Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>K=химпотенциал<.>)

Общее количество найденных документов : 1

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Брудный В. Н., Кособуцкий А. В., Колин Н. Г.
Заглавие : Уровень зарядовой нейтральности и закрепление уровня Ферми в нитридах A{3}N (BN, AIN, GaN, InN)
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 12. - С. 24-31 (Шифр izph/2008/51/12)
Примечания : Библиогр.: c. 31 (37 назв. )
УДК : 537.3 + 537.311.33
ББК : 22.332 + 22.379
Предметные рубрики: Физика
Электрический ток
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нитриды--радиационные дефекты--химпотенциал--энергетический спектр
Аннотация: На основе теории функционала плотности (DFT-GGA) рассчитаны энергетические спектры и положение уровня зарядовой нейтральности (CNL) в соединениях BN, A1N, GaN и InN кубической и гексагональной модификаций. Показано, что с ростом атомного веса катиона в соединении имеет место смещение уровня CNL из положения вблизи середины запрещенной зоны (33) в BN и A1N в верхнюю половину 33 в GaN и в область разрешенных энергий зоны проводимости в InN, что определяет полуизолирующие свойства BN и AIN, п-тип проводимости GaN и п{+}-тип проводимости InN при насыщении данных материалов собственными дефектами решетки за счет жесткого радиационного воздействия.
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 29.07.2024
Число запросов	122570
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)