Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (59)

Труды АМГУ (12)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>S=Физика полупроводников и диэлектриков<.>)

Общее количество найденных документов : 419
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

22.379
Л 84

Лукичев, А. А.
Экспоненциальная функция насыщения поляризации [Текст] / А.А. Лукичев, В.В. Ильина // Вестник Амурского государственного университета. - 2006. - Вып. 33 : Естественные и экономические науки. - С. 32-34

ББК 22.379
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрики, равновесное состояние, переход -- внешнее электрическое поле -- функция релаксации -- поляризация диэлектрика -- экспоненциальная функция насыщения -- функция Ланжевена -- петля гитерезиса

Доп.точки доступа:
Ильина, В.В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 5 : аб. (2), ч.з. (1), эн.ф. (1), н.з. (1)
Свободны: аб. (2), ч.з. (1), эн.ф. (1), н.з. (1)

Найти похожие

22.379
Л 84

Лукичев, А. А.
Моделирование гистерезисных зависимостей для диэлектриков [Текст] / А.А. Лукичев, В.В. Ильина, Г.Б. Щекина // Вестник Амурского государственного университета. - 2006. - Вып. 33 : Естественные и экономические науки. - С. 34-37

ББК 22.379
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
линейный гитерезис -- гитерезисные явления -- гитерезисная петля, математическая модель -- функция насыщения, изменение -- поляризация диэлектрика

Доп.точки доступа:
Ильина, В.В.; Щекина, Г.Б.

Имеются экземпляры в отделах: всего 5 : аб. (2), ч.з. (1), эн.ф. (1), н.з. (1)
Свободны: аб. (2), ч.з. (1), эн.ф. (1), н.з. (1)

Найти похожие

22.379
К 72

Костюков, Н. С.
Локальное поле в диэлектриках [Текст] / Н.С. Костюков, С.М. Соколова // Вестник Амурского государственного университета. - 2006. - Вып. 35 : Естественные и экономические науки. - С. 13-17

ББК 22.379
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
релаксационная поляризация, упругая составляющая -- релаксационные частоты -- локальное поле

Доп.точки доступа:
Соколова, С.М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 5 : ч.з. (1), эн.ф. (1), н.з. (1), аб. (2)
Свободны: ч.з. (1), эн.ф. (1), н.з. (1), аб. (2)

Найти похожие

22.379
Л 84

Лукичев, А. А.
Сравнительный анализ спектральных функций для вынужденных резонансных и заторможенных колебаний линейного осциллятора [Текст] / А.А. Лукичев, В.В. Ильина // Вестник Амурского государственного университета. - 2006. - N 35. - С. 17-22

ББК 22.379
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
спектральная функция, сравнительный анализ -- линейный осциллятор -- заторможенные колебания, вынужденные резонансные колебания

Доп.точки доступа:
Ильина, В.В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 5 : ч.з. (1), эн.ф. (1), н.з. (1), аб. (2)
Свободны: ч.з. (1), эн.ф. (1), н.з. (1), аб. (2)

Найти похожие

Москаль, Д. С.
Анализ рельефа поверхности GaAs, сформированного воздействием дифракционно-модулированного лазерного излучения [Текст] / Д. С. Москаль, В. А. Надточий, Н. Н. Голоденко // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 11. - С. 86-89. - Библиогр.: c. 89 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
Физика
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- дифракционно-модулированные лазерные излучения -- дифракционные маски -- кластерообразование -- точечные дефекты
Аннотация: Исследован рельеф поверхности GaAs, облученной лазером через дифракционные маски разного профиля. Плотность падающей энергии луча не превышала порогового значения. Под действием дифракционно-модулированного лазерного излучения в поверхностном слое кристалла формируются кластеры из точечных дефектов. С помощью теоретических расчетов установлено, что кластерообразование в поверхностном слое происходит в результате перераспределения точечных дефектов. С помощью теоретических расчетов установлено, что кластерообразование в поверхностном слое происходит в результате перераспределения точечных дефектов в периодическом поле термоупругих напряжений.

Доп.точки доступа:
Надточий, В. А.; Голоденко, Н. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Лукичев, А. А.
Основные признаки релаксационной поляризации [Текст] / Лукичев А. А., Ильина В. В. // Электричество. - 2007. - N 12. - С. 47-50 : 2 рис. - Библиогр.: с. 50 (13 назв. )

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрики -- поляризация релаксационная -- признаки существенные -- релаксационная поляризация -- существенные признаки
Аннотация: Проанализированы отмеченные на сегодня в литературе признаки и определения релаксационной поляризации. Выделены четыре наиболее существенных признака и сформулировано определение релаксационной поляризации.

Доп.точки доступа:
Ильина, В. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

Вайсбурд, Д. И.
Эффект Пуля - Френкеля в диэлектрике при наносекундном облучении электронным пучком умеренной и высокой плотности тока [Текст] / Д. И. Вайсбурд, К. Е. Евдокимов // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 12. - С. 10-16. . - Библиогр.: c. 15-16 (15 назв. )

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрики -- интенсивные электронные пучки -- ионизация донорного центра -- прыжковая проводимость -- термические флуктуации -- туннелирование -- эффект Пуля - Френкеля
Аннотация: Процессы захвата и освобождения с ловушек во многом определяют интенсивные процессы, возникающие в диэлектрике с задержкой 1-100 нс относительно импульса облучения мощным наносекундным электронным пучком, такие, как мощная электронная эмиссия, электрический разряд по поверхности и в объеме диэлектрика, электрический пробой. Построена модель ионизации заряженного донорного центра в диэлектрике в сильном электрическом поле. Модель учитывает: 1) энергетический спектр заряженного донорного центра в диэлектрике; 2) квазиклассическую плотность состояний в донорном центре; 3) спонтанное испускание фононов электроном в центре; 4) рост кинетической энергии (разогрев) электрона во внешнем электрическом поле; 5) туннелирование электрона через потенциальный барьер и отражение от барьера в зависимости от напряженности внешнего поля; 6) термические флуктуации энергии электрона в центре. Проведен расчет вероятности в единицу времени ионизации заряженного донорного центра в диэлектрике. В слабых полях зависимость вероятности ионизации от поля почти совпадает с таковой для теории Пуля - Френкеля. В сильных полях решающим является вклад разогрева электрона во внешнем электрическом поле.

Доп.точки доступа:
Евдокимов, К. Е.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Прудаев, И. А.
Диффузия и растворимость электрически активных атомов железа в арсениде галлия [Текст] / И. А. Прудаев, С. С. Хлудков // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 11. - С. 39-41. . - Библиогр.: c. 41 (8 назв. )

УДК

^a621.78

^a537.311.33

ББК 34.65 + 22.379
Рубрики: Машиностроение
   Упрочнение металлов
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Физика
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- диффузия железа -- коэффициент диффузии -- температурная зависимость
Аннотация: Исследована диффузия железа в GaAs при давлении паров мышьяка 1 атм. Определены температурные зависимости коэффициента диффузии и растворимости электрически активных атомов железа в GaAs. Зависимости описываются уравнениями Аррениуса со следующими параметрами для коэффициента диффузии: Do = 1, 61 см2/с, Е = (2, 16 + 0, 47) эВ; для растворимости: N~ = 4, 62 1023 см'З, Es = (1, 61 + 0, 16) эВ. Полученные экспериментальные результаты сравниваются с ранее опубликованными данными. Показано, что концентрация электрически активных атомов железа примерно в 2 раза меньше общей концентрации железа в GaAs.

Доп.точки доступа:
Хлудков, С. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Брудный, В. Н.
Уровень зарядовой нейтральности и закрепление уровня Ферми в нитридах A{3}N (BN, AIN, GaN, InN) [Текст] / В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий, Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 12. - С. 24-31. . - Библиогр.: c. 31 (37 назв. )

УДК

^a537.3

^a537.311.33

ББК 22.332 + 22.379
Рубрики: Физика
Электрический ток
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
нитриды -- радиационные дефекты -- химпотенциал -- энергетический спектр
Аннотация: На основе теории функционала плотности (DFT-GGA) рассчитаны энергетические спектры и положение уровня зарядовой нейтральности (CNL) в соединениях BN, A1N, GaN и InN кубической и гексагональной модификаций. Показано, что с ростом атомного веса катиона в соединении имеет место смещение уровня CNL из положения вблизи середины запрещенной зоны (33) в BN и A1N в верхнюю половину 33 в GaN и в область разрешенных энергий зоны проводимости в InN, что определяет полуизолирующие свойства BN и AIN, п-тип проводимости GaN и п{+}-тип проводимости InN при насыщении данных материалов собственными дефектами решетки за счет жесткого радиационного воздействия.

Доп.точки доступа:
Кособуцкий, А. В.; Колин, Н. Г.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Время жизни носителей заряда в высокохромном GaAs, легированном диффузией хрома [Текст] / Д. Л. Будницкий [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 5. - С. 84-88. - Библиогр.: с. 87-88 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.315.55/.58

^a537.311.33

ББК 31.232 + 22.379
Рубрики: Проводниковые материалы и изделия
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Физика
   Энергетика
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- диффузия хрома -- носители заряда -- полупроводники -- приемники ионизирующего излучения -- фотопроводимость монокристаллов -- фотоэлектрические свойства материалов
Аннотация: Использование высокоомного (ВО) GaAs для формирования прием ников ионизирующих излучений стимулирует исследования его физических свойств. Изучение фотоэлектрических свойств позволяет установить механизмы рекомбинации носителей заряда и особенности их транспорта в электрических полях, оценить времена жизни. В работе представлены результаты исследований Фотопроводимости и фотоэффекта Холла в высокоомном GaAs, легированном диффузией хрома. Установлено, что типичная люкс-амперная характеристика (ЛАХ) состоит из сверхлинейного и сублинейного участков. Изучено изменение холловской подвижности при освещении. Сделан ряд упрощений и оценены времена жизни электронов (тау n) и дырок (тау p) для высокого и низкого уровней возбуждения. Установлено, что тау p > тау n. Показано, что фотоэлектрические свойства ВО GaAs: Cr могут быть объяснены с помощью модели "искривленных" зон. Высказано предположение о трансформации потенциальных барьеров при фотовозбуждении.

Доп.точки доступа:
Будницкий, Д. Л.; Новиков, В. А.; Толбанов, О. П.; Прудаев, Д. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

11.

Еремин, Илья Евгеньевич (канд. физ.-мат. наук; доц. каф. ИиУС).
Методика расчета диэлектрических свойств композиционных электрокерамик [Текст] / И. Е. Еремин, О. В. Жилиндина // Вестник Амурского государственного университета. - 2008. - Вып. 43 : Естеств. и экон. науки. - С. 19-22 : 3 рис.; 2 табл. - Библиогр.: с. 22 (6 назв.) . - ISSN XXXX-XXXX

УДК

^A539.2

^A537.311.33

ББК 22.37 + 22.379
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
керамика -- математические модели -- керамические диэлектрики -- корундовая керамика -- диэлектрические спектры керамики -- диэлектрическая проницаемость -- композиционные электрокерамики -- методики расчета
Аннотация: Рассмотрена разработанная методика, позволяющая достаточно точно имитировать характеристики комплексной диэлектрической проницаемости оксидных керамик, имеющих место в области установления процессов их упругой электронной поляризации.

Доп.точки доступа:
Жилиндина, Ольга Викторовна (ассистент каф. ИиУС)

Имеются экземпляры в отделах: всего 5 : аб. (2), н.з. (1), эн.ф. (1), ч.з. (1)
Свободны: аб. (2), н.з. (1), эн.ф. (1), ч.з. (1)

Найти похожие

12.

Рябинкина, Л. И.
Сульфидные соединения Me[x]Mn[1-x]S (Me=Cr, Fe, V, Co) : технология, транспортные свойства и магнитное упорядочение [Текст] / Л. И. Рябинкина, О. Б. Романова, С. С. Аплеснин // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 8. - С. 1115-1117. . - Библиогр.: c. 1117 (9 назв. )

УДК

^a537.311.3

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
сульфидные соединения -- электронные переходы -- магнитные переходы -- транспортные свойства -- магнитное упорядочение -- колоссальное магнитосопротивление -- проводимость -- рентгеноструктурный анализ -- Me[x]Mn[1-x]S -- кристаллическая структура
Аннотация: В катионзамещенных сульфидах марганца Me[x]Mn[1-x]S (Me=Cr, Fe, V, Co), синтезированных на основе альфа-MnS, установлены электронные переходы металл-диэлектрик и магнитные переходы антиферромагнитный проводник - ферромагнитный металл.

Доп.точки доступа:
Романова, О. Б.; Аплеснин, С. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

13.

Чернышов, В. Н.
Анализ условий в гетероструктурах [Текст] / В. Н. Чернышов // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 1. - С. 39-44. - Библиогр.: c. 44 (6 назв. )

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
гетерограницы -- гетероструктуры -- граничные условия в гетероструктурах -- метод матрицы рассеяния
Аннотация: Получены общие соотношения, которым должны удовлетворять матроицы рассеяния, матрицы сшивания для коэффициентов, матрицы переноса и матрицы сшивания для огибающих в системах с гетерограницами. Показано, что найденные соотношения для данных матриц с хорошей точностью выполняются при использовании предложенных моделей для гетероструктуры GaAs/AlAs (001).

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : з.п. (1)
Свободны: з.п. (1)

Найти похожие

14.

Соболев, В. Вал.
Электронная структура и оптические свойства кристаллов группы III-VI [Текст] / В. Вал. Соболев, В. В. Соболев // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 4. - С. 524-531. - Библиогр.: c. 530-531 (15 назв. )

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
электронная структура -- оптические свойства -- кристаллы -- теоретические расчеты -- параметры переходов -- энергия собственного поглощения -- поляризованные спектры
Аннотация: Определены поляризованные спектры полных комплексов оптических функций кристаллов GaS, GaSe, InSe, GaTe, InS, TlSe в широкой области энергии собственного поглощения.

Доп.точки доступа:
Соболев, В. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

15.

Кортов, В. С.
Моделирование методом Монте-Карло транспорта электронов в заряженных при облучении кристаллических диэлектриках [Текст] / В. С. Кортов, С. В. Звонарев // Математическое моделирование. - 2008. - Т. 20, N 6. - С. 79-85. : 3 рис. - Библиогр.: с. 85 (17 назв. )

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- электроны -- кристаллические диэлектрики -- диэлектрики
Аннотация: На основе рассмотрения основных физических процессов предложены математическая модель и алгоритм расчета транспорта электронов в заряженных при облучении кристаллических диэлектриках.

Доп.точки доступа:
Звонарев, С. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

16.

Любутин, И. С.
Современные достижения в исследовании фазовых превращений в оксидах 3d-металлов при высоких и сверхвысоких давлениях [Текст] / И. С. Любутин, А. Г. Гаврилюк // Успехи физических наук. - 2009. - Т. 179, N 10. - С. 1047-1078. : 21 рис. - Библиогр.: с. 1076-1078 (179 назв. )

ГРНТИ	29.19.33
УДК	^a539.21:537	^a537.311.33

ББК 22.373 + 22.379
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
магнитные системы -- диэлектрики -- фазовые переходы -- переходы диэлектрик-металл -- сверхвысокие давления -- кристаллические структуры -- спиновые состояния -- электронные состояния
Аннотация: В магнитных системах с сильными электронными корреляциями теория предсказывает индуцированный давлением фазовый переход диэлектрик-металл, который сопровождается коллапсом локализованного магнитного момента и структурным фазовым переходом.

Доп.точки доступа:
Гаврилюк, А. Г.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

17.

Сибатов, Р. Т.
Дробно-дифференциальный подход к описанию дисперсионного переноса в полупроводниках [Текст] / Р. Т. Сибатов, В. В. Учайкин // Успехи физических наук. - 2009. - Т. 179, N 10. - С. 1079-1104. : 15 рис. - Библиогр.: с. 1103-1104 (91 назв. )

ГРНТИ	29.19.31
УДК	^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
дробно-дифференциальные подходы -- полупроводники -- дисперсионные переносы -- автомодельность -- кинетические уравнения
Аннотация: Излагается новый подход к описанию дисперсионного переноса в неупорядоченных полупроводниках, основанный на уравнениях с производными дробного порядка. Установлена связь автомодельности дисперсионного переноса, устойчивых предельных распределений и кинетических уравнений с дробными производными.

Доп.точки доступа:
Учайкин, В. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

18.

Костюков, Н. С.
Частотные характеристики диэлектриков [Текст] / Костюков Н. С., Соколова С. М. // Электричество. - 2009. - N 4. - С. 2-11. : 2 рис. - Библиогр.: с. 11 (14 назв. )

УДК

^a537.311.33

^a621.315.6

ББК 22.379 + 31.234
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Энергетика
   Электроизолирующие материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
время релаксации -- высоковольтная поляризация -- дисперсия -- диэлектрики -- поляризация -- резонансная частота -- релаксационная поляризация -- релаксация -- упругая поляризация -- уравнение вынужденных колебаний -- частота резонансная -- частотные характеристики
Аннотация: Рассматривается возможность физического анализа поляризационных процессов в диэлектриках в трех основных областях - упругой электронной и ионной, релаксационной и высоковольтной, на базе единой теории вынужденных колебаний с затуханием. Тип колебаний определяется резонансной частотой, массой колеблющихся частиц и коэффициентом затухания. В области релаксационных частот, характерной для электротехники, диэлектрические характеристики определяются размером области релаксации и в зависимости от технологии изготовления диэлектриков из стекла и керамики, могут изменяться на порядки.

Доп.точки доступа:
Соколова, С. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (заказ статей по ЭДД) (1)
Свободны: эн.ф. (заказ статей по ЭДД) (1)

Найти похожие

19.

Электромеханические характеристики матричных пьезоэлектрических композитов, кристаллизованных при воздействии плазмы электрического разряда [Текст] / Курбанов М. А. [и др. ] // Электричество. - 2009. - N 7. - С. 39-45. : 6 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 44-45 (18 назв. )

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
воздействие плазменное -- композиты матричные -- композиты пьезоэлектрические -- кристаллизация композитов -- матричные композиты -- плазменное воздействие -- пьезоэлектрические композиты -- характеристики электромеханические -- электрические разряды -- электромеханические характеристики -- электротермоплазменная кристаллизация
Аннотация: Исследованы электромеханические характеристики матричных пьезоэлектрических композитов, кристаллизованных при одновременном воздействии температуры и плазмы электрического разряда в газовой среде, ограниченной диэлектриками. Показано, что плазменная кристаллизация композитов приводит к существенному изменению структуры полимерной матрицы, усилению межфазных взаимодействий, увеличению физико-механических параметров и значений электромеханических критериев эффективности преобразователей на их основе.

Доп.точки доступа:
Курбанов, М. А.; Алиев, Г. Г.; Кулиева, Г. Х.; Султанахмедова, И. С.; Гейдаров, Г. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

20.

Спин-стекольные эффекты в твердых растворах Co[x]Mn[1-x]S [Текст] / С. С. Аплеснин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 7. - С. 1021-1023. . - Библиогр.: c. 1023 (8 назв. )

УДК

^a537.311.3

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
Co[x]Mn[1-x]S -- гистерезис сопротивления -- мультиферроики -- намагниченность -- орбитально-зарядовое упорядочение -- переходы металл-диэлектрик -- спиновое стекло -- спин-стекольные эффекты -- твердые растворы -- температурная зависимость -- физические свойства -- эффект колоссального магнитосопротивления
Аннотация: Проведены измерения намагниченности, сопротивления, диэлектрической проницаемости, коэффициента теплового расширения катионзамещенных сульфидов Co[x]Mn[1-x]S.

Доп.точки доступа:
Аплеснин, С. С.; Рябинкина, Л. И.; Романова, О. Б.; Бандурина, О. Н.; Горев, М. В.; Балаев, А. Д.; Еремин, Е. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

Тематический навигатор

Статистика за 29.06.2024
Число запросов	28396
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)