Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска
БД "Книги"
БД "Статьи"
Труды АМГУ
Выпускные квалификационные работы
Антитеррор
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=теллурид кадмия ртути<.>)
Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5
1.

Войцеховский А. В. Исследование методами проводимости и фотоэдс МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии/А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия вузов. Физика, 2009. т.Т. 52,N N 10.-С.3-18
2.

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика/А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика, 2010. т.Т. 53,N N 2
3.

Войцеховский А. В. Расчет профилей распределения радиационных дефектов в КРТ при воздействии мощными импульсными лазерными пучками/А. В. Войцеховский, М. Ю. Леонов, С. А. Шульга // Известия вузов. Физика, 2010. т.Т. 53,N N 4
4.

Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg[1-x]Cd[x]Te (x = 0, 29-0, 31) с резкими неоднородностями по составу/А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика, 2011. т.Т. 54,N N 3
5.

Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0,21-0,23)/А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика, 2012. т.Т. 55,N № 8.-С.56-62
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 29.06.2024
Число запросов 26355
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)