Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска
БД "Книги"
БД "Статьи"
Труды АМГУ
Выпускные квалификационные работы
Антитеррор
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=теллурид кадмия<.>)
Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Наумов А. В.
Заглавие : Солнечная энергетика - будут ли другие проблемы, кроме нехватки кремния?
Серия: Анализ. Методики. Прогнозы
Место публикации : ЭКиП: Экология и промышленность России. - 2007. - N 6. - С. 44-47 (Шифр ekop/2007/6)
Примечания : Библиогр.: с. 47 (5 назв. )
ISSN: ХХХХ-ХХХХ
УДК : 502.36
ББК : 20.18 + 20
Предметные рубрики: Экология-- Природопользование-- Охрана природы
Географич. рубрики: Россия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): солнечная энергетика--альтернативная энергетика--перспективные материалы--нехватка кремния--теллурид кадмия--диселенид меди--диселенид индия--мышьяк--галлий--германий--новые технологии
Аннотация: Поиск новых технологий производства СЭ не должен прекращаться. И российские производители получают хороший шанс выйти на растущий рынок сбыта с новыми перспективными материалами.
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Сидоров Ю. Г., Васильев В. В., Якушев М. В.
Заглавие : Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 2. - С. 40-45 (Шифр izph/2010/53/2)
Примечания : Библиогр.: c. 45 (17 назв. )
УДК : 621.3 + 537.311.33
ББК : 31.2 + 22.379
Предметные рубрики: Электротехника в целом
Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Энергетика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): варизонные слои--вольт-фарадные характеристики--диэлектрики--пассивация поверхности полупроводника--структура металл - диэлектрик - полупроводник--теллурид кадмия--теллурид кадмия ртути
Аннотация: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика. Определены средние плотности поверхностных состояний, а также плотности подвижного и фиксированного зарядов.
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Наумов А. В., Плеханов С. И.
Заглавие : О некоторых аспектах развития солнечной энергетики на основе теллурида кадмия
Серия: Анализ. Методики. Прогнозы
Место публикации : ЭКиП: Экология и промышленность России. - 2010. - N 12. - С. 30-33: ил. (Шифр ekop/2010/12)
Примечания : Библиогр.: с. 33 (7 назв. )
УДК : 574
ББК : 20
Предметные рубрики: Экология
Экологические основы жизнедеятельности населения --Россия --США
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): солнечная энергетика--сырьевые аспекты--кадмий--теллур--развитие солнечной энергетики--рынок солнечной энергетики--теллурид кадмия
Аннотация: Теллурид кадмия является представителем полупроводниковых материалов. Последние годы теллурид кадмия используется при изготовлении тонкопленочных солнечных элементов.
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Багаев В. С., Кривобок В. С., Онищенко Е. Е., Скориков М. Л., Шепель А. А.
Заглавие : Резонансная спектроскопия донорных и акцепторных центров в компенсированном теллуриде кадмия
Серия: Твердые тела и жидкости
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 140, вып. 5. - С. 929-941 (Шифр zhtf/2011/140/5)
Примечания : Библиогр.: с. 940-941
УДК : 530.1
ББК : 22.31
Предметные рубрики: Физика
Теоретическая физика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): резонансная спектроскопия--спектроскопия--донорные центры--акцепторные центры--компенсированный теллурид кадмия--теллурид кадмия--кадмий--электронный спектр дефектов--акцепторы
Аннотация: Изучена резонансная спектроскопия донорных и акцепторных центров в компенсированном теллуриде кадмия.
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Коновалов А. В., Воронков Э. Н.
Заглавие : Тонкопленочные солнечные батареи на основе теллурида кадмия
Место публикации : Вестник Московского энергетического института. - 2012. - № 5. - С.100-103. - ISSN 1993-6982 (Шифр vmei/2012/5). - ISSN 1993-6982
УДК : 621.37/.39
ББК : 32.99
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Другие отрасли радиоэлектроники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фотоэлектрические преобразователи солнечной энергии--тонкопленочные солнечные элементы--тонкопленочные солнечные батареи--солнечные батареи--теллурид кадмия
Аннотация: Предложена оригинальная структура тонкопленочного солнечного элемента на основе поликристаллического теллурида кадмия CdTe, отличающаяся от традиционной структуры отсутствием слоя CdS и изменением типа проводимости активного материала. Изготовлены опытные образцы солнечных элементов и батарей. Продемонстрирована перспективность исследованной структуры для дальнейших разработок солнечных батарей на основе CdTe.
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кравцова А. Н., Ломаченко К. А., Сучкова С. А., Панкин И. А., Файн М. Б., Бугаев А. Л., Солдатов А. В.
Заглавие : Допированные квантовые точки семейства CdTe
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2015. - Т. 79, № 11. - С.1612-1616. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2015/79/11). - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: c. 1615-1616 (24 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): xanes-спектры--кона-шема теория функционала--квантовые точки--модель обменно-корреляционного потенциала--спектроскопия рентгеновского поглощения xanes--теллурид кадмия--теория функционала плотности кона-шема
Аннотация: Исследованы коллоидные полупроводниковые квантовые точки семейства CdTe. Проведен ab initio компьютерный дизайн квантовых точек на основе наночастиц CdTe и CdTe, допированных атомами переходных (Co, Mn) элементов. Выполнены расчеты парциальных плотностей электронных состояний исследуемых квантовых точек. Обоснована чувствительность спектроскопии рентгеновского поглощения в ближней к краю области (XANES) для верификации параметров наноразмерной атомной структуры малых квантовых точек семейства CdTe и для определения параметров локального окружения атома кадмия и примесных атомов в квантовой точке.
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Агекян В. Ф., Серов А. Ю., Философов Н. Г., Штром И. В., Karczewski G.
Заглавие : Оптические свойства теллурида цинка с субмонослоями теллурида кадмия
Серия: Системы низкой размерности
Место публикации : Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 10. - С.2034-2037: 4 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2016/58/10). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (7 назв.)
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кадмий--кристаллография в целом--спектры отражения--субмонослои теллурида кадмия--теллурид кадмия--теллурид цинка--цинк
Аннотация: Исследованы спектры отражения, люминесценции и рамановского рассеяния эпитаксиальных слоев ZnTe, номинально содержащих двойные субмонослои CdTe.
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Антипов В. В., Кукушкин С. А., Осипов А. В.
Заглавие : Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния
Серия: Физика поверхности, тонкие пленки
Место публикации : Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 2. - С.385-388: 6 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2017/59/2). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (15 назв.)
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кадмий--карбид кремния--кремний--кристаллография в целом--пленки теллурида кадмия--теллурид кадмия
Аннотация: Впервые выращен эпитаксиальный теллурид кадмия толщиной 1-3 mum на кремнии с буферным слоем карбида кремния методом открытого термического испарения и конденсации в вакууме.
Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 29.06.2024
Число запросов 25999
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)