Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска
БД "Книги"
БД "Статьи"
Труды АМГУ
Выпускные квалификационные работы
Антитеррор
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=эпитаксиальные слои<.>)
Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Карпович И. А., Хапугин О. Е.
Заглавие : Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах с квантовыми точками и ямами In (Ga) As/GaAs
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 119-122 (Шифр ranf/2009/73/1)
Примечания : Библиогр.: c. 122 (6 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фотомагнитные эффекты--фмэ--гетеронаноструктуры--гнс--эпитаксиальные слои--квантово-размерные слои--гетероэпитаксиальная пассивация
Аннотация: Исследовано влияние на спектры ФМЭ в гетеронаноструктурах встроенных квантово-размерных слоев и места их расположения в структуре.
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Новиков А. В., Багаев В. С., Кривобок В. С., Мартовицкий В. П.
Заглавие : Распределение германия в слоях Si[1-x]Ge[x] (x0. 1), выращенных на подложке Si (001), в зависимости от их толщины
Серия: Электронные свойства твердых тел
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 6. - С.1154-1169. - ISSN 0044-4510 (Шифр zhtf/2009/136/6). - ISSN 0044-4510
Примечания : Библиогр.: с. 1168-1169
УДК : 530.1
ББК : 22.31
Предметные рубрики: Теоретическая физика
Физика
Аннотация: Исследовано распределение германия в слоях Si[1-x]Ge[x] (x0. 1), выращенных на подложке Si (001), в зависимости от их толщины.
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кютт Р. Н.
Заглавие : О роли вторичной экстинкции при измерении интегральной интенсивности рентгенодифракционных пиков и определении толщины нарушенных эпитаксиальных слоев
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 6. - С.1058-1064: 4 рис., 2 табл. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2016/58/6). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (18 назв.)
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вторичная экстинкция--нарушенные эпитаксиальные слои--рентгенодифракционные пики--экстинкция--эпитаксиальные слои
Аннотация: Измерены интегральные интенсивности рентгенодифракционных отражений для серии эпитаксиальных слоев AIII-нитридов (GaN, AlN, AlGaN), выращенных на разных подложках и имеющих разную степень структурного совершенства.
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кудрин А. В., Данилов Ю. А., Лесников В. П., Вихрова О. В., Павлов Д. А., Усов Ю. В., Питиримова Е. А., Антонов И. Н.
Заглавие : Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной
Серия: Физика поверхности, тонкие пленки
Место публикации : Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 11. - С.2200-2202: 3 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2017/59/11). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (8 назв.)
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом --Россия --Нижний Новгород, 2017 г.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): infesb--кюри температура--кристаллография в целом--температура кюри--эпитаксиальные слои
Аннотация: Исследования показали, что слои InFeSb являются монокристаллическими и не содержат нановключений дополнительной фазы.
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кютт Р. Н.
Заглавие : Распределение интенсивности трехволновой дифракции от дислокационных эпитаксиальных слоев в обратном пространстве
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 4. - С.691-695: 3 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2018/60/4). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (11 назв.)
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): gan--zno--дислокационные эпитаксиальные слои--дифракция--трехволновая дифракция--эпитаксиальные слои
Аннотация: Экспериментально исследована трехволновая дифракция рентгеновских лучей в сильнонарушенных эпитаксиальных слоях GaN и ZnO.
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Давыдов С. Ю., Посредник О. В.
Заглавие : О природе красного сдвига G-пика раман-спектра в эпитаксиальном двумерном слое
Серия: Физика поверхности, тонкие пленки
Место публикации : Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 4. - С.550-553: рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2021/63/4). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (22 назв.)
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): g-пик--давление--красный сдвиг--кристаллография в целом--раман-спектр--силовые константы--температура--фононы--эпитаксиальные слои
Аннотация: В модели, исключающей наличие деформации на контакте монослоя и подложки, рассмотрена роль межплоскостного упругого взаимодействия.
Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 10.07.2024
Число запросов 149912
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)