Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска
БД "Книги"
БД "Статьи"
Труды АМГУ
Выпускные квалификационные работы
Антитеррор
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=подвижность носителей заряда<.>)
Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кашкаров П. К., Тимошенко В. Ю., Воронцов А. С., Форш П. А., Латышева А. П., Мартышов М. Н.
Заглавие : Подвижность носителей заряда в слоях пористого кремния
Серия: Электронные свойства твердых тел
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 134, вып. 6. - С. 1195-1199 (Шифр zhtf/2008/134/6)
Примечания : Библиогр.: с. 1199
УДК : 539.21:537
ББК : 22.373
Предметные рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Аннотация: Оценена подвижность носителей заряда в слоях пористого кремния.
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Каримов М., Махкамов Ш., Турсунов Н. А., Махмудов Ш. А., Сулаймонов А. А.
Заглавие : Влияние быстрых нейтронов на электрофизические свойства ядерно-легированного кремния р-типа
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 5. - С. 75-78 (Шифр izph/2011/54/5)
Примечания : Библиогр.: c. 78 (8 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): быстрые нейтроны--микронеоднородность--подвижность носителей заряда--потенциальный барьер--радиационные дефекты--скорость удаления носителей--удельное сопротивление--уровень ферми--ферми уровень--флюенс быстрых нейтронов--холла эффект--эффект холла--ядерно-легированный кремний р-типа
Аннотация: Исследуется влияние дефектов, наведенных облучением быстрыми нейтронами, на скорость удаления носителей заряда в ядерно-легированном кремнии (р-SiВ, P) и контрольном р-SiВ методом измерения коэффициента Холла и удельного сопротивления при комнатной температуре. Показано, что скорость удаления носителей заряда в р-SiВ, P быстрее, чем в р-SiВ. Предлагается барьерная модель, объясняющая наблюдаемый эффект.
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Гасумянц В. Э., Мартынова О. А.
Заглавие : Сравнительное исследование коэффициента Нернста - Эттингсгаузена в нормальной фазе в системах Y[1-x]Pr[x]Ba[2]Cu[3]O[y] и Y[0.85-x]Pr[x]Ca[0.15]Ba[2]Cu[3]O[y]
Серия: Сверхпроводимость
Место публикации : Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 8. - С.1424-1432: 5 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2019/61/8). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (54 назв.)
УДК : 539.21:537
ББК : 22.373
Предметные рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нернста - эттингсгаузена коэффициент--высокотемпературные сверхпроводники--коэффициент нернста - эттингсгаузена--подвижность носителей заряда--сверхпроводники--энергетические спектры
Аннотация: Представлены результаты сравнительного исследования модификации температурных зависимостей коэффициента Нернста - Эттингсгаузена под действием легирования празеодимом в двух сериях образцов состава Y[1-x]Pr[x]Ba[2]Cu[3]O[y] и Y[0. 85-x]Pr[x]Ca[0. 15]Ba[2]Cu[3]O[y].
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Байрамов Б. Х., Топоров В. В., Байрамов Ф. Б.
Заглавие : Оптическая характеризация структурных и электрических свойств нанослоев n-GaP, выращенных на проводящих подложках (001) n-GaP
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 1. - С.80-84. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2021/63/1). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (26 назв.)
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): n-gap--нанослои n-gap--носители заряда--оптическая характеризация--подвижность носителей заряда--подложки--сильнолегированная подложка
Аннотация: Приводятся результаты исследования структурных и электрических свойств гомоэпитаксиального наномасштабного слоя (001) n-GaP, выращенного методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на проводящей сильнолегированной подложке кристалла n-GaP, ориентированного по оси (001).
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Бутко А. В., Бутко В. Ю., Кумзеров Ю. А.
Заглавие : Зависимость подвижности носителей заряда в гибридных наноструктурах на интерфейсе графена с молекулярными ионами от их зарядовой плотности
Серия: Графены
Место публикации : Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 11. - С.1960-1963: 3 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2021/63/11). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (19 назв.)
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гибридные наноструктуры--графены--зарядовая плотность--кристаллография в целом--молекулярные ионы--носители заряда--подвижность носителей заряда--транзисторы
Аннотация: Исследована зависимость подвижности носителей заряда в гибридных наноструктурах от плотности интерфейсных молекулярных ионов (Nii).
Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 04.09.2024
Число запросов 12894
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)