Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=теллурид кадмия ртути<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М.
Заглавие : Исследование методами проводимости и фотоэдс МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 10. - С.3-18. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2009/52/10). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 18 (28 назв. )
УДК : 621.315.55/.58
ББК : 31.232
Предметные рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): варизонные слои--гетероэпитаксиальные структуры--дифференциальное сопротивление--диэлектрики--метод молекулярно-лучевой эпитаксии--метод проводимости--млэ--полупроводники--пространственный заряд в мдп-структурах--теллурид кадмия ртути
Аннотация: Исследовано влияние варизонных слоев на величину дифференциального сопротивления области пространственного заряда в МДП-структурах на основе HgCdTe МЛЭ. Показано, что учет влияния сопротивления объема эпитаксиальной пленки на измеряемые емкость и сопротивление необходим для корректного определения параметров области пространственного заряда. Наличие приповерхностных слоев с повышенным содержанием Сd приводит к увеличению сопротивления области пространственного заряда в сильной инверсии. Несмотря на подавление туннельной генерации-рекомбинации через глубокие уровни в МДП-структурах с варизонными слоями, получены значения произведения сопротивления полупроводника на площадь порядка 15 Ом. см[2], что может быть связано с фоновой фотогенерацией и диффузией неосновных носителей.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Сидоров Ю. Г., Васильев В. В., Якушев М. В.
Заглавие : Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 2. - С. 40-45 (Шифр izph/2010/53/2)
Примечания : Библиогр.: c. 45 (17 назв. )
УДК : 621.3 + 537.311.33
ББК : 31.2 + 22.379
Предметные рубрики: Электротехника в целом
Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Энергетика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): варизонные слои--вольт-фарадные характеристики--диэлектрики--пассивация поверхности полупроводника--структура металл - диэлектрик - полупроводник--теллурид кадмия--теллурид кадмия ртути
Аннотация: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика. Определены средние плотности поверхностных состояний, а также плотности подвижного и фиксированного зарядов.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Леонов М. Ю., Шульга С. А.
Заглавие : Расчет профилей распределения радиационных дефектов в КРТ при воздействии мощными импульсными лазерными пучками
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 4. - С. 16-20 (Шифр izph/2010/53/4)
Примечания : Библиогр.: c. 20 (5 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): импульсное лазерное излучение--полупроводники--радиационные дефекты--теллурид кадмия ртути
Аннотация: Приведены результаты расчета профилей распределения радиационных дефектов и термомеханических характеристик материала при воздействии мощными лазерными пучками на полупроводниковые образцы КРТ, в рамках физико-математической модели радиационного дефектообразования и сравнение полученных профилей с теоретическими и экспериментальными данными.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Сидоров Ю. Г.
Заглавие : Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg[1-x]Cd[x]Te (x = 0, 29-0, 31) с резкими неоднородностями по составу
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 3. - С. 3-9 (Шифр izph/2011/54/3)
Примечания : Библиогр.: c. 9 (14 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): барьерные области--варизонные слои--диэлектрики--мдп-структуры--метод молекулярно-лучевой эпитаксии--млэ--молекулярно-лучевая эпитаксия--неоднородность структур--полупроводники--резкие неоднородности структур--теллурид кадмия ртути
Аннотация: Исследовано влияние областей с периодическими резкими неоднородностями по составу толщиной 48-54 нм на электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного n-Hg[1-x]Cd[x]Te с х = 0, 29-0, 31, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что основные электрофизические и фотоэлектрические характеристики качественно сходны для МДП-структур на основе n-Hg[1-x]Cd[x]Te с резкими неоднородностями по составу (''барьеры'') и без ''барьеров''. Показано, что наибольшее влияние на электрические характеристики оказывают ''барьерные области'', расположенные непосредственно вблизи границы раздела диэлектрик - полупроводник. Это влияние заключается в увеличении эффективной толщины диэлектрика, что может быть вызвано тем, что области повышенного состава образуют потенциальные барьеры для электронов, а также в уменьшении времени релаксации неравновесных носителей из-за рекомбинации на границах областей с резким изменением состава.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Васильев В. В., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Сидоров Ю. Г., Якушев М. В.
Заглавие : Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0,21-0,23)
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 8. - С.56-62: рис. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2012/55/8). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 62 (19 назв. )
УДК : 621.3
ББК : 31.264-04
Предметные рубрики: Энергетика
Детали и узлы электрических аппаратов
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): мдп-структура--металл-диэлектрик-полупроводник--молекулярно-лучевая эпитаксия--теллурид кадмия ртути--фотоэдс--фотоэлектрические свойства мдп-структур
Аннотация: Экспериментально исследованы зависимости фотоЭДС МДП-структур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23) от напряжения смещения, частоты и температуры. Рассчитаны фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе эпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23), в том числе с учетом наличия приповерхностных варизонных слоев с повышенным составом CdTe при различных температурах. Проведено сравнение расчетных зависимостей с экспериментальными данными и показано, что дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для МДП-структур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23) без варизонного слоя ограничено туннелированием через глубокие уровни, а для структур с варизонным слоем - диффузией носителей заряда.
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 29.06.2024
Число запросов	28593
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)