Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=уровень Ферми<.>)

Общее количество найденных документов : 24
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-24

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кузнецов М. В., Шалаева Е. В., Прекул А. Ф., Щеголихина Н. И.
Заглавие : Исследование квазикристаллического Al[62. 5]Cu[25]Fe[12. 5] и кристаллического бета-Al[50]Cu[33]Fe[17] сплавов методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 5. - С. С. 652-655 (Шифр ranf/2007/71/5)
Примечания : Библиогр.: c. 655 (11 назв. )
УДК : 669-1:544.171:539.25
ББК : 34.1
Предметные рубрики: Технология металлов
Общая технология металлов
Аннотация: Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) исследованы электронные спектры валентной зоны и остовных уровней поверхности полизеренного сплава с икосаэдрической структурой и бета (CsCl) -твердого раствора Al[50]Cu[33]Fe[17].
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Брудный В. Н., Ведерникова Т. В.
Заглавие : Электрофизические свойства диарсенида кадмия-кремния, облученного ионами H{+}
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 8. - С. С. 12-15 (Шифр izph/2007/50/8)
Примечания : Библиогр.: с. 15 (10 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диарсенид кадмия-кремния--протонное облучение--радиационные дефекты--термическая стабильность--уровень ферми--ферми уровень
Аннотация: Исследовано влияние протонного облучения на электрофизические свойства кристаллов -CdSiAs[2]. В результате облучения получены полуизолирующие образцы CdSiAs[2] с положением уровня Ферми вблизи [g]/2. Выполнены расчеты энергетического положения нейтральной точки соединения CdSiAs[2], исследована термическая стабильность радиационных дефектов.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Королев А. В., Коуров Н. И., Пушин В. Г., Князев Ю. В., Буйнова Л. Н.
Заглавие : Влияние атомного разупорядочения и примесей железа на структуру и свойства сплава Cu[3]Pd
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 5. - С. С. 648-651 (Шифр ranf/2007/71/5)
Примечания : Библиогр.: c. 651 (4 назв. )
УДК : 669.3`234:548.313.3 + 537.31 + 537.622
ББК : 34.1 + 22.332 + 22.334
Предметные рубрики: Технология металлов
Общая технология металлов
Физика
Электрический ток
Магнетизм
Аннотация: Показано исчезновение периодической антифазной доменной структуры при разупорядочении и при легировании железом сплава Cu[3]Pd.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Брудный В.Н., Гриняев С.Н., Колин Н.Г.
Заглавие : Корреляция положения глубоких уровней собственных точечных дефектов с предельным положением уровня Ферми в облученных полупроводниках группы III-V
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 5. - С. 17-22 (Шифр izph/2007/50/5)
Примечания : Библиогр.: с. 21-22 (18 назв. )
ISSN: 0021-3411
УДК : 537 + 537.311.322
ББК : 22.33
Предметные рубрики: Физика-- Электричество и магнетизм
Аннотация: Выполнен расчет уровней нейтральных анионных и катионных вакансий и антиструктурных дефектов в анионной и катионной подрешетках полупроводников группы III-V. Оценено положение усредненного энергетического уровня для этих дефектов, совпадающее с положением уровня локальной зарядовой нейтральности. Показано, что условию равновесия точечных дефектов и стабилизации уровня Ферми вблизи уровня локальной зарядовой нейтральности отвечает случай, когда суммарные энергии образования и антиструктурных дефектов в подрешетках бинарных полупроводников близки.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Игошев П. А., Катанин А. А., Ирхин В. Ю.
Заглавие : Магнитные флуктуации и формирование ферромагнетизма в двумерных системах с сингулярностями Ван Хова
Серия: Электронные свойства твердых тел
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, вып: вып. 5. - С. С. 1187-1202 (Шифр zhtf/2007/132/5)
Примечания : Библиогр.: с. 1201-1202
УДК : 530.1
ББК : 22.31
Предметные рубрики: Физика
Теоретическая физика
Аннотация: Анализируется критерий ферромагнетизма двумерных систем с уровнем Ферми вблизи сингулярностей Ван Хова.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кравец В. Г., Поперенко Л. В.
Заглавие : Особенности магнитоотражения аморфных лент на основе Co в ИК области
Место публикации : Оптика и спектроскопия. - 2008. - Т. 104, N 6. - С. 980-986 (Шифр opsp/2008/104/6)
УДК : 535.39
ББК : 22.343
Предметные рубрики: Физика
Физическая оптика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): аморфные ленты--аморфные металлические сплавы--кобальт--магниторефрактивный эффект--спектры отражения света--магнитоимпеданс--соотношение хагена-рубенса--хагена-рубенса соотношение--электронные состояния--уровень ферми--ферми уровень
Аннотация: Исследованы спектры отражения света и магниторефрактивный эффект в аморфных лентах на основе кобальта в ИК области спектра (ламбда = 2. 5-25 мкм). Для этих аморфных сплавов характерным является магнитоимпедансный эффект, который усиливается путем их термического и лазерного отжига. Обнаружено, что величины магнитоимпедансного и магниторефрактивного эффектов коррелируют между собой. Для магниторефрактивного эффекта обнаружена особенность в области длин волн ламбда приближенно равно 15-20 мкм, также ему присуще изменение знака в диапазоне длин волн 20-25 мкм. Показано, что оптические свойства аморфных сплавов в ИК области спектра в первом приближении могут быть объяснены на основании модифицированного соотношения Хагена-Рубенса. Обнаружено, что для аморфных металлических пленок изменение коэффициента отражения в ИК области при приложении магнитного поля определяется изменением как их магнитной проницаемости, так и проводимости, которая обусловлена степенью поляризации локализованных электронных состояний на уровне Ферми.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Власов Ю. Н., Стародубцев А. А., Bhatmager Р. К., Mathur Р. С.
Заглавие : Влияние обработки в парах селена на дефекты приповерхностной области арсенида галия
Серия: Оптика и спектроскопия
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 4. - С. 72-76 (Шифр izph/2009/52/4)
Примечания : Библиогр.: c. 76 (15 назв. )
УДК : 621
ББК : 34.7
Предметные рубрики: Машиностроение
Отраслевое машиностроение
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): gaas--арсенид галлия--диод шоттки--метод вольт-амперных характеристик--метод вольт-фарадных характеристик--поверхностно-электронные состояния--приповерхностная область арсенида галлия--селен--уровень ферми--ферми уровень--шоттки диод
Аннотация: Методами вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик, изотермической релаксации емкости в диапазоне температур 77-400 К исследовалось влияние обработки поверхности GaAs в парах селена на параметры электронных состояний приповерхностной области GaAs. Результаты электрофизических измерений барьеров Шоттки, полученных на обработанной в селене поверхности GaAs, указывают на снижение плотности поверхностных электронных состояний (ПЭС) и открепление уровня Ферми. При этом происходит генерация дефектов в приповерхностной области, вызывающих компенсацию мелких доноров и характерное для некоторых структур ''перезакрепление'' уровня Ферми.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Андреева Е. А., Андреев А. И., Еремин М. В.
Заглавие : Температурная зависимость спиновой восприимчивости слоистых купратов в псевдощелевой фазе. Сопоставление с данными по сдвигу Найта на ядрах меди в YBa[2]Cu[4]O[8] и Bi[2]Sr[2]CaCu[2]O[8+x]
Разночтения заглавия :: Сопоставление с данными по сдвигу Найта на ядрах меди в YBa[2]Cu[4]O[8] и Bi[2]Sr[2]CaCu[2]O[8+x]
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 10. - С. 1422-1425 (Шифр ranf/2010/74/10)
Примечания : Библиогр.: с. 1425 (11 назв. )
УДК : 538.945
ББК : 22.3
Предметные рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Аннотация: Анализируются возможности описания температурных зависимостей сдвигов Найта на ядрах меди в соединениях YBa[2]Cu[4]O[8] и Bi[2]Sr[2]CaCu[2]O[8+x] на базе данных фотоэлектронной эмиссии о параметрах зоны проводимости.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Каримов М., Махкамов Ш., Турсунов Н. А., Махмудов Ш. А., Сулаймонов А. А.
Заглавие : Влияние быстрых нейтронов на электрофизические свойства ядерно-легированного кремния р-типа
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 5. - С. 75-78 (Шифр izph/2011/54/5)
Примечания : Библиогр.: c. 78 (8 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): быстрые нейтроны--микронеоднородность--подвижность носителей заряда--потенциальный барьер--радиационные дефекты--скорость удаления носителей--удельное сопротивление--уровень ферми--ферми уровень--флюенс быстрых нейтронов--холла эффект--эффект холла--ядерно-легированный кремний р-типа
Аннотация: Исследуется влияние дефектов, наведенных облучением быстрыми нейтронами, на скорость удаления носителей заряда в ядерно-легированном кремнии (р-SiВ, P) и контрольном р-SiВ методом измерения коэффициента Холла и удельного сопротивления при комнатной температуре. Показано, что скорость удаления носителей заряда в р-SiВ, P быстрее, чем в р-SiВ. Предлагается барьерная модель, объясняющая наблюдаемый эффект.
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Шаров М. К.
Заглавие : Термо-ЭДС и удельная электропроводность твердых растворов Pb(1 – x)CdxTe
Место публикации : Перспективные материалы. - 2011. - № 2. - С.17-20: 4 рис. - ISSN 1028-978Х (Шифр ngnn/2011/2). - ISSN 1028-978Х
Примечания : Библиогр.: с. 20 (15 назв. )
УДК : 537.3 + 539.2
ББК : 22.332 + 22.37
Предметные рубрики: Физика
Электрический ток
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): теллурид свинца--твердые растворы--легирование кадмием--термо-эдс--электродвижущая сила--удельная электропроводность--уровень ферми--ферми уровень--концентрация свободных носителей заряда
Аннотация: Исследованы зависимости удельной электропроводности и коэффициента термо-ЭДС от содержания кадмия в монокристаллах твердых растворов Pb[1 – x]Cd[x]Te при комнатной температуре.
Найти похожие

1-10 11-20 21-24

Тематический навигатор

Статистика за 03.09.2024
Число запросов	101751
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)