрик и магнитные переходы антиферромагнитный проводник - ферромагнитный металл.
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кортов В. С., Звонарев С. В.
Заглавие : Моделирование методом Монте-Карло транспорта электронов в заряженных при облучении кристаллических диэлектриках
Место публикации : Математическое моделирование. - 2008. - Т. 20, N 6. - С. 79-85: 3 рис. (Шифр matm/2008/20/6)
Примечания : Библиогр.: с. 85 (17 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): метод монте-карло--монте-карло метод--электроны--кристаллические диэлектрики--диэлектрики
Аннотация: На основе рассмотрения основных физических процессов предложены математическая модель и алгоритм расчета транспорта электронов в заряженных при облучении кристаллических диэлектриках.
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Еремин, Илья Евгеньевич (канд. физ.-мат. наук; доц. каф. ИиУС), Жилиндина, Ольга Викторовна
Заглавие : Методика расчета диэлектрических свойств композиционных электрокерамик
Серия: Физика и материаловедение
Место публикации : Вестник Амурского государственного университета. - 2008. - Вып. 43: Естеств. и экон. науки. - С.19-22: 3 рис.; 2 табл. - ISSN XXXX-XXXX (Шифр vamg/2008/43). - ISSN XXXX-XXXX
Примечания : Библиогр.: с. 22 (6 назв.)
УДК : 539.2 + 537.311.33
ББК : 22.37 + 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Физика полупроводников и диэлектриков
Географич. рубрики:
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): керамика--математические модели--керамические диэлектрики--корундовая керамика--диэлектрические спектры керамики--диэлектрическая проницаемость--композиционные электрокерамики--методики расчета
Аннотация: Рассмотрена разработанная методика, позволяющая достаточно точно имитировать характеристики комплексной диэлектрической проницаемости оксидных керамик, имеющих место в области установления процессов их упругой электронной поляризации.
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Орлов М. Л.
Заглавие : Выходные характеристики короткоканального полевого транзистора In[053], Ga[0, 47], As/In[0, 52], Al[0, 48], As с двумерным электронным газом и особенности генерации им терагерцевого излучения
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 115-118 (Шифр ranf/2009/73/1)
Примечания : Библиогр.: c. 118 (9 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): короткоканальные полевые транзисторы--двумерный электронный газ--терагерцевое излучение--выходные характеристики--резонансная генерация--дрейфовая скорость--циклотронная частота электронов
Аннотация: Проведены измерения излучающих характеристик полевого транзистора.
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Карпович И. А., Хапугин О. Е.
Заглавие : Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах с квантовыми точками и ямами In (Ga) As/GaAs
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 119-122 (Шифр ranf/2009/73/1)
Примечания : Библиогр.: c. 122 (6 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фотомагнитные эффекты--фмэ--гетеронаноструктуры--гнс--эпитаксиальные слои--квантово-размерные слои--гетероэпитаксиальная пассивация
Аннотация: Исследовано влияние на спектры ФМЭ в гетеронаноструктурах встроенных квантово-размерных слоев и места их расположения в структуре.
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Прудаев И. А., Хлудков С. С.
Заглавие : Диффузия и растворимость электрически активных атомов железа в арсениде галлия
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 11. - С. 39-41 (Шифр izph/2008/51/11)
Примечания : Библиогр.: c. 41 (8 назв. )
УДК : 621.78 + 537.311.33
ББК : 34.65 + 22.379
Предметные рубрики: Машиностроение
Упрочнение металлов
Физика полупроводников и диэлектриков
Физика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): арсенид галлия--диффузия железа--коэффициент диффузии--температурная зависимость
Аннотация: Исследована диффузия железа в GaAs при давлении паров мышьяка 1 атм. Определены температурные зависимости коэффициента диффузии и растворимости электрически активных атомов железа в GaAs. Зависимости описываются уравнениями Аррениуса со следующими параметрами для коэффициента диффузии: Do = 1, 61 см2/с, Е = (2, 16 + 0, 47) эВ; для растворимости: N~ = 4, 62 1023 см'З, Es = (1, 61 + 0, 16) эВ. Полученные экспериментальные результаты сравниваются с ранее опубликованными данными. Показано, что концентрация электрически активных атомов железа примерно в 2 раза меньше общей концентрации железа в GaAs.
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Вайсбурд Д. И., Евдокимов К. Е.
Заглавие : Эффект Пуля - Френкеля в диэлектрике при наносекундном облучении электронным пучком умеренной и высокой плотности тока
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 12. - С. 10-16 (Шифр izph/2008/51/12)
Примечания : Библиогр.: c. 15-16 (15 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диэлектрики--интенсивные электронные пучки--ионизация донорного центра--прыжковая проводимость--термические флуктуации--туннелирование--эффект пуля - френкеля
Аннотация: Процессы захвата и освобождения с ловушек во многом определяют интенсивные процессы, возникающие в диэлектрике с задержкой 1-100 нс относительно импульса облучения мощным наносекундным электронным пучком, такие, как мощная электронная эмиссия, электрический разряд по поверхности и в объеме диэлектрика, электрический пробой. Построена модель ионизации заряженного донорного центра в диэлектрике в сильном электрическом поле. Модель учитывает: 1) энергетический спектр заряженного донорного центра в диэлектрике; 2) квазиклассическую плотность состояний в донорном центре; 3) спонтанное испускание фононов электроном в центре; 4) рост кинетической энергии (разогрев) электрона во внешнем электрическом поле; 5) туннелирование электрона через потенциальный барьер и отражение от барьера в зависимости от напряженности внешнего поля; 6) термические флуктуации энергии электрона в центре. Проведен расчет вероятности в единицу времени ионизации заряженного донорного центра в диэлектрике. В слабых полях зависимость вероятности ионизации от поля почти совпадает с таковой для теории Пуля - Френкеля. В сильных полях решающим является вклад разогрева электрона во внешнем электрическом поле.
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Брудный В. Н., Кособуцкий А. В., Колин Н. Г.
Заглавие : Уровень зарядовой нейтральности и закрепление уровня Ферми в нитридах A{3}N (BN, AIN, GaN, InN)
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 12. - С. 24-31 (Шифр izph/2008/51/12)
Примечания : Библиогр.: c. 31 (37 назв. )
УДК : 537.3 + 537.311.33
ББК : 22.332 + 22.379
Предметные рубрики: Физика
Электрический ток
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нитриды--радиационные дефекты--химпотенциал--энергетический спектр
Аннотация: На основе теории функционала плотности (DFT-GGA) рассчитаны энергетические спектры и положение уровня зарядовой нейтральности (CNL) в соединениях BN, A1N, GaN и InN кубической и гексагональной модификаций. Показано, что с ростом атомного веса катиона в соединении имеет место смещение уровня CNL из положения вблизи середины запрещенной зоны (33) в BN и A1N в верхнюю половину 33 в GaN и в область разрешенных энергий зоны проводимости в InN, что определяет полуизолирующие свойства BN и AIN, п-тип проводимости GaN и п{+}-тип проводимости InN при насыщении данных материалов собственными дефектами решетки за счет жесткого радиационного воздействия.
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тимохин В. М.
Заглавие : Исследование туннельного эффекта и диэлектрических параметров в кристаллах -LiIO[3]
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 2. - С. 39-42 (Шифр izph/2009/52/2)
Примечания : Библиогр.: c. 42 (15 назв. )
УДК : 539.2 + 537.311.33
ББК : 22.37 + 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диэлектрическая проницаемость--лазерные монокристаллы иодата лития--протонная проводимость--релаксатор--туннельный эффект--фактор диэлектрических потерь
Аннотация: Исследованы температурно-частотные спектры альфа-LiIO [3] лазерных монокристалловиодата лития в диапазоне температур 77-450 К и частот 5-10 {8] Гц. Анализ этих спектров и диаграмм Коула-Коула показал наличие туннелирования носителей заряда и существование нескольких видов релаксаторов. Определен диапазон температур существования туннельного эффекта.
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тимохин В. М.
Заглавие : Механизм диэлектрической релаксации и протонная проводимость в наноструктуре альфа-LilО[3]
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 3. - С. 46-50 (Шифр izph/2009/52/3)
Примечания : Библиогр.: с. 50 (15 назв. )
УДК : 537.2 + 539.2 + 537.311.33
ББК : 22.331 + 22.37 + 22.379
Предметные рубрики: Физика
Электростатика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диэлектрическая проницаемость--наноструктуры--протонная проводимость--релаксатор--туннельный эффект--фактор диэлектрических потерь--энергия активации
Аннотация: Исследовались термостимулированные токи деполяризации, в результате анализа которых разработан механизм диэлектрической релаксации в кристаллах альфа -LilО[3], имеющего расстояние между узлами решетки порядка 0, 55 нм. Этот механизм обусловлен образованием дефектов H[3]0{+} и 0H{-} в результате смещения протона вдоль валентной связи в молекулах воды и последующей его миграции посредством туннелирования как внутри ионов IO[3], так и между этими ионами в соседних слоях. Кроме того, поставщиками протонов являются протонодонорные примеси НlО[3] и Нl[3]О[8]. Дано объяснение появления отрицательного максимума термостимулированных токов деполяризации, обусловленного ложными петлями гистерезиса, связанными с отставанием проводимости.
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Еремеев С. В., Бакулин А. В., Кулькова С. Е.
Заглавие : Электронная структура и спиновая поляризация на границе раздела NiMnSb/GaAs (110)
Серия: Электронные свойства твердых тел
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 2. - С. 393-399 (Шифр zhtf/2009/136/2)
Примечания : Библиогр.: с. 399
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): спиновая поляризация--атомы--поляризация--структуры--свойства--граница раздела--электронная структура--магнитные свойства границы раздела--конфигурации контактных атомов--контактные атомы
Аннотация: В рамках теории функционала электронной плотности на основе первых принципов проведен расчет электронной структуры и магнитных свойств границы раздела между сплавом NiMnSb и GaAs в зависимости от конфигурации контактных атомов.
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Звонков Б. Н., Субботин И. А., Чуев М. А., Пашаев Э. М., Фарзетдинова Р. М., Рыльков В. В., Аронзон Б. А., Лайхо Р., Мейлихов Е. З., Давыдов А. Б., Лихачев И. А., Лашкул А. В., Панков М. А.
Заглавие : Ферромагнитный переход в структурах GaAs/Mn/GaAs/In[x]Ga[1-x]As/GaAs с двумерным дырочным газом
Серия: Электронные свойства твердых тел
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 2. - С. 346-355 (Шифр zhtf/2009/136/2)
Примечания : Библиогр.: с. 354-355
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): двумерный дырочный газ--дырочный газ--газы--марганец--структуры--свойства--квантовая яма--ферромагнитный переход--транспортные свойства структур
Аннотация: Исследованы транспортные свойства структур GaAs/Mn/GaAs/In[x]Ga[1-x]As/GaAs с удаленным от квантовой ямы слоем примесей Mn в диапазоне их содержаний 4-10 ат. %, которые соответствуют повторному переходу метал-изолятор, наблюдаемому в объемном GaAsMn.
Найти похожие

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

Тематический навигатор

Статистика за 10.07.2024
Число запросов	155400
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)