Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска
БД "Книги"
БД "Статьи"
Труды АМГУ
Выпускные квалификационные работы
Антитеррор
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=фактор диэлектрических потерь<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тимохин В. М.
Заглавие : Исследование туннельного эффекта и диэлектрических параметров в кристаллах -LiIO[3]
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 2. - С. 39-42 (Шифр izph/2009/52/2)
Примечания : Библиогр.: c. 42 (15 назв. )
УДК : 539.2 + 537.311.33
ББК : 22.37 + 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диэлектрическая проницаемость--лазерные монокристаллы иодата лития--протонная проводимость--релаксатор--туннельный эффект--фактор диэлектрических потерь
Аннотация: Исследованы температурно-частотные спектры альфа-LiIO [3] лазерных монокристалловиодата лития в диапазоне температур 77-450 К и частот 5-10 {8] Гц. Анализ этих спектров и диаграмм Коула-Коула показал наличие туннелирования носителей заряда и существование нескольких видов релаксаторов. Определен диапазон температур существования туннельного эффекта.
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тимохин В. М.
Заглавие : Механизм диэлектрической релаксации и протонная проводимость в наноструктуре альфа-LilО[3]
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 3. - С. 46-50 (Шифр izph/2009/52/3)
Примечания : Библиогр.: с. 50 (15 назв. )
УДК : 537.2 + 539.2 + 537.311.33
ББК : 22.331 + 22.37 + 22.379
Предметные рубрики: Физика
Электростатика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диэлектрическая проницаемость--наноструктуры--протонная проводимость--релаксатор--туннельный эффект--фактор диэлектрических потерь--энергия активации
Аннотация: Исследовались термостимулированные токи деполяризации, в результате анализа которых разработан механизм диэлектрической релаксации в кристаллах альфа -LilО[3], имеющего расстояние между узлами решетки порядка 0, 55 нм. Этот механизм обусловлен образованием дефектов H[3]0{+} и 0H{-} в результате смещения протона вдоль валентной связи в молекулах воды и последующей его миграции посредством туннелирования как внутри ионов IO[3], так и между этими ионами в соседних слоях. Кроме того, поставщиками протонов являются протонодонорные примеси НlО[3] и Нl[3]О[8]. Дано объяснение появления отрицательного максимума термостимулированных токов деполяризации, обусловленного ложными петлями гистерезиса, связанными с отставанием проводимости.
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Циркина О. Г., Никифоров А. Л., Румянцева В. Е.
Заглавие : Зависимость фактора диэлектрических потерь текстильных материалов от условий проведения химико-технологических процессов
Серия: Отделка
Место публикации : Известия вузов. Технология текстильной промышленности. - 2018. - № 1 (373). - С.100-104. - ISSN 0021-3497 (Шифр iztt/2018/1). - ISSN 0021-3497
Примечания : Библиогр.: с. 103-104 (5 назв. )
УДК : 677
ББК : 37.23
Предметные рубрики: Легкая промышленность
Текстильное производство
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): выбор параметров--диэлектрические потери--диэлектрические свойства--отделка материалов--отделочное производство--параметры процессов--процессы производства--свойства текстильных материалов--текстильные материалы--технические параметры--технологические процессы--условия проведения процессов--фактор диэлектрических потерь--химико-технологические процессы
Аннотация: Обобщены результаты исследований диэлектрических свойств текстильных материалов, различных по своему химическому составу. Выявлена зависимость фактора диэлектрических потерь от частоты внешнего электромагнитного поля, температуры и влажности текстильных полотен, пропитанных технологическими растворами, что позволяет сделать обоснованный выбор технических параметров обработки тканей в поле ТВЧ для различных технологических процессов отделочного производства.
Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 10.09.2024
Число запросов 35910
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)