Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:БД "Книги" (6)Труды АМГУ (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=фотолюминесценция<.>)
Общее количество найденных документов : 106
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-40   41-60   61-80   81-100   101-106 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Филатов Д. О., Круглова М. В., Исаков М. А., Сипрова С. В., Марычев М. О., Шенгуров В. Г., Светлов С. П., Чалков В. Ю., Денисов С. А.
Заглавие : Морфология и фотолюминесценция самоформирующихся нанокластеров GeSi/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде германа
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. С. 268-271 (Шифр ranf/2008/72/2)
Примечания : Библиогр.: c. 271 (13 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Аннотация: Исследованы зависимости морфологии и спектров фотолюминесценции (ФЛ) гетероструктур GeSi/Si (001) с самоформирующимися нанокластерами, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH[4], от условий роста.
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Домашевская Э. П., Кашкаров В. М., Середин П. В., Терехов В. А., Турищев С. Ю., Арсентьев И. Н., Улин В. П.
Заглавие : Исследования пористого InP методами рентгеновской дифракции, ИК-спектроскопии, УМРЭС, XANES и ФЛ
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 4. - С. С. 470-473 (Шифр ranf/2008/72/4)
Примечания : Библиогр.: c. 473 (6 назв. )
УДК : 538.975
ББК : 22.3
Предметные рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Аннотация: Проведены комплексные исследования методами рентгеновской дифракции и ИК-спектроскопии, ультрамягкой рентгеновской спектроскопии (УМРЭС), спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения (XANES - X-ray absorption near edge structure) и фотолюминесценции (ФЛ) слоев пористого фосфида индия (por-InP), полученных анодным импульсным электрохимическим травлением монокристаллических пластин InP (100) n-типа проводимости (n~10{18}).
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Терехов В. А., Кашкаров В. М., Турищев С. Ю., Панков К. Н., Володин В. А., Ефремов М. Д., Марин Д. В., Черков А. Г., Горяйнов С. В., Корчагин А. И., Черепков В. В., Лаврухин А. В., Фадеев С. Н., Салимов Р. А., Бардаханов С. П.
Заглавие : Структура, фазовый состав и оптические свойства нанопорошков кремния
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 4. - С. С. 532-535: Рис. (Шифр ranf/2008/72/4)
Примечания : Библиогр.: c. 535 (6 назв. )
УДК : 539.216
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Аннотация: Методами электронной микроскопии, комбинированного рассеяния света, спектроскопии фотолюминесценции, рентгеновской эмиссионной спектроскопии и спектроскопии ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения исследованы нанопорошки, полученные распылением кремния мощным электронным пучком в атмосферах N[2] и Ar.
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Иванов С. В., Торопов А. А., Кулаковский В. Д., Максимов А. А., Пашков А. В., Бричкин А. С., Тартаковский И. И.
Заглавие : Долгоживущие локализованные магнитные поляроны в сверхрешетках второго типа ZnMnSe/ZnSSe
Серия: Электронные свойства твердых тел
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 133: вып. 6. - С. С. 1290-1297: 8 рис. (Шифр zhtf/2008/133/6)
Примечания : Библиогр.: с. 1297
УДК : 530.1
ББК : 22.31
Предметные рубрики: Физика
Теоретическая физика
Аннотация: Изучена кинетика и поляризованные спектры низкотемпературной фотолюминесценции полумагнитных полупроводниковых сверхрешеток второго типа на основе ZnMnSe/ZnSSe.
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Семенов В. В., Золотарева Н. В., Клапшина Л. Г., Горшков О. Н., Касаткин А. П., Антонов И. Н., Михайлов А. Н., Сидоренко К. В., Треушников В. М., Треушников В. В., Домрачев Г. А.
Заглавие : Спектрально-люминесцентные свойства малодефектных органических стекол, депонированных трис (бензоилтрифторацетонат) европием
Серия: Физическая химия
Место публикации : Доклады Академии наук. - 2008. - Т. 420, N 6, июнь. - С. С. 781-787: 4 рис., 2 табл., 1 схема (Шифр dran/2008/420/6)
Примечания : Библиогр.: с. 787
УДК : 535.37
ББК : 22.345
Предметные рубрики: Физика
Люминесценция
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): органические стекла--органические полимеры--трис (бензоилтрифторацетонат) европия--рездкоземельные металлы--люминесцирующие редкоземельные металлы--фотолюминесценция европия
Аннотация: Представлена первая попытка получения двух типов (жесткого и мягкого) прозрачных стекол с инкорпорированным в них комплексом редкоземельного металла - трис (бензоилтрифторацетонат) европия.
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Запуниди С. А., Паращук Д. Ю.
Заглавие : Тушение фотолюминесценции через резонансный перенос энергии в смеси сопряженного полимера с низкомолекулярным акцептором
Серия: Статистическая, нелинейная физика, физика "мягкой материи"
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 134, вып. 6. - С. 1257-1268 (Шифр zhtf/2008/134/6)
Примечания : Библиогр.: с. 1267-1268
УДК : 530.1
ББК : 22.31
Предметные рубрики: Физика
Теоретическая физика
Аннотация: Развита модель тушения фотолюминесценции через резонансный перенос энергии в смеси сопряженного полимера с низкомолекулярным акцептором.
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Бузынин Ю. Н., Дроздов Ю. Н., Дроздов М. Н., Лукьянов А. Ю., Хрыкин О. И., Бузынин А. Н., Лукьянов А. Е., Рау Э. И., Лукьянов Ф. А.
Заглавие : Гетероэпитаксиальные пленки GaN на подложках кремния с буферными слоями на основе пористого материала
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 11. - С. 1583-1587 (Шифр ranf/2008/72/11)
Примечания : Библиогр.: c. 1587 (21 назв. )
УДК : 621.385
ББК : 32.851
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Аннотация: Для эпитаксии GaN на подложках Si разработаны новые сложные буферные слои на основе пористого материала.
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кравец В. Г.
Заглавие : Спектры фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света наноструктур SnO[x], легированных ионами самария
Место публикации : Оптика и спектроскопия. - 2007. - Т. 103, N 5. - С. 790-795 (Шифр opsp/2007/103/5)
УДК : 535.37
ББК : 22.345
Предметные рубрики: Физика
Люминесценция
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наночастицы--sno[x]--ионы самария--фотолюминесценция--комбинационое рассеяние света
Аннотация: Представлены результаты исследований фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света наночастицами SnO[x], осажденными из газовой фазы. Спектры фотолюминесценции характеризуются двухполосной структурой. Высокоэнергетическая полоса в области 300-350 нм связана с аннигиляцией экситонной пары и может характеризовать изменение ширины запрещенной зоны в нанокристаллах SnO[x] в зависимости от их диаметра. В красной области спектра 600-700 нм проявляется полоса свечения, происхождение которой обусловлено наличием дефектов в нанокристаллах. Существование дефектов в наноструктурах SnO[x] подтверждают и спектры комбинационного рассеяния света. В результате легирования наночастиц SnO[x] редкоземельными атомами самария в спектрах фотолюминесценции проявляются интенсивные линии свечения в красной области спектра.
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Стрекаль Н., Кулакович О., Беляев А., Степуро В., Маскевич С.
Заглавие : Фотолюминесценция водорастворимых наночастиц СdSe/ZnS в комплексах с катионными и анионными полиэлектролитами
Место публикации : Оптика и спектроскопия. - 2008. - Т. 104, N 1. - С. 57-63 (Шифр opsp/2008/104/1)
УДК : 535.37
ББК : 22.345
Предметные рубрики: Физика
Люминесценция
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наночастицы--cdse/zns--фотолюминесценция--полиэлектролиты--молекулярная литография
Аннотация: Получены данные о процессах влияния полиэлектролитов на вероятность испускания фотонов водорастворимыми наночастицами (НЧ) CdSe/ZnS. Уменьшение квантового выхода фотолюминесценции НЧ при их переносе в водные растворы из толуола (в процессе солюбилизации) зависит от ионной природы агента, применяемого для замещения остатков триоктилфосфиноксида на поверхности НЧ. Обсуждаются возможные механизмы наблюдаемых эффектов и их учет в приложениях к молекулярной литографии на основе полиэлектролитов.
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Вихрова О. В., Данилов Ю. А., Демина П. Б., Дорохин М. В., Звонков Б. Н., Прокофьева М. М., Дроздов Ю. Н., Сапожников М. В.
Заглавие : Излучательные свойства квантовых ям GaAs/InGaAs с барьером GaAs, бета-легированным атомами Mn
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 16-19 (Шифр ranf/2009/73/1)
Примечания : Библиогр.: c. 19 (7 назв. )
УДК : 535.376 + 537.871.53
ББК : 22.345 + 32.840/841
Предметные рубрики: Физика
Люминесценция
Радиоэлектроника
Теоретические основы радиотехники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электролюминесценция--квантово-размерные гетероструктуры gaas/ingaas--бета (mn) -легирование--мос-гидридная эпитаксия--лазерное распыление--квантовые ямы--фотолюминесценция--шоттки барьеры--барьеры шоттки--диоды шоттки--шоттки диоды
Аннотация: Проведено исследование структурных, электрических и люминесцентных свойств квантово-размерных гетероструктур GaAs/InGaAs, модифицированных бета (Mn) -легированием GaAs-барьера.
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Гончаров В. В., Корытов М. Н., Брунков П. Н., Лундин В. В., Заварин Е. Е., Цацульников А. Ф., Конников С. Г.
Заглавие : Исследование формирования квантовых точек InGaN на поверхности GaN
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 40-42: Рис. (Шифр ranf/2009/73/1)
Примечания : Библиогр.: c. 42 (5 назв. )
УДК : 53.096
ББК : 22.3
Предметные рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): температуры роста--квантовые точки--метод газофазной эпитаксии--фотолюминесценция--широкозонные полупроводники--рост станского-крастанова--станского-крастанова рост--квантовые ямы
Аннотация: Проведено исследование влияния температуры роста на морфологию поверхности слоев InGaN с квантовыми точками, осажденных на поверхность GaN.
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Бурбаев Т. М., Зайцев В. В., Кубатов В. А., Лобанов Д. Н., Новиков А. В., Рзаев М. М., Сибельдин Н. Н., Цветков В. А.
Заглавие : Фазовые переходы в неравновесных электронно-дырочных системах наногетероструктур Si/SiGe/Si
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 76-78 (Шифр ranf/2009/73/1)
Примечания : Библиогр.: c. 78 (12 назв. )
УДК : 539.293
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наногетероструктуры si/sige/si--фотолюминесценция--конденсация--свободные экситоны--электронно-дырочные системы--твердые растворы--электронно-дырочная жидкость--переход мотта--мотта переход
Аннотация: Методом спектроскопии низкотемпературной фотолюминесценции исследована конденсация экситонов в слое твердого раствора Si[1-x]Ge[x] гетероструктур Si/Si[1-x]Ge[x]/Si с образованием электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ).
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Давиденко Н. А., Деревянко Н. А., Ищенко А. А., Студзинский С. Л., Павлов В. А., Четыркин А. Д., Чуприна Н. Г.
Заглавие : Влияние постоянного электрического поля на фотолюминесценцию и фотопроводимость полимерных пленок, допированных катионными полиметиновыми красителями с концевыми группами различной электронодонорности
Серия: Спектроскопия конденсированного состояния
Место публикации : Оптика и спектроскопия. - 2009. - Т. 106, N 2. - С. 264-273 (Шифр opsp/2009/106/2)
Примечания : Библиогр.: с. 272-273 (24 назв. )
УДК : 535.33 + 535.37
ББК : 22.344 + 22.345
Предметные рубрики: Физика
Спектроскопия
Люминесценция
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): спектры фотолюминесценции--катионные красители--полиметиновые красители--симметричные красители--несимметричные красители--полимерные пленки--фотопроводящие полиэпоксипропилкарбазолы--нефотопроводящие поливинилэтилали--полиметиновые цепи--хромофор--фотолюминесценция
Аннотация: Изучено влияние внешнего постоянного электрического поля на спектры фотолюминесценции и проводимость катионных симметричных и несимметричных полиметиновых красителей с концевыми группами различной электронодонорности в полимерных пленках на основе фотопроводящего полиэпоксипропилкарбазола и нефотопроводящего поливинилэтилаля.
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Бузынин Ю. Н., Дроздов М. Н., Бузынин А. Н., Осико В. В., Звонков Б. Н., Дроздов Ю. Н., Парафин А. Е., Мурель А. В., Хрыкин О. И., Лукьянов А. Е., Лукьянов Ф. А., Сеннов Р. А.
Заглавие : Гетероэпитаксиальные пленки соединений A{III}B{V} на подложках и буферных слоях фианита
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 4. - С. 511-516 (Шифр ranf/2009/73/4)
Примечания : Библиогр.: c. 516 (10 назв. )
УДК : 621.385
ББК : 32.851
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероэпитаксильные пленки--многослойные структуры--фотолюминесценция--вторично-ионная миасс-спектроскопия--метод могфэ--буферные слои--пленки gan--фианит--растровая электронная микроскопия
Аннотация: На фианитовых подложках методом МОГФЭ получены эпитаксильные пленки GaAs, GaSb, AlGaAs и InGaAs, а также многослойные гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs для PHEMT-полевых транзисторов.
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Филонов К. Н., Курлов В. Н., Классен Н. В., Кудренко Е. А., Штейнман Э. А.
Заглавие : Особенности свойств наноструктурированных карбидокремниевых пленок и покрытий, полученных новым способом
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 10. - С.1457-1459: Рис. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2009/73/10). - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: c. 1459 (9 назв. )
УДК : 666.3-13
ББК : 35.43
Предметные рубрики: Химическая технология
Стекло и стеклоизделия
Аннотация: Разработан новый метод получения различных вариантов наноструктурированных карбидокремниевых пленок и покрытий, структуру которых можно контролируемым образом менять в зависимости от области применения.
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Баженов А. В., Фурсова Т. Н., Киселев А. П., Шмурак С. З., Синицын В. В.
Заглавие : Исследование твердофазной аморфизации и рекристаллизации молибдата европия методом ИК-спектроскопии
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 8. - С.1102-1105. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2009/73/8). - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: c. 1105 (11 назв. )
УДК : 538.958
ББК : 22.3
Предметные рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Аннотация: Обнаружены радикальные изменения ИК-спектров после воздействия на монокристалл молибдата европия высокого всестороннего давления - вместо серии узких линий возникают широкие полосы, появляется новая полоса, которую можно связать с возникновением фазы высокого давления.
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Еремина Н. С., Самсонова Л. Г., Копылова Т. Н., Майер Г. В., Дегтяренко К. М., Тельминов Е. Н., Гадиров Р. М., Мезенцева А. В.
Заглавие : Фото и электролюминесценция органических молекулярных композиций на основе Alq[3], TPD и PVK
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 5. - С.89-95. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2008/51/5). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 95 (7 назв. )
УДК : 535.37
ББК : 22.345
Предметные рубрики: Физика
Люминесценция
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): методика оценки чистоты поверхности (физика)--поверхность ito--спектрально-люминесцентные свойства--фотолюминесценция--чистая поверхность ito--электролюминесценция
Аннотация: На основании результатов исследования спектрально-люминесцентных свойств трис- (8-оксихинолинат) алюминия и N, N'-бис (З-метилфенил) -N, N'-дифенилбензилидена в хлорсодержащих растворителях (хлороформе, дихлорэтане, тетрахлоэтане) и в пленках поливинилкарбазола, полученных из этих растворителей, сделан выбор растворителей для получения качественных электролюминесцирующих пленок. Отработаны условия формирования структур анод/полимерная пленка/катод с комплексом свойств, необходимых для измерения вольт-амперных и вольт-яркостных характеристик.
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Торопов А. А., Беляев К. Г., Кайбышев В. Х., Шубина Т. В., Жмерик В. Н., Иванов С. В., Копьев П. С.
Заглавие : Плазмонное усиление одиночных экситонных переходов в InGaN
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 1. - С.66-69. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2010/74/1). - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: c. 69 (15 назв. )
УДК : 538.911
ББК : 22.3
Предметные рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Аннотация: Экспериментально наблюдалось увеличение скорости спонтанной рекомбинации экситонов, локализованных в пленках твердого раствора InGaN, в результате взаимодействия с плазмоном, локализованным в золотой частице.
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Воробьев Л. Е., Зерова В. Л., Фирсов Д. А., Belenky G., Shterengas L., Kipshidze G., Hosoda T., Suchalkin S., Kisin M.
Заглавие : Механизмы рекомбинации носителей заряда в Sb-содержащих лазерных структурах с квантовыми ямами
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 1. - С.78-80. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2010/74/1). - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: c. 80 (4 назв. )
УДК : 538.958
ББК : 22.3
Предметные рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Аннотация: Исследована динамика межзонной фотолюминесценции в структурах с квантовыми ямами на основе InGaAsSb и барьерами различных типов при различных температурах и уровнях возбуждения.
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Банишев А. Ф., Банишев А. А., Большухин В. А., Сыров Ю. В., Хорт А. М.
Заглавие : Механо-и фотолюминесценция мелкодисперсных порошков и пленок на основе твердых растворов SRAL2O4: (EU2+, DY3+)
Серия: Новые методы обработки и получения материалов с заданными свойствами
Место публикации : Физика и химия обработки материалов. - 2010. - N 2. - С.60-65. - ISSN 0015-3214 (Шифр phch/2010/2). - ISSN 0015-3214
УДК : 621.373
ББК : 32.847
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Импульсные устройства
Аннотация: Исследована кинетика затухания механо- и фотолюминесценции мелкодисперсных порошков и пленок на основе твердых растворов SrAl2O4: (Eu2+, Dy3+). Установлено, что процесс затухания люминесценции протекает в две стадии с существенно различающимися скоростями и различными механизмами возбуждения люминесценции. Показано, что исследованные материалы обладают высокой чувствительностью и эффективностью преобразования механических воздействий в оптическое излучение и могут быть использованы для создания механолюминесцентных сенсорных элементов.
Найти похожие

 1-20    21-40   41-60   61-80   81-100   101-106 
 
Статистика
за 05.08.2024
Число запросов 8539
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)