Поисковый запрос: (<.>S=Физика полупроводников и диэлектриков<.>) |
Общее количество найденных документов : 419
Показаны документы с 1 по 20 |
|
1.
| Костюков Н.С. Локальное поле в диэлектриках/Н.С. Костюков, С.М. Соколова // Вестник Амурского государственного университета, 2006,N Вып. 35:Естественные и экономические науки.-С.13-17
|
2.
| Лукичев А.А. Сравнительный анализ спектральных функций для вынужденных резонансных и заторможенных колебаний линейного осциллятора/А.А. Лукичев, В.В. Ильина // Вестник Амурского государственного университета, 2006,N N 35.-С.17-22
|
3.
| Лукичев А.А. Экспоненциальная функция насыщения поляризации/А.А. Лукичев, В.В. Ильина // Вестник Амурского государственного университета, 2006,N Вып. 33:Естественные и экономические науки.-С.32-34
|
4.
| Лукичев А.А. Моделирование гистерезисных зависимостей для диэлектриков/А.А. Лукичев, В.В. Ильина, Г.Б. Щекина // Вестник Амурского государственного университета, 2006,N Вып. 33:Естественные и экономические науки.-С.34-37
|
5.
| Лукичев А. А. Основные признаки релаксационной поляризации/Лукичев А. А., Ильина В. В. // Электричество, 2007,N N 12.-С.С. 47-50
|
6.
| Соболев В. Вал. Электронная структура и оптические свойства кристаллов группы III-VI/В. Вал. Соболев, В. В. Соболев // Известия РАН. Серия физическая, 2008. т.Т. 72,N N 4.-С.С. 524-531
|
7.
| Чернышов В. Н. Анализ условий в гетероструктурах/В. Н. Чернышов // Известия вузов. Физика, 2008. т.Т. 51,N N 1.-С.С. 39-44
|
8.
| Москаль Д. С. Анализ рельефа поверхности GaAs, сформированного воздействием дифракционно-модулированного лазерного излучения/Д. С. Москаль, В. А. Надточий, Н. Н. Голоденко // Известия вузов. Физика, 2007. т.Т. 50,N N 11.-С.86-89
|
9.
| Рябинкина Л. И. Сульфидные соединения Me[x]Mn[1-x]S (Me=Cr, Fe, V, Co) : технология, транспортные свойства и магнитное упорядочение/Л. И. Рябинкина, О. Б. Романова, С. С. Аплеснин // Известия РАН. Серия физическая, 2008. т.Т. 72,N N 8
|
10.
| Кортов В. С. Моделирование методом Монте-Карло транспорта электронов в заряженных при облучении кристаллических диэлектриках/В. С. Кортов, С. В. Звонарев // Математическое моделирование, 2008. т.Т. 20,N N 6
|
11.
| Еремин И. Е. Методика расчета диэлектрических свойств композиционных электрокерамик/И. Е. Еремин, О. В. Жилиндина // Вестник Амурского государственного университета, 2008,N Вып. 43:Естеств. и экон. науки.-С.19-22
|
12.
| Орлов М. Л. Выходные характеристики короткоканального полевого транзистора In[053], Ga[0, 47], As/In[0, 52], Al[0, 48], As с двумерным электронным газом и особенности генерации им терагерцевого излучения/М. Л. Орлов // Известия РАН. Серия физическая, 2009. т.Т. 73,N N 1
|
13.
| Карпович И. А. Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах с квантовыми точками и ямами In (Ga) As/GaAs/И. А. Карпович, О. Е. Хапугин // Известия РАН. Серия физическая, 2009. т.Т. 73,N N 1
|
14.
| Прудаев И. А. Диффузия и растворимость электрически активных атомов железа в арсениде галлия/И. А. Прудаев, С. С. Хлудков // Известия вузов. Физика, 2008. т.Т. 51,N N 11
|
15.
| Вайсбурд Д. И. Эффект Пуля - Френкеля в диэлектрике при наносекундном облучении электронным пучком умеренной и высокой плотности тока/Д. И. Вайсбурд, К. Е. Евдокимов // Известия вузов. Физика, 2008. т.Т. 51,N N 12
|
16.
| Брудный В. Н. Уровень зарядовой нейтральности и закрепление уровня Ферми в нитридах A{3}N (BN, AIN, GaN, InN)/В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий, Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика, 2008. т.Т. 51,N N 12
|
17.
| Тимохин В. М. Исследование туннельного эффекта и диэлектрических параметров в кристаллах -LiIO[3]/В. М. Тимохин // Известия вузов. Физика, 2009. т.Т. 52,N N 2
|
18.
| Тимохин В. М. Механизм диэлектрической релаксации и протонная проводимость в наноструктуре альфа-LilО[3]/В. М. Тимохин // Известия вузов. Физика, 2009. т.Т. 52,N N 3
|
19.
| Еремеев С. В. Электронная структура и спиновая поляризация на границе раздела NiMnSb/GaAs (110)/С. В. Еремеев, А. В. Бакулин, С. Е. Кулькова // Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2009. т.Т. 136,N вып. 2
|
20.
| Ферромагнитный переход в структурах GaAs/Mn/GaAs/In[x]Ga[1-x]As/GaAs с двумерным дырочным газом/М. А. Панков [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2009. т.Т. 136,N вып. 2
|
|
|
|
БД "Книги"
Стандартный
Главная
Описание
Шлюз Z39.50