Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=туннельное магнитосопротивление<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Кравец, В. Г.
Сравнение магнитоотражения для многослойных и гранулированных пленок CoFe-Al[2]O[3] в ИК области спектра [Текст] / В. Г. Кравец // Оптика и спектроскопия. - 2007. - Т. 102, N 5. - С. 782-787

УДК

^a53

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
многослойные пленки -- гранулированные пленки -- металл-диэлектрические пленки -- спектры отражения света -- отражение света -- магнитоотражение -- магниторефрактивный эффект -- туннельное магнитосопротивление -- соотношение Хагена-Рубенса -- Хагена-Рубенса соотношение
Аннотация: Исследованы спектры отражения света и магниторефрактивного эффекта в многослойных и гранулированных пленках на основе CoFe-Al[2]O[3] в инфракрасной области оптического спектра ламбда = 2. 5 - 25 мкм. Характерная особенность этих пленок - значительная величина туннельного магнитосопротивления 5-8%. Обнаружено, что спектры магниторефрактивного эффекта имеют особенности при ламбда ? 6. 7 и 8. 1 мкм, связанные с возбуждением фононных мод в диэлектрической матрице. Установлено, что величина магниторефрактивного эффекта превышает 2. 5% для многослойных пленок, что значительно больше, чем в гранулированных. Анализ магнитоотражения проведен для двух пленочных систем с приблизительно равным туннельным магнитосопротивлением. Показано, что магнитоотражение для гранулированных пленок в первом приближении может быть описано модифицированным соотношением Хагена-Рубенса, а усиление эффекта для многослойных пленок требует учета интерференции магнитооптического отклика.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : з.п. (1)
Свободны: з.п. (1)

Найти похожие

Туннельное магнитосопротивление двухслойных ферромагнитных наночастиц с магнитостатическим межслойным взаимодействием [Текст] / С. Н. Вдовичев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 2. - С. 211-213 : рис. - Библиогр.: c. 213 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a621.389

^a537.9

ББК 32.85 + 22.33
Рубрики: Радиоэлектроника
   Электроника в целом
   Физика
   Электричество и магнетизм в целом
Кл.слова (ненормированные):
двухслойные наночастицы -- магнитные туннельные контакты -- многослойные пленочные структуры -- перемагничивание -- туннельное магнитосопротивление -- ферромагнитные наночастицы -- численное моделирование -- электронная литография
Аннотация: В работе предложен способ формирования магнитных туннельных контактов субмикронных размеров, состоящих из двух слоев ферромагнетика (CoFe), разделенных диэлектрической прослойкой (TaO[x]). Показано, что эффект туннельного магнитосопротивления может быть использован для исследования особенностей процессов перемагничивания двухслойных ферромагнитных наночастиц.

Доп.точки доступа:
Вдовичев, С. Н.; Грибков, Б. А.; Гусев, С. А.; Климов, А. Ю.; Миронов, В. Л.; Рогов, В. В.; Фраерман, А. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Туннельное магнитосопротивление прессованных порошков CrO[2] с анизотропией формы частицы [Текст] / Н. В. Далакова [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2015. - Т. 79, № 6. - С. 875-879. - Библиогр.: c. 879 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a546.76-31

^a538.955

^a537.311.31

ББК 24.1 + 22.3 + 22.332
Рубрики: Химия
   Общая и неорганическая химия в целом
   Физика
   Общие вопросы физики
   Электрический ток
Кл.слова (ненормированные):
анизотропия ТМС -- анизотропия формы частиц -- диоксид хрома -- магниторезистивный эффект -- прессованные порошки -- туннельное магнитосопротивление
Аннотация: В интервале температур 4. 2-20 K исследовано влияние анизотропии формы частиц прессованных порошков CrO[2] на величину анизотропии туннельного магнитосопротивления. Измерения проводили при различной ориентации магнитного поля относительно плоскости образца. Показано, что анизотропия низкотемпературного туннельного магнитосопротивления прессованных порошков, обусловленная ориентацией магнитного поля относительно оси прессования, зависит от анизотропии формы частицы.

Доп.точки доступа:
Далакова, Н. В.; Беляев, Е. Ю.; Осмоловская, О. М.; Осмоловский, М. Г.; Горелый, В. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Исмаили, А. М.
Зависимости туннельного магнитосопротивления и переноса спинового момента от размеров и концентрации наночастиц в магнитных туннельных наноконтактах [Текст] / А. М. Исмаили, А. Н. Усеинов, Н. Х. Усеинов // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2018. - Т. 153, вып. 1. - С. 137-149. - Библиогр. в конце статьи . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
зависимости -- магнитные туннельные контакты -- магнитосопротивление -- наночастицы -- перенос спинового момента -- туннелирование электронов -- туннельное магнитосопротивление -- туннельные наноконтакты
Аннотация: Проведены расчеты зависимостей туннельного магнитосопротивления и параллельной компоненты переноса спинового момента от приложенного напряжения в магнитном туннельном контакте.

Доп.точки доступа:
Усеинов, А. Н.; Усеинов, Н. Х.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 02.08.2024
Число запросов	14161
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)