Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска
БД "Книги"
БД "Статьи"
Труды АМГУ
Выпускные квалификационные работы
Антитеррор
Область поиска
 Найдено в других БД:БД "Книги" (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=электрон-электронное взаимодействие<.>)
Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Ткачев Е.Н., Романенко А.И., Аникеева О.Б., Буряков Т.И., Федоров В.Е., Назаров А.С., Макотченко В.Г., Кузнецов В.Л., Усольцева А.Н.
Заглавие : Разделение вкладов эффектов слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия в проводимость углеродных наноструктур
Серия: Наноструктуры и низкоразмерные системы
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, N 1. - С. 250-254 (Шифр zhtf/2007/132/1)
Примечания : Библиогр.: с. 254
ISSN: 0044-4510
УДК : 530.1
ББК : 22.31
Предметные рубрики: Физика-- Теоретическая физика
Аннотация: Исследовано разделение вкладов эффектов слабой локализации и электрон-электронного воздействия в проводимость углеродных наноструктур.
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Миронов А. Ю., Гатилов П. Ю., Батурина Т. И.
Заглавие : Влияние беспорядка на осцилляции магнитосопротивления в наноперфорированных сверхпроводящих пленках TiN
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. С. 158-161 (Шифр ranf/2008/72/2)
Примечания : Библиогр.: c. 161 (11 назв. )
УДК : 538.9
ББК : 22.3
Предметные рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Аннотация: Представлены результаты исследования низкотемпературных транспортных свойств наноперфорированных сверхпроводящих пленок TiN.
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Германенко А. В., Миньков Г. М., Рут О. Э., Шерстобитов А. А.
Заглавие : Ренормализация вклада электрон-электронного взаимодействия в проводимость двумерного электронного газа
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 1. - С.81-83. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2010/74/1). - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: c. 83 (8 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Аннотация: Экспериментально исследован вклад электрон-электронного взаимодействия в проводимость двумерного электронного газа в квантовых ямах In[x]Ga[1-x]As с различной степенью беспорядка.
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Иванин К. В., Леонтьев А. В., Лобков В. С., Сафиуллин Г. М., Самарцев В. В.
Заглавие : Фемтосекундная когерентная спектроскопия четырехволнового смешения и фотонного эха в гетероструктуре GaAs/AlGaAs при комнатной температуре
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 3. - С.333-337. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2012/76/3). - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: c. 337 (22 назв. )
УДК : 535.2
ББК : 22.343
Предметные рубрики: Физика
Физическая оптика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктура gaas/algaas--двумерный вырожденный электронный газ--наведенные спиновые решетки--спинтроника--фемтосекундная когерентная спектроскопия--фотонное эхо--электронный газ--электрон-электронное взаимодействие--эхо-спектроскопия
Аннотация: Представлены результаты экспериментов по когерентной фемтосекундной спектроскопии в слое двумерного электронного газа на границе гетероперехода GaAs/AlGaAs при комнатной температуре. Получены кривые спада первичного фемтосекундного фотонного эха. Время спада когерентности в двумерном электронном газе сильно зависит от мощности возбуждающего импульса и варьируется от 36 до 54 фс. Впервые исследована зависимость времени дефазировки от мощности возбуждающих импульсов при комнатной температуре. Установлено, что эта зависимость удовлетворяет закону T[2] ~ N{-0. 22}, который отличается от закона T[2] ~ N{-1}, характерного для неэкранированного электрон-электронного взаимодействия в кристаллах полупроводников. Анализ показал, что наряду с электрон-электронным взаимодействием велика роль и электрон-фононного взаимодействия. Исследованы наведенные спиновые “решетки” в гетероструктуре GaAs/AlGaAs с целью возможного их использования в спинтронике.
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Chubukov A. V., Abanov A.
Заглавие : Pairing by a dynamical interaction in a metal
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2021. - Т. 159, вып. 4. - С.708-710. - ISSN 0044-4510 (Шифр zhtf/2021/159/4). - ISSN 0044-4510
Примечания : Библиогр.: с. 710 (31 назв.). - Contribution for the JETP special issue in honor of I. E. Dzyaloshinskii's 90th birthday
УДК : 530.1
ББК : 22.31
Предметные рубрики: Физика
Теоретическая физика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): динамическое взаимодействие--квантово-критические точки--металлы--спаривание электронов--электрон-электронное взаимодействие
Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 30.07.2024
Число запросов 105013
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)