Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=уровень Ферми<.>)

Общее количество найденных документов : 24
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-24

Исследование квазикристаллического Al[62. 5]Cu[25]Fe[12. 5] и кристаллического бета-Al[50]Cu[33]Fe[17] сплавов методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии [Текст] / М. В. Кузнецов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 5. - С. 652-655. - Библиогр.: c. 655 (11 назв. )

УДК

^a669-1:544.171:539.25

ББК 34.1
Рубрики: Технология металлов
Общая технология металлов
Кл.слова (ненормированные):
электронные спектры -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- кристаллические сплавы -- квазикристаллические сплавы -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- экспериментальные данные -- электронная структура -- низкотемпературные измерения -- термический нагрев
Аннотация: Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) исследованы электронные спектры валентной зоны и остовных уровней поверхности полизеренного сплава с икосаэдрической структурой и бета (CsCl) -твердого раствора Al[50]Cu[33]Fe[17].

Доп.точки доступа:
Кузнецов, М. В.; Шалаева, Е. В.; Прекул, А. Ф.; Щеголихина, Н. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Брудный, В. Н.
Электрофизические свойства диарсенида кадмия-кремния, облученного ионами H{+} [Текст] / В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 8. - С. 12-15. - Библиогр.: с. 15 (10 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
диарсенид кадмия-кремния -- протонное облучение -- радиационные дефекты -- термическая стабильность -- уровень Ферми -- Ферми уровень
Аннотация: Исследовано влияние протонного облучения на электрофизические свойства кристаллов -CdSiAs[2]. В результате облучения получены полуизолирующие образцы CdSiAs[2] с положением уровня Ферми вблизи [g]/2. Выполнены расчеты энергетического положения <нейтральной> точки соединения CdSiAs[2], исследована термическая стабильность радиационных дефектов.

Доп.точки доступа:
Ведерникова, Т. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Влияние атомного разупорядочения и примесей железа на структуру и свойства сплава Cu[3]Pd [Текст] / А. В. Королев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 5. - С. 648-651. - Библиогр.: c. 651 (4 назв. )

УДК

^a669.3`234:548.313.3

^a537.31

^a537.622

ББК 34.1 + 22.332 + 22.334
Рубрики: Технология металлов
   Общая технология металлов
   Физика
   Электрический ток
   Магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
легирование железом -- сплав Cu[3]Pd -- электрические свойства -- оптические свойства -- магнитные свойства -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- атомное разупорядочение -- экспериментальные данные -- дифракционная электронная микроскопия
Аннотация: Показано исчезновение периодической антифазной доменной структуры при разупорядочении и при легировании железом сплава Cu[3]Pd.

Доп.точки доступа:
Королев, А. В.; Коуров, Н. И.; Пушин, В. Г.; Князев, Ю. В.; Буйнова, Л. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Брудный, В. Н.
Корреляция положения глубоких уровней собственных точечных дефектов с предельным положением уровня Ферми в облученных полупроводниках группы III-V [Текст] / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 5. - С. 17-22. - Библиогр.: с. 21-22 (18 назв. )

УДК

^a537

^a537.311.322

ББК 22.33
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
антиструктурные дефекты (физика) -- бинарные полупроводники -- облученные полупроводники -- полупроводники -- уровень локальной зарядовой нейтральности -- уровень Ферми -- Ферми уровень
Аннотация: Выполнен расчет уровней нейтральных анионных и катионных вакансий и антиструктурных дефектов в анионной и катионной подрешетках полупроводников группы III-V. Оценено положение усредненного энергетического уровня для этих дефектов, совпадающее с положением уровня локальной зарядовой нейтральности. Показано, что условию равновесия точечных дефектов и стабилизации уровня Ферми вблизи уровня локальной зарядовой нейтральности отвечает случай, когда суммарные энергии образования и антиструктурных дефектов в подрешетках бинарных полупроводников близки.

Доп.точки доступа:
Гриняев, С.Н.; Колин, Н.Г.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Игошев, П. А.
Магнитные флуктуации и формирование ферромагнетизма в двумерных системах с сингулярностями Ван Хова [Текст] / П. А. Игошев, А. А. Катанин, В. Ю. Ирхин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, вып: вып. 5. - С. 1187-1202. - Библиогр.: с. 1201-1202

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
Ферромагнетизм -- Уровень Ферми -- Двумерные системы -- Ферми уровень -- Сингулярости Ван Хова -- Ван Хова сингулярности -- Магнитные флуктуации
Аннотация: Анализируется критерий ферромагнетизма двумерных систем с уровнем Ферми вблизи сингулярностей Ван Хова.

Доп.точки доступа:
Катанин, А. А.; Ирхин, В. Ю.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Кравец, В. Г.
Особенности магнитоотражения аморфных лент на основе Co в ИК области [Текст] / В. Г. Кравец, Л. В. Поперенко // Оптика и спектроскопия. - 2008. - Т. 104, N 6. - С. 980-986.

УДК

^a535.39

ББК 22.343
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
аморфные ленты -- аморфные металлические сплавы -- кобальт -- магниторефрактивный эффект -- спектры отражения света -- магнитоимпеданс -- соотношение Хагена-Рубенса -- Хагена-Рубенса соотношение -- электронные состояния -- уровень Ферми -- Ферми уровень
Аннотация: Исследованы спектры отражения света и магниторефрактивный эффект в аморфных лентах на основе кобальта в ИК области спектра (ламбда = 2. 5-25 мкм). Для этих аморфных сплавов характерным является магнитоимпедансный эффект, который усиливается путем их термического и лазерного отжига. Обнаружено, что величины магнитоимпедансного и магниторефрактивного эффектов коррелируют между собой. Для магниторефрактивного эффекта обнаружена особенность в области длин волн ламбда приближенно равно 15-20 мкм, также ему присуще изменение знака в диапазоне длин волн 20-25 мкм. Показано, что оптические свойства аморфных сплавов в ИК области спектра в первом приближении могут быть объяснены на основании модифицированного соотношения Хагена-Рубенса. Обнаружено, что для аморфных металлических пленок изменение коэффициента отражения в ИК области при приложении магнитного поля определяется изменением как их магнитной проницаемости, так и проводимости, которая обусловлена степенью поляризации локализованных электронных состояний на уровне Ферми.

Доп.точки доступа:
Поперенко, Л. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Влияние обработки в парах селена на дефекты приповерхностной области арсенида галия [Текст] / Н. Н. Безрядин [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 4. - С. 72-76. . - Библиогр.: c. 76 (15 назв. )

УДК

^a621

ББК 34.7
Рубрики: Машиностроение
Отраслевое машиностроение
Кл.слова (ненормированные):
GaAs -- арсенид галлия -- диод Шоттки -- метод вольт-амперных характеристик -- метод вольт-фарадных характеристик -- поверхностно-электронные состояния -- приповерхностная область арсенида галлия -- селен -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- Шоттки диод
Аннотация: Методами вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик, изотермической релаксации емкости в диапазоне температур 77-400 К исследовалось влияние обработки поверхности GaAs в парах селена на параметры электронных состояний приповерхностной области GaAs. Результаты электрофизических измерений барьеров Шоттки, полученных на обработанной в селене поверхности GaAs, указывают на снижение плотности поверхностных электронных состояний (ПЭС) и открепление уровня Ферми. При этом происходит генерация дефектов в приповерхностной области, вызывающих компенсацию мелких доноров и характерное для некоторых структур ''перезакрепление'' уровня Ферми.

Доп.точки доступа:
Безрядин, Н. Н.; Котов, Г. И.; Власов, Ю. Н.; Стародубцев, А. А.; Bhatmager, Р. К.; Mathur, Р. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Андреева, Е. А.
Температурная зависимость спиновой восприимчивости слоистых купратов в псевдощелевой фазе. Сопоставление с данными по сдвигу Найта на ядрах меди в YBa[2]Cu[4]O[8] и Bi[2]Sr[2]CaCu[2]O[8+x] [Текст] / Е. А. Андреева, А. И. Андреев, М. В. Еремин // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 10. - С. 1422-1425. . - Библиогр.: с. 1425 (11 назв. )

УДК

^a538.945

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
Найта сдвиг -- псевдощели -- сдвиг Найта -- слоистые купраты -- спиновая восприимчивость -- температурная зависимость -- уровень Ферми -- фазовые флуктуации -- Ферми уровень
Аннотация: Анализируются возможности описания температурных зависимостей сдвигов Найта на ядрах меди в соединениях YBa[2]Cu[4]O[8] и Bi[2]Sr[2]CaCu[2]O[8+x] на базе данных фотоэлектронной эмиссии о параметрах зоны проводимости.

Доп.точки доступа:
Андреев, А. И.; Еремин, М. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Влияние быстрых нейтронов на электрофизические свойства ядерно-легированного кремния р-типа [Текст] / М. Каримов [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 5. - С. 75-78. . - Библиогр.: c. 78 (8 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
быстрые нейтроны -- микронеоднородность -- подвижность носителей заряда -- потенциальный барьер -- радиационные дефекты -- скорость удаления носителей -- удельное сопротивление -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- флюенс быстрых нейтронов -- Холла эффект -- эффект Холла -- ядерно-легированный кремний р-типа
Аннотация: Исследуется влияние дефектов, наведенных облучением быстрыми нейтронами, на скорость удаления носителей заряда в ядерно-легированном кремнии (р-Si<В, P>) и контрольном р-Si<В> методом измерения коэффициента Холла и удельного сопротивления при комнатной температуре. Показано, что скорость удаления носителей заряда в р-Si<В, P> быстрее, чем в р-Si<В>. Предлагается барьерная модель, объясняющая наблюдаемый эффект.

Доп.точки доступа:
Каримов, М.; Махкамов, Ш.; Турсунов, Н. А.; Махмудов, Ш. А.; Сулаймонов, А. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.

Шаров, М. К.
Термо-ЭДС и удельная электропроводность твердых растворов Pb(1 – x)CdxTe [Текст] / М. К. Шаров // Перспективные материалы. - 2011. - № 2. - С. 17-20 : 4 рис. - Библиогр.: с. 20 (15 назв. ) . - ISSN 1028-978Х

УДК

^a537.3

^a539.2

ББК 22.332 + 22.37
Рубрики: Физика
Электрический ток
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
теллурид свинца -- твердые растворы -- легирование кадмием -- термо-ЭДС -- электродвижущая сила -- удельная электропроводность -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- концентрация свободных носителей заряда
Аннотация: Исследованы зависимости удельной электропроводности и коэффициента термо-ЭДС от содержания кадмия в монокристаллах твердых растворов Pb[1 – x]Cd[x]Te при комнатной температуре.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-20 21-24

Тематический навигатор

Статистика за 06.07.2024
Число запросов	154985
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)