Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:БД "Книги" (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=солнечные элементы<.>)
Общее количество найденных документов : 29
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-29 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кац Е. А.
Заглавие : Полупроводниковые материалы на основе фуллеренов для прямого преобразования солнечной энергии в электричество . Ч. 4 : Органические солнечные элементы на основе фуллеренов и полупроводниковых полимеров
Серия: Функциональные материалы
Место публикации : Материаловедение. - 2008. - N 7. - С. С. 48-56 (Шифр mtrl/2008/7)
УДК : 678
ББК : 35.71
Предметные рубрики: Химическая технология
Высокомолекулярные соединения в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые материалы--фуллерены--полупроводниковые полимеры--солнечные элементы--сопряженные полимеры
Аннотация: Рассматриваются структура, электрические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых материалов на основе фуллеренов, а также перспективы их применения в солнечных элементах - устройствах для прямого преобразования солнечной энергии в электричество.
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Лаптев В. И., Хляп Г. М.
Заглавие : Электрические свойства кластеров меди в пористом серебре кремниевых солнечных элементов
Серия: Физическая химия
Место публикации : Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 424, N 4, февраль. - С. 502-504: 3 рис. (Шифр dran/2009/424/4)
Примечания : Библиогр.: с. 504 (7 назв. )
УДК : 543.4/.5
ББК : 24.46/48
Предметные рубрики: Химия
Физико-химические методы анализа
Аннотация: Микрокластеры меди внедрены химическим способом в поры серебрянного контакта. Изменены электрические свойства контакта: обнаружен темновой ток, который неизвестен для металлов.
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Наумов В. В., Залесский В. Б., Гребенщиков О. А.
Заглавие : Методика определения коэффициентов соответствия экспериментальной и теоретической вольт-амперных характеристик солнечных элементов
Серия: Измерения, контроль, диагностика
Место публикации : Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. - 2009. - N 7. - С. 38-40: 2 рис. (Шифр ukod/2009/7)
Примечания : Библиогр.: с. 40 (8 назв. )
ГРНТИ : 50.01.81
УДК : 681.5
ББК : 32.81
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Кибернетика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): солнечные элементы--вольтамперные характеристики--автоматизированные измерения--электрофизические характеристики
Аннотация: Предложена методика автоматизированного измерения и расчета коэффициентов соответствия экспериментальной и теоретической ВАХ солнечных энергий.
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Гончарова О. В., Леонова Т. Р., Гременок В. Ф., Болодон В. Н., Дымонт В. П., Ташлыков И. С.
Заглавие : Микроструктура и оптические свойства тонких пленок оксида цинка, полученных методом магнетронного распыления цинковой мишени
Серия: Функциональные покрытия и обработка поверхности
Место публикации : Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 6. - С.20-25. - ISSN 0015-3214 (Шифр phch/2009/6). - ISSN 0015-3214
УДК : 539.107 + 539.21:535
ББК : 22.381 + 22.374
Предметные рубрики: Физика
Экспериментальные методы и аппаратура ядерной физики
Оптические свойства твердых тел
Аннотация: С целью разработки методов изготовления высокопрозрачных пленок оксида цинка с контролируемой величиной удельного сопротивления изучены их микроструктурные и спектральные свойства.
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Дейнега А. В., Конистряпина И. В., Богданова М. В., Валуев И. А., Лозовик Ю. Е., Потапкин Б. В.
Заглавие : Оптимизация антиотражающего слоя в солнечных батареях на основе первопринципных расчетов
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 11. - С.13-19. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2009/52/11). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 19 (15 назв. )
УДК : 535
ББК : 22.34
Предметные рубрики: Физика
Оптика в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): антиотражающие покрытия--кремниевые солнечные элементы--максвелла метод решения уравнений--метод решения уравнений максвелла--новые источники энергии--солнечные батареи--солнечные элементы--текстурированные покрытия
Аннотация: С помощью компьютерного моделирования исследованы оптические свойства текстурированной поверхности кремниевого солнечного элемента. Для расчетов использовался метод решения уравнений Максвелла в конечных разностях. Найдены оптимальные размеры и форма текстурированной поверхности, при которых достигается наибольшее падение коэффициента отражения. Проведено сравнение с имеющимися в литературе экспериментальными данными.
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Бузынин А. Н., Осико В. В., Бузынин Ю. Н., Звонков Б. Н., Дроздов Ю. Н., Хрыкин О. И., Дроздов М. Н., Тришенков М. А., Лукьянов А. Е., Лукьянов Ф. А.
Заглавие : Фианит - многофункциональный материал электроники
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 7. - С. 1068-1075: Рис. (Шифр ranf/2010/74/7)
Примечания : Библиогр.: c. 1075 (19 назв. )
УДК : 621.385
ББК : 32.851
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Аннотация: Фианит, или иттрием (гафнием) стабилизированная двуокись циркония (YSZ), обладает уникальной комбинацией физических и химических свойств, что делает его очень перспективным материалом для широкого использования в различных областях техники. В статье рассматриваются применения фианита в электронике в качестве монолитной подложки и буферного слоя для эпитаксии соединений A{II}IB{V}, а также в качестве просветляющего и защитного покрытия фотоприемников и солнечных элементов.
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кисленко С. А., Амиров Р. Х., Попель О. С., Самойлов И. С.
Заглавие : Солнечные элементы, сенсибилизированные красителем: современное состояние и перспективы развития
Место публикации : Теплоэнергетика. - 2010. - N 11. - С. 58-64 (Шифр teen/2010/11)
УДК : 621.4 + 621.383
ББК : 31.3 + 32.854
Предметные рубрики: Энергетика
Теплоэнергетика. Теплотехника в целом
Радиоэлектроника
Фотоэлектрические приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фотоэлектрические преобразователи--красители--солнечные элементы--солнечная энергия--сенсибилизированные красители--полупроводниковые наноструктуры--высокая электронная проводимость
Аннотация: Представлен обзор современных достижений и основных направлений исследования в области солнечных элементов, сенсибилизированных красителем.
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Путято М. А., Семягин Б. Р., Емельянов Е. А., Паханов Н. А., Преображенский В. В.
Заглавие : Молекулярно-лучевая эпитаксия структур GaAs/Si (001) для высокоэффективных тандемных А{III}B{v}/Si-преобразователей солнечной энергии на активной кремниевой подложке
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 9. - С. 26-33 (Шифр izph/2010/53/9)
Примечания : Библиогр.: c. 33 (21 назв. )
УДК : 621
ББК : 34.7
Предметные рубрики: Машиностроение
Отраслевое машиностроение
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): gaas--активная кремниевая подложка--атомно-слоевая эпитаксия--гетеропереход--гетероструктуры--молекулярно-лучевая эпитаксия--преобразователи солнечной энергии--солнечная энергия--солнечные элементы
Аннотация: Для выращивания пленок GaAs с низкой плотностью прорастающих дефектов в представленной работе был предложен метод низкотемпературной атомно-слоевой эпитаксии GaAs на начальной стадии формирования гетероперехода GaAs/Si. Было показано, что рост пленки GaAs может протекать, минуя стадию образования островков, если первый монослой GaAs был сформирован методом атомно-слоевой эпитаксии при низкой температуре (200-350 С). Был найден режим выращивания пленок GaAs на Si с плотностью прорастающих дислокаций менее 10 {6} см{-2}, что соответствует лучшим мировым достижениям. Показано, что при выращивании гетероперехода GaAs/Si в приповерхностном слое кремния формируется р-n-переход. Это позволяет создать высокоэффективные каскадные преобразователи солнечной энергии на основе соединений А{III}B{v} на активной подложке Si в едином ростовом цикле.
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Бузынин А. Н., Бузынин Ю. Н., Осико В. В., Панов В. И., Звонков Б. Н., Чинарева И. В., Хакаушев П. Е., Тришенков М. А.
Заглавие : Антиотражающие покрытия фианита и ZrO[2] для солнечных элементов
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 9. - С. 1282-1286 (Шифр ranf/2011/75/9)
Примечания : Библиогр.: c. 1286 (5 назв. )
УДК : 621.385
ББК : 32.851
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Аннотация: Благодаря уникальному сочетанию физико-химических свойств, фианит является перспективным многофункциональным материалом новых электронных технологий. Его можно использовать практически во всех основных технологических звеньях создания приборов микро-, опто- и СВЧ-электроники: как монолитную диэлектрическую подложку и материал буферных слоев при гетероэпитаксии; как материал изолирующих, просветляющих и защитных слоев приборных структур, а также как подзатворный диэлектрик [1-3]. В настоящей статье рассматриваются возможности применения фианита и ZrO[2] в качестве просветляющего покрытия кремниевых солнечных элементов (СЭ), а также СЭ на основе гетероструктур InGaAsP.
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Алдошин С. М.
Заглавие : Достижения и инновационные перспективы химической науки : доклад вице-президента РАН академика С. М. Алдошина
Серия: Общее собрание Российской академии наук
Место публикации : Вестник Российской академии наук. - 2012. - Т. 82, № 6. - С.499-514. - ISSN 0869-5873 (Шифр vran/2012/82/6). - ISSN 0869-5873
УДК : 620.9 + 66
ББК : 31 + 35
Предметные рубрики: Энергетика
Общие вопросы энергетики
Химическая технология
Общие вопросы химической технологии
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): альтернативные источники энергии--биотопливо--возобновляемые источники энергии--волоконные лазеры--волоконные усилители--катализаторы--конструкционные материалы--лекарственные препараты--молекулярная электроника--накопители энергии--научные достижения--нефтехимические процессы--переработка газа--переработка нефти--переработка углеводородов--полимерные композиционные материалы--современная химия--солнечная энергия--солнечные элементы--углеводородные ресурсы--углеводороды--химические науки--электрохимические источники
Аннотация: Приведен текст доклада академика С. М. Алдошина о достижениях и инновационных перспективах химической науки.
Найти похожие

 1-10    11-20   21-29 
 
Статистика
за 02.09.2024
Число запросов 70834
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)