Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (2)

Труды АМГУ (1)

Выпускные квалификационные работы (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=радиационные дефекты<.>)

Общее количество найденных документов : 26
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-26

Влияние электронного облучения на фториды щелочно-земельных элементов (CaF[2], SrF[2] и BaF[2]) [Текст] / В. И. Николайчик [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 9. - С. 1143-1148. - Библиогр.: c. 1148 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a537.533.9

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
десорбция фтора -- дифракционный анализ -- радиационные дефекты -- фториды щелочно-земельных элементов -- электронное облучение -- электронные пучки -- элементный анализ
Аннотация: С использованием элементного и дифракционного анализа изучено влияние электронного облучения в колонне просвечивающего электронного микроскопа на фториды щелочно-земельных элементов CaF[2], SrF[2] и BaF[2]. Установлено, что при превышении плотности тока электронного пучка выше порогового значения наблюдаются десорбция фтора и связывание высвобождающихся ионов металла кислородом остаточного вакуума в оксидную фазу МеО (Ме = Ca, Sr, Ba), имеющую структуру каменной соли NaCl.

Доп.точки доступа:
Николайчик, В. И.; Соболев, Б. П.; Запорожец, М. А.; Авилов, А. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок n-GaN [Текст] / В. Н. Брудный [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 1. - С. 47-51. - Библиогр.: c. 51 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
Ферми уровень -- заглубление уровня Ферми -- нитрид галлия -- облучение электронами -- радиационные дефекты -- радиация -- уровень Ферми -- электронное облучение -- электронные свойства -- эпитаксиальные пленки n-GaN
Аннотация: Рассмотрено влияние облучения электронами (E=7, D= 10{16}-10{18} см{-2}) и последующей термообработки в интервале температур 100-1000 °С на электрофизические свойства нелегированных, n = 1 10{14}-1 10{16} см{-3}, промежуточно-легированных, (1, 2-2) -10{17} см{-3}, и сильно легированных кремнием, n = (2-3, 5) 10{18} см{-3}, эпитаксиальных пленок n-GaN, выращенных на подложке АI[2]О[3] (001) с использованием МОСГФЭ-технологии. Обнаружено увеличение удельного электросопротивления n-GaN и закрепление уровня Ферми в предельном положении вблизи Е[с] - 0, 9 эВ при электронном облучении. В интервале температур 100-1000 °С исследовано восстановление исходных свойств облученного материала. Выявлена стадия "обратного" отжига в интервале температур 300-400 °С.

Доп.точки доступа:
Брудный, В. Н.; Веревкин, С. С.; Колин, Н. Г.; Корулин, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Влияние радиационных дефектов на эффективность функционализации углеродных нанотрубок: расчеты из первых принципов [Текст] / А. В. Кособуцкий [и др.] // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. - 2012. - № 4. - С. 3-7 : табл., рис. - Библиогр.: c. 7 (7 назв. ) . - ISSN 2225-0999

УДК

^a539.2

^a536.22/.23

ББК 22.37 + 22.365
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Газы и жидкости
Кл.слова (ненормированные):
группы химических соединений -- радиационные дефекты -- тонкие пленки -- углеродные нанотрубки -- физические расчеты -- функционализация углеродных нанотрубок -- электронные свойства -- энергия связи молекул
Аннотация: Теоретически исследованы структуры зигзагообразных углеродных нанотрубок (УНТ) с вакансионными дефектами и рассчитаны энергии связи дефектных УНТ с внешними функциональными группами OH, COOH, NH; показано, что энергия связи молекул примесей с дефектными УНТ в несколько раз выше энергии взаимодействия примесей с идеальными нанотрубками.

Доп.точки доступа:
Кособуцкий, А. В.; Шандаков, С. Д.; Севостьянов, О. Г.; Звиденцова, Н. С.; Рыбаков, М. С.; Владимиров, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Смирнов, Е. А.
Влияние примесных комплексов на кинетику радиационного ускорения зернограничной диффузии в поликристаллических материалах [Текст] / Е. А. Смирнов, А. А. Шмаков, О. С. Якунина // Физика и химия обработки материалов. - 2012. - № 1. - С. 23-29.

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
примесные комплексы -- кинетика радиационного ускорения -- зернограничная диффузия -- поликристаллические материалы -- радиационные дефекты -- радиационностимулированная граничная диффузия
Аннотация: Представлена модель отжига радиационных дефектов в поликристаллическом материале, учитывающая зернограничную диффузию комплексов примесь–дефект и предсказывающая ускорение радиационностимулированной граничной диффузии (РСГД). Проведены качественные оценки величины эффекта примесного ускорения РСГД.

Доп.точки доступа:
Шмаков, А. А.; Якунина, О. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Стефановский, С. В.
ЭПР ионов переходных металлов и радиационных дефектов в материалах для иммобилизации радиоактивных шлаков [Текст] / С. В. Стефановский, Г. А. Малинина, О. И. Стефановская // Физика и химия обработки материалов. - 2012. - № 1. - С. 30-39.

УДК

^a621.039

ББК 31.4
Рубрики: Энергетика
Атомная энергетика
Кл.слова (ненормированные):
переходные металлы -- радиоактивные отходы -- стекломатериалы -- шлаки -- электронный парамагнитный резонанс -- ионы переходных металлов -- анионные мотивы стекломатериалов -- твердые радиоактивные отходы -- иммобилизация радиоактивных шлаков -- радиационные дефекты
Аннотация: На основе анализа спектров ЭПР рассмотрено структурное положение ионов и строение анионного мотива стекломатериалов, предназначенных для долговременного хранения твердых радиоактивных отходов. В спектрах ЭПР как необлученных, так и облученных стекломатериалов найдены сигналы от ионов Mn[2+], Fe[3+] и Cu[2+]. В спектрах стекломатериалов, легированных V[2]O[5], линий со сверхтонкой структурой от [51]V (IV) найдено не было, что, возможно, связано со стабилизацией состояния окисления V (III) или V (V). Анионный мотив структуры стекломатериалов на силикатной основе построен, в основном, из кремнекислородных тетраэдров с двумя-тремя мостиковыми ионами кислорода.

Доп.точки доступа:
Малинина, Г. А.; Стефановская, О. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Радиационно-стимулированные процессы в облученных кристаллах TLInS_2 гексагональной модификации [Текст] / Р. С. Мадатов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, № 10. - С. 91-94. - Библиогр.: c. 94 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
анизотропия электропроводимости кристаллов -- анионные подрешетки -- зонный спектр соединения -- радиационно-стимулированные процессы -- радиационное дефектообразавание -- радиационные дефекты -- электропроводность
Аннотация: Проведены исследования анизотропии электропроводимости в гексагональных кристаллах TLInS_2, облученных у-квантами. Установлено, что при облучении малыми дозами (~ 50 крад) происходит накопление радиационных дефектов в тетраэдрическом пространстве и в плоскости слоев. В результате этого увеличивается электропроводность. При увеличении дозы облучения (выше 200 крад) вследствие взаимодействия радиационных дефектов с исходными неоднородностями происходит образование сложных дефектов, в результате чего рост электропроводности в обоих направлениях ослабляется.

Доп.точки доступа:
Мадатов, Р. С.; Наджафов, А. И.; Мамедов, B. C.; Мамедов, М. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Талипов, Н. Х.
Влияние воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на электрофизические свойства гетероэпитаксиальных слоев Cd_xHg_1-xTe [Текст] / Н. Х. Талипов // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 12. - С. 3-14 : рис., табл. - Библиогр.: c. 14 (33 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a537.311.33

^a621.315.55/.58

ББК 22.379 + 31.232
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
ИК-излучение -- гетероэпитаксиальные слои -- гетероэпитаксиальные структуры -- дефектообразование -- ионная имплантация -- лазерное облучение -- облучение поверхностных слоев -- радиационные дефекты
Аннотация: Представлены результаты исследований электрофизических свойств гетероэпитаксиальных слоев Cd_xHg_1-xTe p- и n-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии после воздействия мощного импульсного ИК-излучения твердотельного YAG/Nd{3+}- и химического DF-лазеров, излучающих на длине волны 1, 06 и 3, 8-4, 2 мкм соответственно. Показано, что основным типом дефектов, возникающих в результате импульсного облучения, являются вакансии ртути, которые играют роль акцепторов в этом материале. Пространственное распределение генерируемых вакансий ртути зависит от интенсивности и длины волны лазерного излучения: дефекты, порождаемые импульсами YAG/Nd{3+}-лазера, концентрируются лишь вблизи поверхности, в то время как излучение DF-лазера создает дефекты по всему объему гетероэпитаксиальной структуры. Установлено, что облучение YAG/Nd{3+}-лазером имплантированных ионами бора гетероэпитаксиальных слоев Cd_xHg_1-xTe приводит к активации внедренных атомов бора в результате плавления и рекристаллизации облученного поверхностного слоя.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Изучение микроструктуры кристаллов Si, подвергнутых облучению быстрыми Н{+}-ионами и термообработке, методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и электронной просвечивающей микроскопии [Текст] / В. Е. Асадчиков [и др.] // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 10. - С. 1754-1762 : 7 рис. - Библиогр. в конце ст. (22 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
водород -- дифрактометрия -- ионы водорода -- кремний -- микроскопия -- постимплантационный отжиг -- просвечивающая электронная микроскопия -- радиационные дефекты -- трехкристальная рентгеновская дифрактометрия
Аннотация: Изучены структурные особенности образования радиационных дефектов в имплантированных протонами слоях кремниевых пластин в процессе их термической обработки.

Доп.точки доступа:
Асадчиков, В. Е.; Дьячкова, И. Г.; Золотов, Д. А.; Чуховский, Ф. Н.; Сорокин, Л. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Подливаев, А. И.
О магнитометрическом определении концентрации радиационных дефектов в сверхпроводящей пленке GdBa[2]Cu[3]O[7-x] [Текст] / А. И. Подливаев, И. А. Руднев // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 6. - С. 712-720 : 10 рис. - Библиогр. в конце ст. (22 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
GdBaCuO -- критический ток -- магнитометрия -- облучение -- радиационные дефекты -- сверхпроводники
Аннотация: Предложена экспрессная магнитометрическая методика, позволяющая определять неоднородность изменения сверхпроводящих свойств тонкого слоя сверхпроводника.

Доп.точки доступа:
Руднев, И. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

10.

Влияние радиационных дефектов различного типа на критический ток слоистого анизотропного сверхпроводника [Текст] / А. Н. Максимова, В. А. Кашурников, А. Н. Мороз, И. А. Руднев // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 11. - С. 1830-1836 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (39 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
анизотропные сверхпроводники -- критические токи -- радиационные дефекты -- сверхпроводники -- слоистые анизотропные сверхпроводники -- слоистые сверхпроводники
Аннотация: Исследовано влияние радиационных дефектов на критический ток слоистого анизотропного сверхпроводника.

Доп.точки доступа:
Максимова, А. Н.; Кашурников, В. А.; Мороз, А. Н.; Руднев, И. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

1-10 11-20 21-26

Тематический навигатор

Статистика за 03.09.2024
Число запросов	63294
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)