Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:БД "Книги" (59)Труды АМГУ (12)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>S=Физика полупроводников и диэлектриков<.>)
Общее количество найденных документов : 419
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-40   41-60   61-80   81-100   101-120      
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Закирьянов Д. О., Чернышев В. А., Закирьянова И. Д., Ярославцева Т. В.
Заглавие : Ab initio расчет структуры и оптических свойств оксигалогенидов свинца Pb[3]O[2]X[2] (X =Cl, Br, I)
Серия: Диэлектрики
Место публикации : Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 4. - С.695-705: 12 рис., 16 табл. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2017/59/4). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (13 назв.)
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кристаллические структуры--оксигалогениды свинца--оптические свойства--свинец--фононные спектры
Аннотация: Получены сведения о кристаллической структуре, рассчитаны фононные спектры и оптические свойства оксигалогенидов Pb[3]O[2]Br[2] и Pb[3]O[2]I[2].
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Abdullah B. J.
Заглавие : Diameter Dependence of Band Gap of Single-Walled Boron Nitride Nanotubes
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 8. - С.1075. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2021/63/8). - ISSN 0367-3294
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотрубки--нитрид бора--теория функционала плотности--энергетическая запрещенная зона
Аннотация: Электронная структура одностенных нанотрубок из нитрида бора исследуется с помощью теории функционала плотности в рамках HSE06.
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Almi K., Lakel S.
Заглавие : Pressure Dependence of Structural, Electronic, and Optical Properties of Be[0.25]Zn[0.75]O Alloy
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2020. - Т. 62, вып. 2. - С.222. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2020/62/2). - ISSN 0367-3294
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): высокое давление--оптические свойства--показатели преломления--теория функционала плотности--электронные свойства
Аннотация: Структурные, электронные и оптические свойства сплава Be[0, 25]Zn[0, 75]O в зависимости от давления были исследованы с использованием теории функционала плотности из первых принципов в приближении обобщенного градиента.
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Chowdhury Uttam Kumar, Saha Tapas Chandra
Заглавие : An ab-initio Investigation: The physical properties of ScIr[2] Superconductor
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 4. - С.659. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2019/61/4). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (31 назв.). - Полный текст ст. опубликован в журн. "Physics of the Solid"
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сверхпроводники--свойства сверхпроводников--физические свойства сверхпроводников
Аннотация: Используя метод ab initio, были исследованы физические свойства сверхпроводника ScIr[2].
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Shaheen A., Qabajeh S., Khattari Z., Al-Jundi J., Aqili A., Salman F.
Заглавие : Effect of Sodium Iodide Dopant Concentration on the Electrical Behavior of AgPO[3] Glassy Networks
Серия: Диэлектрики
Место публикации : Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 6. - С.747. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2021/63/6). - ISSN 0367-3294
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ac-проводимость--nai--диэлектрическая проницаемость--импедансная спектроскопия--ионное соединение
Аннотация: Ионное и диэлектрическое поведение систем (AgPO[3]) [ (1-x) ] - NaI[x] (x = 0, 0, 02, 0, 04,..., 0, 14) тестировали в диапазоне частот 1-10{6} Гц при различных температурах с использованием методов импедансной спектроскопии.
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Ferracioli R. T., Rodrigues C. G., Luzzi R.
Заглавие : Anisotropic Carrier Transport in n-Doped 6H-SiC
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2020. - Т. 62, вып. 1. - С.90. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2020/62/1). - ISSN 0367-3294
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): 6h-sic--анизотропный перенос заряда--легированные полупроводники--легированный полупроводник 6h-sic--полупроводники--скорость дрейфа
Аннотация: Представлено исследование переноса заряда в легированном полупроводнике 6H-SiC n-типа с использованием неравновесной квантовой кинетической теории.
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Gassoumi M.
Заглавие : Conductance Deep-Level Transient Spectroscopy and Current Transport Mechanisms in Au|Pt|n-GaN Schottky Barrier Diodes
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2020. - Т. 62, вып. 4. - С.555. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2020/62/4). - ISSN 0367-3294
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): algan--gan--шоттки диоды--диапазон температур 40-325 k--диоды шоттки--механизмы переноса тока--переходная спектроскопия
Аннотация: Механизмы переноса тока в барьерных диодах Шоттки Au|Pt|n-GaN исследуются в интервале температур 40-325 K.
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Ghosh S., Dubey S., Jain K.
Заглавие : Temporal Instability of Acoustic Wave in a Semiconductor Plasma Medium under Momentum Mismatched Condition
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2020. - Т. 62, вып. 4. - С.554. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2020/62/4). - ISSN 0367-3294
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): акустические волны--временные эффекты--несовпадение импульсов--плазменная неустойчивость--плазменная среда--полупроводниковая плазменная среда--пьезоэлектрические полупроводники
Аннотация: Рассмотрены дисперсионные и коэффициенты усиления акустической волны, генерируемой в пьезоэлектрической полупроводниковой плазменной среде с несовпадающим импульсом.
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Gordeeva T., Kulnitskiy B., Popov M., Ovsyannikov D., Blank V.
Заглавие : High-Pressure Si Phases and the Mutual Orientation of Their Structures. HRTEM Studies
Серия: Полупроводники
Разночтения заглавия :: HRTEM Studies
Место публикации : Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 6. - С.729. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2021/63/6). - ISSN 0367-3294
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): si-фазы высокого давления--давление--кремний--планетарная мельница--пластическая деформация--просвечивающая электронная микроскопия--фазовое превращение--электронная микроскопия
Аннотация: В результате исследований просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения кремния, обработанного в планетарной мельнице в присутствии алмазного порошка, были обнаружены фазы высокого давления: Si-III, Si-IV и Si-IX.
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Salem A., Mohammed J. A., Hussein S. A., Salwa A. S.
Заглавие : Investigation of Thermoelectric Power of CuInGaTe[2] Single Crystals
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2020. - Т. 62, вып. 1. - С.91. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2020/62/1). - ISSN 0367-3294
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): cigt--монокристаллы cigt--термоэлектрическая мощность--халькопиритовые полупроводники--электропроводность
Аннотация: Экспериментально исследовано разнообразие электропроводности и термоэлектрической мощности монокристаллов CIGT.
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Padhy M., Choudhary R. N. P., Achary P. G. R.
Заглавие : Electrical and Dielectric Characteristics of BiSmO[3]
Серия: Диэлектрики
Место публикации : Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 9. - С.1381. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2021/63/9). - ISSN 0367-3294
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диэлектрическая спектроскопия--диэлектрические характеристики--импеданс--проводимость--редкоземельные элементы--электрические характеристики
Аннотация: Изучены структурные и детальные электрические (диэлектрические, импедансные и электропроводные) свойства перовскитов BiSmO[3].
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Pathak A., Meena M., Tripathi S.
Заглавие : Performance Analysis of Graphene-Coated GaAs SPR Sensor for Detection of DNA Hybridization
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 3. - С.374. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2021/63/3). - ISSN 0367-3294
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): gaas--spr-сенсоры--буферный солевой раствор--гибридизация днк--графеновые покрытия--поверхностные плазмонные волны
Аннотация: Представлен численный анализ возникновения гибридизации ДНК на GaAs SPR-сенсоре с графеновым покрытием.
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Rahmati Ali Abad M., Farjami Shayesteh S., Farjami Shayesteh H.
Заглавие : Effect of Synthesis Conditions on the Structural, Photocatalic, and Self-Cleaning Properties of TiO[2] Nanoparticles
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2020. - Т. 62, вып. 1. - С.92. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2020/62/1). - ISSN 0367-3294
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наночастицы анатаза--полиэтиленгликоль--самоочищение (физика)--синтез--фотокаталитики
Аннотация: Свойства синтезированного TiO[2] были охарактеризованы методами XRD, EDX, FESEM, FTIR и UV-Vis.
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Rastegaralam, Mina, Rastegaralam, Mitra
Заглавие : Solvent-Dependent Thermoelectric Performance of PC[70]BM
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 10. - С.1483. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2021/63/10). - ISSN 0367-3294
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): зеебека коэффициент--коэффициент зеебека--коэффициент мощности--метиловый эфир--растворители--термоэлектрические характеристики--электропроводность
Аннотация: Исследование показывает, как использование различных растворителей приводит к получению различных значений коэффициента термоэлектрической мощности и коэффициента полезного действия для PC[70]BM.
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Wu C. H., Shi Y. J., Lu F., Jia X. S., Su J. R., He H., Cai B.
Заглавие : Ruddlesden - Popper type La[1.5-xEu[x]Pr[0.5]Ni[0.9]Cu[0.1]O[4+delta] as a Potential Cathode Material for H-SOFCs
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 5. - С.616. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2021/63/5). - ISSN 0367-3294
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): h-sofc--радлесдена - поппера фазы--катоды--коэффициент теплового расширения--легирование eu--тепловое расширение--фазы радлесдена - поппера--электропроводность
Аннотация: В качестве потенциального катодного материала синтезирован и исследован оксид La[1. 5-xEu[x]Pr[0. 5]Ni[0. 9]Cu[0. 1]O[4+delta] (LEPNC-x, x = 0, 0, 1, 0, 2, 0, 3, 0, 4, 0, 6 и 0, 8).
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Aoun Y., Meneceur R., Benramached S., Maaoui B.
Заглавие : Sprayed NiO-Doped p-Type Transparent ZnO Thin Films Suitable for Gas-Sensing Devices
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2020. - Т. 62, вып. 1. - С.93. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2020/62/1). - ISSN 0367-3294
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): nio-легирование--zno--проводящие оксиды--распылительный пневматический метод--тонкие пленки zno
Аннотация: Изучено влияние содержания NiO (0, 1, 2, 3 и 6 ат. %) на структурные, оптические и электрические свойства тонких пленок ZnO, легированных NiO.
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Goyal C. P., Goyal D., Ramgir N. S., Navaneethan M., Hayakawa Y., Muthamizhchelvan C., Ikeda H., Ponnusamy S.
Заглавие : Surface Modification of ZnO Nanowires with CuO: a Tool to Realize Highly-Sensitive H[2]S Sensor
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 3. - С.375. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2021/63/3). - ISSN 0367-3294
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): cuo--zno--pn-гетеропереходы--газоочистка--нанопроволоки--ультратонкий слой cuo
Аннотация: Поверхность нанопроволок из ZnO модифицирована ультратонким слоем CuO.
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Rahman М. А., Akter M. R., Khatun М., Sultana R., Sarker M. A.
Заглавие : Synthesis and Characterization of High-Quality Polycrystalline Sample NiV[2]O[6] by Solid-State Reaction Technique
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2020. - Т. 62, вып. 6. - С.914. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2020/62/6). - ISSN 0367-3294
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): метод твердотельных реакций--оптические свойства--поликристаллы--твердотельные реакции--электронные свойства
Аннотация: Результаты исследования поликристаллического образца NiV[2]O[6], полученного методом твердотельных реакций.
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Xue С., Zhang J., Lu X., Geng M., Huang T., Zhang T., Gu D., Shen L., Wang L.
Заглавие : The Optical Blueshift Saturation Behavior of Mg[x]Zn[1-x]O Films
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 10. - С.1484. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2021/63/10). - ISSN 0367-3294
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): урбаха энергия--люминесценция--оптическое синее смещение--смещение пленок--состояние хвоста зоны--энергия урбаха
Аннотация: Анализируя результаты зависящих от состава спектров рентгеновской дифракции, изображений сканирующей электронной микроскопии, спектров поглощения и спектров CL, кристаллическое структурное расстройство было определено с помощью значения энергии Урбаха.
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Аванесян В. Т., Пайма К. И.
Заглавие : Диэлектрический отклик легированных кристаллов Bi[12]TiO[20] : Ru в переменном электрическом поле
Серия: Диэлектрики
Место публикации : Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 8. - С.1510-1512: 4 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2016/58/8). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (19 назв.)
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диэлектрический отклик--кристаллы силленита--легированные кристаллы--переменное электрическое поле--рутений--силленит--электрическое поле
Аннотация: Приведены результаты исследования частотных зависимостей емкости и тангенса угла диэлектрических потерь кристаллов силленита Bi[12]TiO[20], легированных рутением.
Найти похожие

 1-20    21-40   41-60   61-80   81-100   101-120      
 
Статистика
за 10.09.2024
Число запросов 46814
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)