Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:БД "Книги" (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=солнечные элементы<.>)
Общее количество найденных документов : 29
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-29 
1.


    Кац, Е. А.
    Полупроводниковые материалы на основе фуллеренов для прямого преобразования солнечной энергии в электричество [Текст]. Ч. 4. Органические солнечные элементы на основе фуллеренов и полупроводниковых полимеров / Е. А. Кац // Материаловедение. - 2008. - N 7. - С. 48-56
УДК
ББК 35.71
Рубрики: Химическая технология
   Высокомолекулярные соединения в целом

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые материалы -- фуллерены -- полупроводниковые полимеры -- солнечные элементы -- сопряженные полимеры
Аннотация: Рассматриваются структура, электрические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых материалов на основе фуллеренов, а также перспективы их применения в солнечных элементах - устройствах для прямого преобразования солнечной энергии в электричество.


Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

2.


    Лаптев, В. И.
    Электрические свойства кластеров меди в пористом серебре кремниевых солнечных элементов [Текст] / В. И. Лаптев, Г. М. Хляп // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 424, N 4, февраль. - С. 502-504. : 3 рис. - Библиогр.: с. 504 (7 назв. )
УДК
ББК 24.46/48
Рубрики: Химия
   Физико-химические методы анализа

Кл.слова (ненормированные):
кластеры -- солнечные элементы -- кремниевые элементы -- кластеры меди -- свойства кластеров -- микрокластеры
Аннотация: Микрокластеры меди внедрены химическим способом в поры серебрянного контакта. Изменены электрические свойства контакта: обнаружен темновой ток, который неизвестен для металлов.


Доп.точки доступа:
Хляп, Г. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

3.


    Наумов, В. В.
    Методика определения коэффициентов соответствия экспериментальной и теоретической вольт-амперных характеристик солнечных элементов [Текст] / В. В. Наумов, В. Б. Залесский, О. А. Гребенщиков // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. - 2009. - N 7. - С. 38-40. : 2 рис. - Библиогр.: с. 40 (8 назв. )
ГРНТИ
УДК
ББК 32.81
Рубрики: Радиоэлектроника
   Кибернетика

Кл.слова (ненормированные):
солнечные элементы -- вольтамперные характеристики -- автоматизированные измерения -- электрофизические характеристики
Аннотация: Предложена методика автоматизированного измерения и расчета коэффициентов соответствия экспериментальной и теоретической ВАХ солнечных энергий.


Доп.точки доступа:
Залесский, В. Б.; Гребенщиков, О. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

4.


   
    Микроструктура и оптические свойства тонких пленок оксида цинка, полученных методом магнетронного распыления цинковой мишени [Текст] / О. В. Гончарова [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 6. - С. 20-25 . - ISSN 0015-3214
УДК
ББК 22.381 + 22.374
Рубрики: Физика
   Экспериментальные методы и аппаратура ядерной физики

   Оптические свойства твердых тел

Кл.слова (ненормированные):
мишени -- цинковые мишени -- тонкие пленки -- магнетронное распыление -- оксид цинка -- высокопрозрачные пленки -- атомно-силовая микроскопия -- рентгеновский дифракционный анализ -- полупроводниковые микрокристаллы -- тонкопленочные матрицы -- реактивное магнетронное распыление -- кристаллические структуры -- аморфные подложки -- высокоупорядоченные кристаллические структуры -- солнечные элементы -- текстурированные лицевые поверхности
Аннотация: С целью разработки методов изготовления высокопрозрачных пленок оксида цинка с контролируемой величиной удельного сопротивления изучены их микроструктурные и спектральные свойства.


Доп.точки доступа:
Гончарова, О. В.; Леонова, Т. Р.; Гременок, В. Ф.; Болодон, В. Н.; Дымонт, В. П.; Ташлыков, И. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

5.


   
    Оптимизация антиотражающего слоя в солнечных батареях на основе первопринципных расчетов [Текст] / А. В. Дейнега [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 11. - С. 13-19. - Библиогр.: c. 19 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 22.34
Рубрики: Физика
   Оптика в целом

Кл.слова (ненормированные):
антиотражающие покрытия -- кремниевые солнечные элементы -- Максвелла метод решения уравнений -- метод решения уравнений Максвелла -- новые источники энергии -- солнечные батареи -- солнечные элементы -- текстурированные покрытия
Аннотация: С помощью компьютерного моделирования исследованы оптические свойства текстурированной поверхности кремниевого солнечного элемента. Для расчетов использовался метод решения уравнений Максвелла в конечных разностях. Найдены оптимальные размеры и форма текстурированной поверхности, при которых достигается наибольшее падение коэффициента отражения. Проведено сравнение с имеющимися в литературе экспериментальными данными.


Доп.точки доступа:
Дейнега, А. В.; Конистряпина, И. В.; Богданова, М. В.; Валуев, И. А.; Лозовик, Ю. Е.; Потапкин, Б. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

6.


   
    Фианит - многофункциональный материал электроники [Текст] / А. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 7. - С. 1068-1075. : Рис. - Библиогр.: c. 1075 (19 назв. )
УДК
ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
   Электровакуумные приборы

Кл.слова (ненормированные):
буферные слои -- диэлектрические материалы -- защитные покрытия -- метод металлоорганической газофазной эпитаксии -- метод плазмостимулированной молекулярно-лучевой эпитаксии -- монолитные подложки -- просветляющие покрытия -- солнечные элементы -- фианит -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: Фианит, или иттрием (гафнием) стабилизированная двуокись циркония (YSZ), обладает уникальной комбинацией физических и химических свойств, что делает его очень перспективным материалом для широкого использования в различных областях техники. В статье рассматриваются применения фианита в электронике в качестве монолитной подложки и буферного слоя для эпитаксии соединений A{II}IB{V}, а также в качестве просветляющего и защитного покрытия фотоприемников и солнечных элементов.


Доп.точки доступа:
Бузынин, А. Н.; Осико, В. В.; Бузынин, Ю. Н.; Звонков, Б. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Хрыкин, О. И.; Дроздов, М. Н.; Тришенков, М. А.; Лукьянов, А. Е.; Лукьянов, Ф. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

7.


   
    Солнечные элементы, сенсибилизированные красителем: современное состояние и перспективы развития [Текст] / С. А. Кисленко [и др. ] // Теплоэнергетика. - 2010. - N 11. - С. 58-64.
УДК
ББК 31.3 + 32.854
Рубрики: Энергетика
   Теплоэнергетика. Теплотехника в целом

   Радиоэлектроника

   Фотоэлектрические приборы

Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрические преобразователи -- красители -- солнечные элементы -- солнечная энергия -- сенсибилизированные красители -- полупроводниковые наноструктуры -- высокая электронная проводимость
Аннотация: Представлен обзор современных достижений и основных направлений исследования в области солнечных элементов, сенсибилизированных красителем.


Доп.точки доступа:
Кисленко, С. А.; Амиров, Р. Х.; Попель, О. С.; Самойлов, И. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

8.


   
    Молекулярно-лучевая эпитаксия структур GaAs/Si (001) для высокоэффективных тандемных А{III}B{v}/Si-преобразователей солнечной энергии на активной кремниевой подложке [Текст] / М. А. Путято [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 9. - С. 26-33. . - Библиогр.: c. 33 (21 назв. )
УДК
ББК 34.7
Рубрики: Машиностроение
   Отраслевое машиностроение

Кл.слова (ненормированные):
GaAs -- активная кремниевая подложка -- атомно-слоевая эпитаксия -- гетеропереход -- гетероструктуры -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- преобразователи солнечной энергии -- солнечная энергия -- солнечные элементы
Аннотация: Для выращивания пленок GaAs с низкой плотностью прорастающих дефектов в представленной работе был предложен метод низкотемпературной атомно-слоевой эпитаксии GaAs на начальной стадии формирования гетероперехода GaAs/Si. Было показано, что рост пленки GaAs может протекать, минуя стадию образования островков, если первый монослой GaAs был сформирован методом атомно-слоевой эпитаксии при низкой температуре (200-350 С). Был найден режим выращивания пленок GaAs на Si с плотностью прорастающих дислокаций менее 10 {6} см{-2}, что соответствует лучшим мировым достижениям. Показано, что при выращивании гетероперехода GaAs/Si в приповерхностном слое кремния формируется р-n-переход. Это позволяет создать высокоэффективные каскадные преобразователи солнечной энергии на основе соединений А{III}B{v} на активной подложке Si в едином ростовом цикле.


Доп.точки доступа:
Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Емельянов, Е. А.; Паханов, Н. А.; Преображенский, В. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

9.


   
    Антиотражающие покрытия фианита и ZrO[2] для солнечных элементов [Текст] / А. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 9. - С. 1282-1286. . - Библиогр.: c. 1286 (5 назв. )
УДК
ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
   Электровакуумные приборы

Кл.слова (ненормированные):
антиотражающие покрытия -- гетероэпитаксия -- диэлектрические подложки -- монолитные подложки -- просветляющие покрытия -- солнечные элементы -- фианит
Аннотация: Благодаря уникальному сочетанию физико-химических свойств, фианит является перспективным многофункциональным материалом новых электронных технологий. Его можно использовать практически во всех основных технологических звеньях создания приборов микро-, опто- и СВЧ-электроники: как монолитную диэлектрическую подложку и материал буферных слоев при гетероэпитаксии; как материал изолирующих, просветляющих и защитных слоев приборных структур, а также как подзатворный диэлектрик [1-3]. В настоящей статье рассматриваются возможности применения фианита и ZrO[2] в качестве просветляющего покрытия кремниевых солнечных элементов (СЭ), а также СЭ на основе гетероструктур InGaAsP.


Доп.точки доступа:
Бузынин, А. Н.; Бузынин, Ю. Н.; Осико, В. В.; Панов, В. И.; Звонков, Б. Н.; Чинарева, И. В.; Хакаушев, П. Е.; Тришенков, М. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.


    Алдошин, С. М.
    Достижения и инновационные перспективы химической науки [Текст] : доклад вице-президента РАН академика С. М. Алдошина / С. М. Алдошин // Вестник Российской академии наук. - 2012. - Т. 82, № 6. - С. 499-514 . - ISSN 0869-5873
УДК
ББК 31 + 35
Рубрики: Энергетика
   Общие вопросы энергетики

   Химическая технология

   Общие вопросы химической технологии

Кл.слова (ненормированные):
альтернативные источники энергии -- биотопливо -- возобновляемые источники энергии -- волоконные лазеры -- волоконные усилители -- катализаторы -- конструкционные материалы -- лекарственные препараты -- молекулярная электроника -- накопители энергии -- научные достижения -- нефтехимические процессы -- переработка газа -- переработка нефти -- переработка углеводородов -- полимерные композиционные материалы -- современная химия -- солнечная энергия -- солнечные элементы -- углеводородные ресурсы -- углеводороды -- химические науки -- электрохимические источники
Аннотация: Приведен текст доклада академика С. М. Алдошина о достижениях и инновационных перспективах химической науки.


Доп.точки доступа:
Российская академия наук; РАН

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

 1-10    11-20   21-29 
 
Статистика
за 06.07.2024
Число запросов 56075
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)