Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=фотонно-кристаллические структуры<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Тимошенко, Ю. К.
Исследование влияния дисперсии диэлектрической проницаемости на спектры пропускания одномерных дефектных фотонно-кристаллических сред на основе кремния [Текст] / Ю. К. Тимошенко, В. А. Шунина, Ю. В. Смирнов // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 9. - С. 1308-1310. . - Библиогр.: c. 1310 (5 назв. )

УДК

^a539.2:535.34

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
спектры пропускания -- диэлектрическая проницаемость -- фотонно-кристаллические структуры -- теория фотонных кристаллов -- дисперсия -- дефекты -- стоп-зоны
Аннотация: Методом матриц переноса с учетом зависимости диэлектрической проницаемости от частоты рассчитаны спектры пропускания конечных фотонно-кристаллических структур Si/a-SiO[2] с дефектом.

Доп.точки доступа:
Шунина, В. А.; Смирнов, Ю. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Елисеева, С. В.
Локализация поля в одномерной фотонно-кристаллической структуре на дефекте инверсионного типа [Текст] / С. В. Елисеева [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 7. - С. 72-77 : рис. - Библиогр.: c. 77 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

^a535.33

ББК 22.37 + 22.344
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Спектроскопия
Кл.слова (ненормированные):
локализация электромагнитного поля -- фотонно-кристаллические структуры -- фотонные кристаллы
Аннотация: Исследуется модификация спектра пропускания и распределения волнового поля в одномерном фотонном кристалле с одиночным и двойным дефектом инверсионного типа. Показано, что при наличии дефекта в зоне непропускания бездефектного кристалла образуется узкая мини-зона пропускания. При этом в области дефекта происходит существенная локализация поля, зависящая от типа дефекта, его положения и числа полных периодов в структуре. Формирование двойного дефекта инверсии приводит к появлению в спектре двух дефектных мини-зон и перераспределению волнового поля в структуре.

Доп.точки доступа:
Семенцов, Д. И.; Остаточников, В. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 07.09.2024
Число запросов	19739
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)