Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (2)

Труды АМГУ (1)

Выпускные квалификационные работы (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=радиационные дефекты<.>)

Общее количество найденных документов : 26
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-26

Асина, С. С.
Радиационная технология изготовления мощных кремниевых резисторов [Текст] / Асина С. С., Кокин С. А., Филатова Т. В. // Электричество. - 2011. - N 10. - С. 12-15. : 3 рис., 3 табл. - Библиогр.: с. 15 (6 назв. )

УДК

^a621.316.3/.5

ББК 31.264
Рубрики: Энергетика
Электрические аппараты в целом
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые резисторы -- кремний -- мощные резисторы -- радиационные дефекты -- радиационные технологии -- резисторы -- термоотжиг
Аннотация: Представлены результаты разработки радиационной технологии изготовления мощных кремниевых резисторов. Одним из оригинальных решений при этом является использование эффекта "отрицательного" отжига радиационных дефектов для уменьшения дозы облучения низкоомного кремния в 3-4 раза, что является следствием снижения себестоимости изготовления. Благодаря разработанной технологии стал возможным выпуск нового поколения мощных кремниевых резисторов с широким спектром Rном=0, 15-82 Ом, Pном=500-7500 Вт, Trm=125-180 C для комплектации энергосберегающей преобразовательной техники.

Доп.точки доступа:
Кокин, С. А.; Филатова, Т. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

Брудный, В. Н.
Уровень зарядовой нейтральности и закрепление уровня Ферми в нитридах A{3}N (BN, AIN, GaN, InN) [Текст] / В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий, Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 12. - С. 24-31. . - Библиогр.: c. 31 (37 назв. )

УДК

^a537.3

^a537.311.33

ББК 22.332 + 22.379
Рубрики: Физика
Электрический ток
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
нитриды -- радиационные дефекты -- химпотенциал -- энергетический спектр
Аннотация: На основе теории функционала плотности (DFT-GGA) рассчитаны энергетические спектры и положение уровня зарядовой нейтральности (CNL) в соединениях BN, A1N, GaN и InN кубической и гексагональной модификаций. Показано, что с ростом атомного веса катиона в соединении имеет место смещение уровня CNL из положения вблизи середины запрещенной зоны (33) в BN и A1N в верхнюю половину 33 в GaN и в область разрешенных энергий зоны проводимости в InN, что определяет полуизолирующие свойства BN и AIN, п-тип проводимости GaN и п{+}-тип проводимости InN при насыщении данных материалов собственными дефектами решетки за счет жесткого радиационного воздействия.

Доп.точки доступа:
Кособуцкий, А. В.; Колин, Н. Г.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Брудный, В. Н.
Электрофизические свойства диарсенида кадмия-кремния, облученного ионами H{+} [Текст] / В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 8. - С. 12-15. - Библиогр.: с. 15 (10 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
диарсенид кадмия-кремния -- протонное облучение -- радиационные дефекты -- термическая стабильность -- уровень Ферми -- Ферми уровень
Аннотация: Исследовано влияние протонного облучения на электрофизические свойства кристаллов -CdSiAs[2]. В результате облучения получены полуизолирующие образцы CdSiAs[2] с положением уровня Ферми вблизи [g]/2. Выполнены расчеты энергетического положения <нейтральной> точки соединения CdSiAs[2], исследована термическая стабильность радиационных дефектов.

Доп.точки доступа:
Ведерникова, Т. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Ванина, Е. А.
Пострадиационное упорядочение дефектов в керамических материалах [Текст] / Е. А. Ванина, Е. С. Астапова, Е. М. Веселова // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 2. - С. 47-49.

УДК

^a536.42

ББК 22.375
Рубрики: Физика
Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
керамические материалы -- математическое моделирование -- радиационные воздействия -- щелочно-галоидные кристаллы -- нейтронное облучение -- дислокации -- радиационные дефекты -- техническая керамика -- корундовая керамика
Аннотация: На основе математической модели упорядочения дислокаций получена оценка периода решетки плотности дислокаций в кристаллической фазе керамических материалов после нейтронного облучения.

Доп.точки доступа:
Астапова, Е. С.; Веселова, Е. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

   22.3
   Ф50

    Ванина, Е. А.
    Радиационные дефекты в натриево-силикатных стеклах [Текст] / Е. А. Ванина, М. А. Чибисова // Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование : материалы 6 регион. науч. конф. / ред. кол. А. Д. Плутенко, Е. С. Астапова. - Благовещенск : Изд-во Амур. гос. ун-та, 2006. - С. 36-37. - Библиогр. в конце ст.

ББК 22.3

Кл.слова (ненормированные):
радиационные дефекты -- силикатные стекла -- исследования

Доп.точки доступа:
Плутенко, А. Д. \ред.\; Астапова, Е.С. \ред.\; Чибисова, М. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние быстрых нейтронов на электрофизические свойства ядерно-легированного кремния р-типа [Текст] / М. Каримов [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 5. - С. 75-78. . - Библиогр.: c. 78 (8 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
быстрые нейтроны -- микронеоднородность -- подвижность носителей заряда -- потенциальный барьер -- радиационные дефекты -- скорость удаления носителей -- удельное сопротивление -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- флюенс быстрых нейтронов -- Холла эффект -- эффект Холла -- ядерно-легированный кремний р-типа
Аннотация: Исследуется влияние дефектов, наведенных облучением быстрыми нейтронами, на скорость удаления носителей заряда в ядерно-легированном кремнии (р-Si<В, P>) и контрольном р-Si<В> методом измерения коэффициента Холла и удельного сопротивления при комнатной температуре. Показано, что скорость удаления носителей заряда в р-Si<В, P> быстрее, чем в р-Si<В>. Предлагается барьерная модель, объясняющая наблюдаемый эффект.

Доп.точки доступа:
Каримов, М.; Махкамов, Ш.; Турсунов, Н. А.; Махмудов, Ш. А.; Сулаймонов, А. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Влияние радиационных дефектов на эффективность функционализации углеродных нанотрубок: расчеты из первых принципов [Текст] / А. В. Кособуцкий [и др.] // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. - 2012. - № 4. - С. 3-7 : табл., рис. - Библиогр.: c. 7 (7 назв. ) . - ISSN 2225-0999

УДК

^a539.2

^a536.22/.23

ББК 22.37 + 22.365
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Газы и жидкости
Кл.слова (ненормированные):
группы химических соединений -- радиационные дефекты -- тонкие пленки -- углеродные нанотрубки -- физические расчеты -- функционализация углеродных нанотрубок -- электронные свойства -- энергия связи молекул
Аннотация: Теоретически исследованы структуры зигзагообразных углеродных нанотрубок (УНТ) с вакансионными дефектами и рассчитаны энергии связи дефектных УНТ с внешними функциональными группами OH, COOH, NH; показано, что энергия связи молекул примесей с дефектными УНТ в несколько раз выше энергии взаимодействия примесей с идеальными нанотрубками.

Доп.точки доступа:
Кособуцкий, А. В.; Шандаков, С. Д.; Севостьянов, О. Г.; Звиденцова, Н. С.; Рыбаков, М. С.; Владимиров, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние радиационных дефектов различного типа на критический ток слоистого анизотропного сверхпроводника [Текст] / А. Н. Максимова, В. А. Кашурников, А. Н. Мороз, И. А. Руднев // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 11. - С. 1830-1836 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (39 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
анизотропные сверхпроводники -- критические токи -- радиационные дефекты -- сверхпроводники -- слоистые анизотропные сверхпроводники -- слоистые сверхпроводники
Аннотация: Исследовано влияние радиационных дефектов на критический ток слоистого анизотропного сверхпроводника.

Доп.точки доступа:
Максимова, А. Н.; Кашурников, В. А.; Мороз, А. Н.; Руднев, И. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

Влияние электрических полей на динамику изменений микротвердости кремния, индуцируемых низкоинтенсивным бета-излучением [Текст] / А. А. Дмитриевский [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 7. - С. 988-990. . - Библиогр.: c. 990 (5 назв. )

УДК

^a539.21:539.12.04

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
электрическое поле -- низкоинтенсивное бета-облучение -- радиационные дефекты -- микротвердость -- кристаллы кремния -- динамика изменений -- экспериментальные исследования
Аннотация: Обнаружено замедляющее действие электрического поля (ЭП) на процесс изменения микротвердости кремния, индуцируемый низкоинтенсивным (I=10. 4x10{4}см{-2}xc{-1}) бета-облучением.

Доп.точки доступа:
Дмитриевский, А. А.; Головин, Ю. И.; Васюков, В. М.; Сучкова, Н. Ю.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.

Влияние электронного облучения на фториды щелочно-земельных элементов (CaF[2], SrF[2] и BaF[2]) [Текст] / В. И. Николайчик [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 9. - С. 1143-1148. - Библиогр.: c. 1148 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a537.533.9

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
десорбция фтора -- дифракционный анализ -- радиационные дефекты -- фториды щелочно-земельных элементов -- электронное облучение -- электронные пучки -- элементный анализ
Аннотация: С использованием элементного и дифракционного анализа изучено влияние электронного облучения в колонне просвечивающего электронного микроскопа на фториды щелочно-земельных элементов CaF[2], SrF[2] и BaF[2]. Установлено, что при превышении плотности тока электронного пучка выше порогового значения наблюдаются десорбция фтора и связывание высвобождающихся ионов металла кислородом остаточного вакуума в оксидную фазу МеО (Ме = Ca, Sr, Ba), имеющую структуру каменной соли NaCl.

Доп.точки доступа:
Николайчик, В. И.; Соболев, Б. П.; Запорожец, М. А.; Авилов, А. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

1-10 11-20 21-26

Тематический навигатор

Статистика за 03.09.2024
Число запросов	60210
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)