Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:БД "Книги" (27)Выпускные квалификационные работы (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>S=Полупроводниковые приборы<.>)
Общее количество найденных документов : 57
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-57 
1.


    Макушин , М.
    Государство и полупроводниковая промышленность - заботливый опекун курочки рябы [Текст] : зарубежный опыт / М. Макушин // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2002. - № 6. - С. 60 - 65
ББК 32.852
Рубрики: Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
Промышленность полупроводниковая -- Стимулирование наукоемких производств -- Финансовая помощь -- Налоговые льготы -- Таможенное регулирование

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : з.п. (1)
Свободны: з.п. (1)

Найти похожие

2.


   
    Исследование возможности состояния детекторов мощных рентгеновских импульсов наносеундной длительности на арсениде галлия [Текст] / Г. И. Айзенштат [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 9. - С. 14-18. . - Библиогр.: с. 18 (6 назв. )
УДК
ББК 32.85 + 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
   Электроника в целом

   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
GaAs-детекторы -- арсенид галлия -- детекторы рентгеновских импульсов -- рентгеновские детекторы -- рентгеновские импульсы
Аннотация: Дnя детектирования мощных рентгеновских импульсов наносекундной длительности предложено использовать детекторы из полуизолирующего арсенида галлия, компенсированного хромом. Источником импульсного рентгеновского излучения служила рентгеновская установка на основе малогабаритного электронного ускорителя прямого действия "Синус-150", созданного в Институте сильноточной электроники СО РАН г. Томска. Показано, что детекторы способны детектировать без искажений импульсы длительностью порядка 5 нс при экспозиционной дозе более 30 мР за один импульс. При этом через активную область детектора площадью 0, 2 см{2} протекали амперные токи. Установлено, что физические процессы, ограничивающие работоспособность детекторов на арсениде галлия, связаны с процессами захвата неравновесных электронов и дырок на глубокие центры. При концентрациях неравновесных носителей, превышающих значения 5 10{13} см{3}, в активной области формируются неравномерные распределения электрического поля, которые могут привести, в конечном счете, к искажению формы выходного сигнала с детектора.


Доп.точки доступа:
Айзенштат, Г. И.; Афанасьев, К. В.; Лелеков, М. А.; Ростов, В. В.; Толбанов, О. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

3.


    Воторопин, С. Д.
    Анализ автодинного эффекта радиоимпульсного генератора с частотной модуляцией [Текст] / С. Д. Воторопин, В. Я. Носков, С. М. Смольский // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 7. - С. 80-88. . - Библиогр.: c. 88 (10 назв. )
УДК
ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
автодинные генераторы -- автодины -- Ганна диоды -- диоды Ганна -- радиоимпульсные генераторы -- частотные модуляции
Аннотация: Представлены результаты исследований автодинного генератора с одновременной импульсной и частотной модуляцией, находящегося под воздействием собственного отражённого излучения. Получены основные соотношения для анализа автодинного отклика в зависимости от величины времени запаздывания отражённого излучения при произвольном законе модуляции частоты. Рассмотрены особенности автоколебаний таких автодинов, позволяющих улучшить характеристики и расширить функциональные возможности автодинных систем ближней радиолокации. Результаты анализа подтверждены созданными экспериментальными образцами автодинных датчиков на основе генераторов на диодах Ганна миллиметрового диапазона, использующих описанные принципы действия.


Доп.точки доступа:
Носков, В. Я.; Смольский, С. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

4.


   
    Профили распределения дефектов в варизонных слоях гетероэпитаксиальных структур p-НgСdТе при ионно-лучевом травлении [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 9. - С. 51-56. . - Библиогр.: c. 56 (10 назв. )
УДК
ББК 32 + 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника в целом
   Радиоэлектроника

   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
варизонные слои -- гетероэпитаксиальные структуры -- ионно-лучевое травление -- полупроводники -- фотоприемные устройства
Аннотация: Представлены результаты исследований по пространственному распределению донорных центров в варизонных слоях HgCdTe р-типа с различным профилем состава в приповерхностной области после ионно-лучевого травления. Обнаружено, что глубина п{+}-слоя, образующегося после облучения, слабо зависит от режимов ионно-лучевого травления и состава поверхности материала и составляет величину 0, 5-1 мкм. С увеличением времени травления наблюдается рост концентрации электронов в п{+}-слое на поверхности. Показано, что режимы ионно-лучевого травления и состав приповерхностной области существенно влияют только на глубину п{-} -слоя с низкой концентрацией электронов. Анализ экспериментальных данных показывает, что процесс ионно-лучевого травления в гетероэпитаксиальных структурах p-НgСdТе с градиентом состава в приповерхностной области отличен от травления в однородных эпитаксиальных структурах и кристаллах HgCdTe.


Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Волков, В. С.; Григорьев, Д. В.; Ижнин, И. И.; Коротаев, А. Г.; Коханенко, А. П.; Посяцк, М.; Средин, В. Г.; Талипов, Н. Х.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

5.


    Воторопин, С. Д.
    Анализ автодинного эффекта генераторов с линейной частотной модуляцией [Текст] / Воторопин С. Д., Носков В. Я., Смольский С. М. // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 6. - С. 54-60 . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 32.852
Рубрики: Полупроводниковые приборы
   Радиоэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
автодинный эффект генераторов -- автоколебания автодинов -- генераторы с линейной частотной модуляцией -- полупроводниковые диоды
Аннотация: Получены общие выражения для автодинного отклика при произвольном законе частотной модуляции как по цепи смещения активного элемента, так и при изменении напряжения на варикапе. Представлены результаты исследований автодинного генератора с линейной частотной модуляцией по несимметричному и симметричному пилообразным законам, находящегося под воздействием собственного отраженного излучения. Рассмотрены особенности автоколебаний таких автодинов, позволяющих улучшить характеристики и расширить функциональные возможности автодинных систем ближней радиолокации. Экспериментальные результаты получены для генераторного модуля <Тигель-08ЧМ>, выполненного по гибридно-интегральной технологии на диоде Ганна миллиметрового диапазона.


Доп.точки доступа:
Носков, В. Я.; Смольский, С. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

6.


    Нудельман, Р.
    Led, Oled, Toled и все такое прочее [Текст] / Р. Нудельман // Знание-сила. - 2008. - N 2. - С. 71-73.
УДК
ББК 32.852 + 32.854
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы

   Фотоэлектрические приборы

Кл.слова (ненормированные):
светоизлучающие диоды -- СИД -- LED -- OLED -- TOLED -- Light Emmiting Divice -- ПСИД -- полимерные СИДы -- светящиеся покрытия
Аннотация: О светоизлучающих диодах.


Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

7.


   
    Особенности ядерно-физического эксперимента на космических аппаратах с длительным сроком активного функционирования [Текст] / М. В. Анохин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 7. - С. 1031-1034. : Рис. - Библиогр.: c. 1034 (4 назв. )
УДК
ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
ионизирующее облучение -- радиационная стойкость -- космические аппараты -- ядерно-физические эксперименты -- радиационная защита -- радиационные поля -- вероятностно-микродозиметрическая методика -- спектры линейной передачи энергии -- прибор с зарядовой связью ЛЕВ
Аннотация: Несмотря на привлечение значительных сил и средств к обеспечению радиационной стойкости космической аппаратуры, срок активного функционирования космических приборов и бортовой астрофизической аппаратуры в значительной степени ограничивается воздействием ионизирующего облучения космического пространства.


Доп.точки доступа:
Анохин, М. В.; Галкин, В. И.; Добриян, М. Б.; Дубов, А. Е.; Малков, А. К.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

8.


    Носов, Юрий.
    Страсти по транзистору [Текст] : оратория в трех частях с прологом и эпилогом / Ю. Носов // Знание-сила. - 2008. - N 12. - С. 95-102. . - Окончание. Нач.: N 11
УДК
ББК 32.852 + 32г
Рубрики: Полупроводниковые приборы
   История радиоэлектроники

   Радиоэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
транзисторы -- изобретение транзисторов
Аннотация: История изобретения транзистора.


Доп.точки доступа:
Шокли, У. (физик)

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

9.


    Скибицкая, Н. А.
    Методика исследования в растровом электронном микроскопе матричной нефти [Текст] / Н. А. Скибицкая, В. А. Кузьмин, А. В. Гаршев // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 11. - С. 1567-1570. : рис. - Библиогр.: c. 1570 (7 назв. )
УДК
ББК 22.338 + 32.852
Рубрики: Физика
   Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях

   Радиоэлектроника

   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
растровые электронные микроскопы -- карбонатные минерально-органические полимеры -- матричная нефть -- карбонатные породы -- локальные возмущения -- уравнения Ландау-Лифшица -- Ландау-Лифшица уравнения
Аннотация: Предложены методы исследования сколов пород в РЭМ при различных ускоряющих напряжениях, позволяющие идентифицировать матричную нефть за счет выделения фазы с высоким содержанием легких элементов (углерода).


Доп.точки доступа:
Кузьмин, В. А.; Гаршев, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.


    Казьмирук, В. В.
    Сканирующие электронные микроскопы МикроСкан серии МС20 [Текст] / В. В. Казьмирук // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 11. - С. 1550-1553. : рис. - Библиогр.: c. 1553 (2 назв. )
УДК
ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
сканирующие электронные микроскопы -- микролитографы -- системные модули -- видеоконтрольные устройства -- электронно-лучевая литография -- принцип модульности -- ионно-оптические системы
Аннотация: В ИПТМ РАН разработана новая серия сканирующих электронных микроскопов (СЭМ) МикроСкан-МС20. Основная их отличительная особенность - модульность конструкции абсолютно всех узлов и систем, что позволило достичь высокого уровня унификации.


Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-57 
 
Статистика
за 19.08.2024
Число запросов 48525
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)