Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Труды АМГУ (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=подложка<.>)

Общее количество найденных документов : 22
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-22

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Буравцова В. Е., Ганьшина Е. А., Иванова О. С., Калинин Ю. Е., Киров С. А., Пхонгхирун С., Ситников А. В.
Заглавие : Эволюция магнитооптических свойств нанокомпозитов (Co) [x] (LiNbO[3]) [100-x] при изменении давления кислорода в процессе изготовления
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 11. - С. С. 1583-1584 (Шифр ranf/2007/71/11)
Примечания : Библиогр.: c. 1584 (3 назв. )
УДК : 537.632
ББК : 22.33
Предметные рубрики: Физика
Электричество и магнетизм
Аннотация: Представлены результаты исследования влияния атмосферы в распылительной камере и состояния подложки на магнитооптические свойства нанокомпозитов (Co) [x] (LiNbO[3]) [100-x].
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Богомолов А. А., Сергеева О. Н., Пронин И. П., Каптелов Е. Ю., Киселев Д. А., Холкин А. Л.
Заглавие : Пироэлектрические и пьезоэлектрические петли гистерезиса в тонких пленках ЦТС с избыточным содержанием оксида свинца
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 10. - С. С. 1422-1423 (Шифр ranf/2007/71/10)
Примечания : Библиогр.: c. 1423 (6 назв. )
УДК : 537.226
ББК : 22.33
Предметные рубрики: Физика
Электричество и магнетизм
Аннотация: Проведен сравнительный анализ пироэлектрических и пьезоэлектрических петель гистерезиса тонких пленок PbZr[0. 54]Ti[0. 46]O[3]+10 мол. % PbO, сформированных в идентичных условиях на подложках ситалла и кремния. Существенные различия в поведении исследуемых параметров связаны с различным характером двуосных механических напряжений, действующих на сегнетоэлектрическую пленку со стороны ситалловой и кремниевой подложек.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Филиппов В. В., Переславцева Н. С., Курганский С. И.
Заглавие : Квантово-химическое моделирование структуры напряженных нанокристаллов кремния на германиевой подложке
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 9. - С. 1314-1316 (Шифр ranf/2008/72/9)
Примечания : Библиогр.: c. 1316 (11 назв. )
УДК : 539.19:541.621:526.26
ББК : 22.36
Предметные рубрики: Физика
Молекулярная физика в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): квантово-химическое моделирование--атомная структура--электронные свойства--кремниевые нанокристаллы--германиевая подложка--нанокластеры--энергетические характеристики
Аннотация: Представлены результаты оптимизации атомной и электронной структуры напряженных кремниевых кластеров Si[51] на германиевой подложке. Изучено взаимодействие граничных атомов нанокластеров с подложкой.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 51/Б 26
Автор(ы) : Барышев А. В. (Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова), Еремин Ю. А.
Заглавие : Новая математическая модель анализа малозаметных дефектов подложки
Место публикации : Математическое моделирование. - 2010. - Т. 22, N 5. - С.122-130: 6 рис. - ISSN 0234-0879 (Шифр matm/2010/22/5). - ISSN 0234-0879
Примечания : Библиогр.: с. 122-130
УДК : 51 + 519.6
ББК : 22.19 + 22.19
Предметные рубрики: Математика
Вычислительная математика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): подложка--дефекты подложки--математическое моделирование--задача рассеяния трехмерная
Аннотация: Предложена новая модель анализа таких малозаметных дефектов подложки, как пологие полости и выпуклости в подложке. Приведено исследование и получены результаты применения модели для случая трехмерной задачи рассеяния на различных дефектах подложки.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тополянский П. А., Ермаков С. А., Соснин Н. А., Тополянский А. П.
Заглавие : Тепловое состояние системы покрытие–подложка в условиях финишного плазменного упрочнения
Серия: Плазмохимические способы получения и обработки материалов
Место публикации : Физика и химия обработки материалов. - 2011. - N 1. - С. 32-35 (Шифр phch/2011/1)
УДК : 621.78
ББК : 34.65
Предметные рубрики: Машиностроение
Упрочнение металлов
Аннотация: Путем решения тепловой задачи проведено моделирование распределения температуры в системе покрытие–подложка в условиях безвакуумного финишного плазменного упрочнения металлической поверхности. Показано, что скорость охлаждения покрытия достигает 1010-1012 градусов в секунду, и в поверхностном слое металла на глубину до 10 мкм возникают сжимающие напряжения, вызывающие его упрочнение.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Путято М. А., Семягин Б. Р., Емельянов Е. А., Паханов Н. А., Преображенский В. В.
Заглавие : Молекулярно-лучевая эпитаксия структур GaAs/Si (001) для высокоэффективных тандемных А{III}B{v}/Si-преобразователей солнечной энергии на активной кремниевой подложке
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 9. - С. 26-33 (Шифр izph/2010/53/9)
Примечания : Библиогр.: c. 33 (21 назв. )
УДК : 621
ББК : 34.7
Предметные рубрики: Машиностроение
Отраслевое машиностроение
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): gaas--активная кремниевая подложка--атомно-слоевая эпитаксия--гетеропереход--гетероструктуры--молекулярно-лучевая эпитаксия--преобразователи солнечной энергии--солнечная энергия--солнечные элементы
Аннотация: Для выращивания пленок GaAs с низкой плотностью прорастающих дефектов в представленной работе был предложен метод низкотемпературной атомно-слоевой эпитаксии GaAs на начальной стадии формирования гетероперехода GaAs/Si. Было показано, что рост пленки GaAs может протекать, минуя стадию образования островков, если первый монослой GaAs был сформирован методом атомно-слоевой эпитаксии при низкой температуре (200-350 С). Был найден режим выращивания пленок GaAs на Si с плотностью прорастающих дислокаций менее 10 {6} см{-2}, что соответствует лучшим мировым достижениям. Показано, что при выращивании гетероперехода GaAs/Si в приповерхностном слое кремния формируется р-n-переход. Это позволяет создать высокоэффективные каскадные преобразователи солнечной энергии на основе соединений А{III}B{v} на активной подложке Si в едином ростовом цикле.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Котова А. Н. (аспирант), Лобанова Л. А.
Заглавие : Мраморирование - метод художественного оформления текстильных материалов
Серия: Технологии
Место публикации : Текстильная промышленность. - 2011. - N 4. - С. 32-35 (Шифр tepr/2011/4)
Примечания : Библиогр.: с. 35 (5 назв. )
УДК : 677
ББК : 37.23
Предметные рубрики: Легкая промышленность
Текстильное производство
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): текстильные материалы--оформление материалов--художественное оформление--методы оформления--мраморирование--мраморные рисунки--составы для мраморирования--подложка--вязкие композиции--красители--растворы красителей--водные растворы--загущенные растворы--пенные композиции--текстильно-вспомогательные вещества
Аннотация: Разработан новый способ художественного оформления текстильных материалов, заключающийся в том, что рисунок создается с помощью загущенных растворов красителей и текстильно-вспомогательных веществ, наносимых на слой пенной композиции. Предварительно обработанный растворами электролитов текстильный материал помещается на поверхность созданной вязкой композиции, пропитывается водными растворами красителей и текстильно-вспомогательных веществ, избыток композиции удаляется; материал высушивается и окраска фиксируется при термической обработке.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Лошкарев И. Д., Труханов Е. М., Романюк К. Н., Качанова М. М.
Заглавие : Теоретическое и экспериментальное определение начальной стадии пластической релаксации напряжений несоответствия в гетеросистеме подложка (111)- островки пленки
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 3. - С.425-428. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2012/76/3). - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: c. 428 (11 назв. )
УДК : 539.23
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биатомные слои--гетеросистемы--граница раздела--дислокации несоответствия--пластическая релаксация--размерные эффекты--химическое травление--эпитаксиальные пленки
Аннотация: Развита модель определения критической толщины пленки h[С] для введения дислокаций несоответствия по плоскостям скольжения пленки и подложки, параллельным границе раздела (111). Экспериментальные величины h[С], согласующиеся с расчетными, определены для гетеросистем Ge/Si (111) и Si[3]N[4]/Ge (111). Реализован двухуровневый эпитаксиальный рост Ge на Si в режиме комбинации механизмов ступенчато-слоевого и 2D-островкового роста.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Коваль Н. Н., Иванов Ю. Ф., Ласковнев А. П., Углов В. В., Черенда Н. Н., Колубаева Ю. А., Маркова Е. А., Тересов А. Д., Москвин П. В.
Заглавие : Структура и свойства поверхностного сплава, формируемого при обработке высокоинтенсивным электронным пучком системы пленка - подложка
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, № 9. - С.70-79. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2011/54/9). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 78-79 (19 назв. )
УДК : 533.9
ББК : 22.333
Предметные рубрики: Физика
Электронные и ионные явления. Физика плазмы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): алюминиды титана--материаловедение--наноразмерные частицы--поверхностное упрочнение--поверхностные сплавы--силициды титана--титан--упрочняющие технологии
Аннотация: Выполнена обработка систем пленка-подложка высокоинтенсивным электронным пучком субмиллисекундной длительности воздействия. Осуществлены исследования и показано, что электронно-пучковая обработка системы пленка-подложка сопровождается легированием поверхностного слоя материала на глубину расплава с формированием фаз наноразмерного диапазона.
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Высокоморная О. В., Стрижак П. А.
Заглавие : Пожарная опасность взаимодействия тонкой пленки жидкого топлива с массивной разогретой до высоких температур подложкой
Серия: Наука и техника
Место публикации : Безопасность труда в промышленности. - 2012. - № 6. - С.48-52. - ISSN 0409-2961 (Шифр bezp/2012/6). - ISSN 0409-2961
Примечания : Библиогр.: с. 52 (23 назв.)
УДК : 536.42
ББК : 22.375
Предметные рубрики: Физика
Термодинамика твердых тел
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): тонкая пленка--зажигание--массивная подложка--пожарная опасность--жидкое топливо
Аннотация: Выполнено численное исследование макроскопических закономерностей взаимодействия тонкой пленки типичного жидкого топлива с разогретой до высоких температур металлической подложкой. Установлены условия возгорания топлива. Определены предельные значения температуры подложки и толщины пленки жидкости, при которых зажигание не происходит.
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Курчак А. И., Стриха М. В.
Заглавие : Антигистерезис сопротивления графена на подложке сегнетоэлектрика Pb(Zr[x]Ti[1-x])O[3]
Серия: Порядок, беспорядок и фазовые переходы в конденсированных средах
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 143, вып. 1. - С.129-135. - ISSN 0044-4510 (Шифр zhtf/2013/143/1). - ISSN 0044-4510
Примечания : Библиогр.: с. 135
УДК : 530.1
ББК : 22.31
Предметные рубрики: Физика
Теоретическая физика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): антигистерезис--сопротивление графена--графен--подложка сегнетоэлектрика--сегнетоэлектрики--антигистерезисное поведение
Аннотация: Построена количественная модель для объяснения антигистерезисного поведения сопротивления графена на подложке сегнетоэлектрика Pb (Zr[x]Ti[1-x]) O[3] с изменением напряжения на затворе.
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кашурников В. А., Максимова А. Н., Руднев И. А., Сотникова А. П.
Заглавие : Нелинейное взаимодействие ферромагнетика и высокотемпературного сверхпроводника
Серия: Порядок, беспорядок и фазовые переходы в конденсированных средах
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 143, вып. 3. - С.546-556. - ISSN 0044-4510 (Шифр zhtf/2013/143/3). - ISSN 0044-4510
Примечания : Библиогр.: с. 556
УДК : 530.1
ББК : 22.31
Предметные рубрики: Физика
Теоретическая физика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ферромагнетики--ферромагнетизм--сверхпроводники--высокотемпературные сверхпроводники--втсп--нелинейное взаимодействие--взаимодействие сверхпроводника--взаимодействие ферромагнетика--ферромагнитная подложка--метод монте-карло--монте-карло метод
Аннотация: Проведены точный расчет и экспериментальное наблюдение процессов перемагничивания слоистого высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП), находящегося в непосредственном контакте с ферромагнитной подложкой.
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Емельянов Е. А., Коханенко А. П., Пчеляков О. П., Лошкарев И. Д., Селезнев В. А., Путято М. А., Семягин Б. Р., Преображенский В. В., Zhicuan Niu, Haiqiao Ni
Заглавие : Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001)
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 1. - С.49-54: рис. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2013/56/1). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 54 (10 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): атомно-силовая микроскопия--вицинальная подложка--кристаллографические свойства пленок--метод млэ--молекулярно-лучевая эпитаксия--морфология поверхности--эпитаксиальные пленки--эпитаксия
Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) выращены пленки GaAs на подложках Si, отклоненных от плоскости (001) на 6° в направлении. Пленки GaAs выращивались как на поверхности Si, терминированной атомами мышьяка, так и на тонких псевдоморфных слоях GaP/Si. Зарождение слоев GaAs осуществлялось методом атомно-слоевой эпитаксии при низкой температуре. Выращенные структуры различались кристаллографической ориентацией пленки GaAs относительно направления отклонения подложки. Методами рентгеновской дифрактометрии и атомно-силовой микроскопии (АСМ) проведены исследования выращенных структур.
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Ващенко Е. В., Гладских И. А., Пржибельский С. Г., Хромов В. В., Вартанян Т. А.
Заглавие : Проводимость и фотопроводимость гранулированной пленки серебра на сапфировой подложке
Серия: Физическая оптика
Место публикации : Оптический журнал. - 2013. - Т. 80, № 5. - С.3-10: граф. - ISSN 0030-4042 (Шифр opzh/2013/80/5). - ISSN 0030-4042
УДК : 535
ББК : 22.34
Предметные рубрики: Физика
Оптика в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гранулированные пленки серебра--диэлектрические подложки--ловушки в подложке--энергия активации--фотопроводимость--сапфировая подложка
Аннотация: Исследованы фотоэлектронные свойства высокоомной пленки серебра на сапфире.
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Морозова Е. О., Морозов О. А., Казанцев В. Б.
Заглавие : Стимуляция передачи сигналов в модели нейронов, взаимодействующих с активной транзисторной подложкой
Место публикации : Известия вузов. Радиофизика. - 2012. - Т. 55, № 12. - С.789-799: 3 рис., 1 табл. - ISSN 0021-3462 (Шифр irad/2012/55/12). - ISSN 0021-3462
Примечания : Библиогр.: с. 798 (16 назв. )
УДК : 004.94 + 576.3
ББК : 32.973-018.2 + 28.05
Предметные рубрики: Вычислительная техника
Имитационное компьютерное моделирование
Биология
Общая цитология
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторная подложка--модель нейроэлектронного интерфейса--индуцированная синаптическая пластичность--нейронные генераторы--сигналы--передача сигналов--межнейронная передача сигналов
Аннотация: В статье рассматривается модель нейроэлектронного интерфейса, состоящая из синаптически связанных нейронных генераторов, взаимодействующих с транзисторной подложкой. Исследуется эффект индуцированной синаптической пластичности, т. е. динамического усиления связи между нейронными генераторами за счет активации параллельного синаптическому канала передачи сигнала через транзисторную подложку. Показано, что такая подложка может играть роль активной среды, регулирующей характеристики межнейронной передачи сигналов.
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кукушкин С. А., Осипов А. В., Сергеева О. Н., Киселев Д. А., Богомолов А. А., Солнышкин А. В., Каптелов Е. Ю., Сенкевич С. В., Пронин И. П.
Заглавие : Пироэлектрический и пьезоэлектрический отклики тонких пленок AlN, эпитаксиально выращенных на подложке SiC/Si
Серия: Сегнетоэлектричество
Место публикации : Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 5. - С.937-940: 6 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2016/58/5). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (13 назв.)
УДК : 539.21:537
ББК : 22.373
Предметные рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): aln--sic/si--выращенные пленки--пироэлектрический отклик--пленки aln--подложка sic/si--пьезоэлектрический отклик--тонкие пленки--эпитаксиальное выращивание
Аннотация: Представлены результаты пироэлектрических и пьезоэлектрических исследований пленок AlN, сформированных методами хлорид-гидридной эпитаксии и молекулярно-лучевой эпитаксии на выращенных методом замещения атомов эпитаксиальных нанослоях SiC на Si.
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Резник Р. Р., Котляр К. П., Илькив И. В., Сошников И. П., Кукушкин С. А., Осипов А. В., Никитина Е. В., Цырлин Г. Э.
Заглавие : Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 10. - С.1886-1889: 3 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2016/58/10). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (16 назв.)
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): gan--sic/si (111)--молекулярно-пучковая эпитаксия--нанокристаллы gan--нитевидные нанокристаллы--оптические свойства--подложка sic/si (111)--эпитаксия
Аннотация: Продемонстрирована принципиальная возможность выращивания нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевой подложке с наноразмерным буферным слоем карбида кремния.
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Моисеев К. Д., Романов В. В., Кудрявцев Ю. А.
Заглавие : Особенности формирования эпитаксиальных слоев InAsSbP на подложке InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 11. - С.2203-2207: 5 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2016/58/11). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (6 назв.)
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): inassbp--газофазная эпитаксия--металлоорганические соединения--подложка inas--эпитаксиальные слои inassbp
Аннотация: Послойный анализ вторичных ионов показал градиентное изменение состава вдоль направления наращивания.
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Хашим Х., Сингх С. П., Панина Л. В., Пудонин Ф. А., Шерстнев И. А., Подгорная С. В., Шпетный И. А., Беклемишева А. В.
Заглавие : Применение метода спектральной эллипсометрии для характеризации наноразмерных пленок с ферромагнитными слоями
Серия: Магнетизм
Место публикации : Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 11. - С.2191-2195: 7 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2017/59/11). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (19 назв.)
УДК : 539.21:537
ББК : 22.373
Предметные рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел --Россия --Нижний Новгород, 2017 г.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): магнитооптика--наноразмерные пленки--ситалловая подложка--спектральная эллипсометрия--ферромагнитные слои--эллипсометрия
Аннотация: С помощью методов эллипсометрии были исследованы оптические и структурные параметры многослойных пленок на ситалловой подложке.
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Заглавие : Адгезивы для самоклеящихся этикеток
Серия: Материалы
Место публикации : Тара и упаковка. - 2018. - № 3. - С.14-15: 2 фот. - ISSN 0868-5568 (Шифр trup/2018/3). - ISSN 0868-5568
УДК : 658.5
ББК : 65.291.8
Предметные рубрики: Экономика
Организация производства
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): адгезивы--готовая продукция--подложка--потребление--праймер--самоклеящиеся этикетки--силикон--сухие этикетки--термоадгезивы--технологии изготовления
Аннотация: О составе и производстве самоклеящихся этикеток.
Найти похожие

1-20 21-22

Тематический навигатор

Статистика за 10.09.2024
Число запросов	39161
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)