Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска
БД "Книги"
БД "Статьи"
Труды АМГУ
Выпускные квалификационные работы
Антитеррор
Область поиска
 Найдено в других БД:БД "Книги" (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=нитрид кремния<.>)
Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Атамуратов А.Э., Матрасулов Д. У., Хабибуллаев П. К.
Заглавие : Детектирование заряда встроенного в оксидном слое МОП-транзистора, боковым С-V-измерением
Серия: Техническая физика
Место публикации : Доклады Академии наук. - 2007. - Т. 414, N 6. - С. 761-764 (Шифр dran/2007/414/6)
Примечания : Библиогр.: с. 764 (9 назв. )
ISSN: 0869-5652
УДК : 621.03
ББК : 30.13
Предметные рубрики: Техника-- Техническая физика
Аннотация: Изучается возможность детектирования локального заряда в SiO[2]-слое МОП-транзистора простым C-V-измерением перехода исток-подложка.
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Власукова Л. А., Комаров Ф. Ф., Ювченко В. Н., Скуратов В. А., Дидык А. Ю., Плякин Д. В.
Заглавие : Ионные треки в аморфном нитриде кремния
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74. N 2. - С.226-228. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2010/74/2). - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: c. 228 (14 назв. )
УДК : 538.95-405:539.12.04 + 548:539.12.04
ББК : 22.3 + 26.303
Предметные рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Геология
Минералогия
Аннотация: Исследована морфология треков быстрых ионов, выявленных в аморфном нитриде кремния после обработки в растворе HF. Структуры Si[3]N[4]/Si облучались ионами Fe, Kr, W в режиме электронных потерь. Прерывистые треки выявлены только при облучении W с максимальными для условий нашего эксперимента электронными потерями (20. 4 кэВ х нм[-1]). Представлены результаты расчета трекообразования в Si3N4 на базе модели термического пика.
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Некрашевич С. С., Гриценко В. А., Клаузер Р., Гво С.
Заглавие : Электронная структура нитрида кремния по данным ab initio квантово-химических расчетов и эксперимента
Серия: Электронные свойства твердых тел
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 138, вып. 4. - С. 745-753 (Шифр zhtf/2010/138/4)
Примечания : Библиогр.: с. 752-753
УДК : 530.1
ББК : 22.31
Предметные рубрики: Физика
Теоретическая физика
Аннотация: Изучена электронная структура нитрида кремния по данным ab initio квантово-химических расчетов и эксперимента.
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Авилкина В. С., Андрианова Н. Н., Борисов А. М., Виргильев Ю. С., Куликаускас В. С., Машкова Е. С., Тимофеев М. А.
Заглавие : Применение ионных пучков для исследования углерод-керамического композита
Серия: Воздействие потоков энергии на материалы
Место публикации : Физика и химия обработки материалов. - 2010. - N 6. - С. 10-14 (Шифр phch/2010/6)
УДК : 621.039.6
ББК : 34.1
Предметные рубрики: Технология металлов
Общая технология металлов
Аннотация: Методами оптической и растровой электронной микроскопии и энергодисперсионного анализа изучено ионно-лучевое травление поверхности углерод-керамического композита при бомбардировке ионами Ar и изменение состава поверхностного слоя при имплантации атомарными и молекулярными ионами азота. Показано, что имплантированный азот внедряется, в основном, в кремнийсодержащие структурные составляющие композита, а его концентрация в модифицированном слое может достигать 50 ат. %. Ионное распыление является эффективным методом травления поверхности композита для анализа микроструктуры.
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Уракаев Ф. Х., Шевченко В. С., Кононова Н. Г., Светлякова Т. Н., Кох А. Е.
Заглавие : Влияние механической активации на свойства шихты для выращивания монокристаллов NaBi (WO[4]) [2] и ScBaNa (BO[3]) [2]
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 5. - С. 664-667 (Шифр ranf/2011/75/5)
Примечания : Библиогр.: c. 666-667 (12 назв. )
УДК : 53.091 + 548-1:55
ББК : 22.3 + 26.303
Предметные рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Геология
Минералогия
Аннотация: Проведено сравнительное исследование влияния "незагрязняющей" механической активации (без абразивно-реакционного износа материала мелющих тел механохимических реакторов) оксидно-карбонатно-кислотных систем на синтез и свойства шихты для выращивания объемных кристаллов.
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Ануров А. Е., Данилов А. А., Жуков А. А.
Заглавие : Влияние технологических параметров на свойства наноразмерных пленок нитрида кремния, осажденных в индуктивно-связанной плазме
Серия: Технология наноматериалов и наноструктур
Место публикации : Наноматериалы и наноструктуры. - 2011. - № 4. - С.43-47: ил. (Шифр ninm/2011/4)
Примечания : Библиогр.: с. 46-47 (10 назв.)
УДК : 544.22
ББК : 24.52
Предметные рубрики: Химия
Химия твердого тела
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноразмерные пленки--нитрид кремния--химическое газофазное осаждение--электрическая прочность--коэффициент преломления--индуктивно-связанная плазма
Аннотация: Рассмотрены технологические особенности формирования слоев нитрида кремния толщиной 70... 170 нм, осаждаемых методом плазмоактивируемого процесса химического осаждения из газовой фазы при низком давлении. Исследованы оптические и электрические характеристики слоев нитрида кремния в зависимости от технологических режимов их получения.
Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 18.09.2024
Число запросов 23610
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)