Поисковый запрос: (<.>K=фотолюминесценция<.>) |
Общее количество найденных документов : 106
Показаны документы с 1 по 20 |
|
>1.
| Морфология и фотолюминесценция самоформирующихся нанокластеров GeSi/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде германа/Д. О. Филатов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2008. т.Т. 72,N N 2.-С.С. 268-271
|
>2.
| Исследования пористого InP методами рентгеновской дифракции, ИК-спектроскопии, УМРЭС, XANES и ФЛ/Э. П. Домашевская [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2008. т.Т. 72,N N 4.-С.С. 470-473
|
>3.
| Структура, фазовый состав и оптические свойства нанопорошков кремния/В. А. Терехов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2008. т.Т. 72,N N 4.-С.С. 532-535
|
>4.
| Долгоживущие локализованные магнитные поляроны в сверхрешетках второго типа ZnMnSe/ZnSSe/А. А. Максимов [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2008. т.Т. 133:вып. 6.-С.С. 1290-1297
|
>5.
| Спектрально-люминесцентные свойства малодефектных органических стекол, депонированных трис (бензоилтрифторацетонат) европием/В. В. Семенов [и др. ] // Доклады Академии наук, 2008. т.Т. 420,N N 6, июнь.-С.С. 781-787
|
>6.
| Запуниди С. А. Тушение фотолюминесценции через резонансный перенос энергии в смеси сопряженного полимера с низкомолекулярным акцептором/С. А. Запуниди, Д. Ю. Паращук // Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2008. т.Т. 134,N вып. 6
|
>7.
| Гетероэпитаксиальные пленки GaN на подложках кремния с буферными слоями на основе пористого материала/Ю. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2008. т.Т. 72,N N 11
|
>8.
| Кравец В. Г. Спектры фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света наноструктур SnO[x], легированных ионами самария/В. Г. Кравец // Оптика и спектроскопия, 2007. т.Т. 103,N N 5
|
>9.
| Фотолюминесценция водорастворимых наночастиц СdSe/ZnS в комплексах с катионными и анионными полиэлектролитами/Н. Стрекаль [и др. ] // Оптика и спектроскопия, 2008. т.Т. 104,N N 1
|
>10.
| Излучательные свойства квантовых ям GaAs/InGaAs с барьером GaAs, бета-легированным атомами Mn/О. В. Вихрова [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2009. т.Т. 73,N N 1
|
>11.
| Исследование формирования квантовых точек InGaN на поверхности GaN/В. В. Гончаров [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2009. т.Т. 73,N N 1
|
>12.
| Фазовые переходы в неравновесных электронно-дырочных системах наногетероструктур Si/SiGe/Si/Т. М. Бурбаев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2009. т.Т. 73,N N 1
|
>13.
| Влияние постоянного электрического поля на фотолюминесценцию и фотопроводимость полимерных пленок, допированных катионными полиметиновыми красителями с концевыми группами различной электронодонорности/Н. А. Давиденко [и др. ] // Оптика и спектроскопия, 2009. т.Т. 106,N N 2
|
>14.
| Гетероэпитаксиальные пленки соединений A{III}B{V} на подложках и буферных слоях фианита/Ю. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2009. т.Т. 73,N N 4
|
>15.
| Особенности свойств наноструктурированных карбидокремниевых пленок и покрытий, полученных новым способом/К. Н. Филонов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2009. т.Т. 73,N N 10.-С.1457-1459
|
>16.
| Исследование твердофазной аморфизации и рекристаллизации молибдата европия методом ИК-спектроскопии/А. В. Баженов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2009. т.Т. 73,N N 8.-С.1102-1105
|
>17.
| Фото и электролюминесценция органических молекулярных композиций на основе Alq[3], TPD и PVK/Н. С. Еремина [и др. ] // Известия вузов. Физика, 2008. т.Т. 51,N N 5.-С.89-95
|
>18.
| Плазмонное усиление одиночных экситонных переходов в InGaN/А. А. Торопов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2010. т.Т. 74,N N 1.-С.66-69
|
>19.
| Механизмы рекомбинации носителей заряда в Sb-содержащих лазерных структурах с квантовыми ямами/Л. Е. Воробьев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2010. т.Т. 74,N N 1.-С.78-80
|
>20.
| Механо-и фотолюминесценция мелкодисперсных порошков и пленок на основе твердых растворов SRAL2O4: (EU2+, DY3+)/А. Ф. Банишев [и др. ] // Физика и химия обработки материалов, 2010,N N 2.-С.60-65
|
|
|