Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска
БД "Книги"
БД "Статьи"
Труды АМГУ
Выпускные квалификационные работы
Антитеррор
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=постоянная времен релаксации основных носителей заряда<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Каримов М., Махкамов Ш., Турсунов Н. А., Махмудов Ш. А., Бегматов К. А., Караходжаев А. К., Садиков А. Х.
Заглавие : Кинетика релаксации фотопроводимости в кремнии р-типа, компенсированном атомами фосфора
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 5. - С. 9-12 (Шифр izph/2009/52/5)
Примечания : Библиогр.: c. 12 (7 назв. )
УДК : 530.1 + 621.315.55/.58
ББК : 22.31 + 31.232
Предметные рубрики: Физика
Теоретическая физика
Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Аннотация: Обсуждается кинетика релаксации Фотопроводимости нейтронно-легированного кремния (НЛК) р-типа. Обнаружено, что в компенсированном p-SiВ, Р и контрольном p-SiВ релаксационный процесс происходит различным образом. Различие объясняется на базе представлений о разной степени микронеоднородности по проводимости материала. Для определения термоотжига структурных дефектов предлагается метод, основанный на изучении зависимости подвижности носителей заряда от времени отжига.
Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 07.07.2024
Число запросов 34618
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)