Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Поисковый запрос: (<.>K=пассивация поверхности полупроводника<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика/А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика, 2010. т.Т. 53,N N 2
 
Статистика
за 29.06.2024
Число запросов 26310
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)