Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=низкотемпературные отжиги<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Протасов Д. Ю., Новоселов А. Р., Комбаров Д. В., Костюченко В. Я., Долбак А. Е., Михайлов Н. Н., Дворецкий С. А.
Заглавие : Действие низкотемпературного отжига на электрофизические свойства гетероструктур кадмий - ртуть - теллур p-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 3. - С.69-74: рис. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2013/56/3). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 73-74 (17 назв. )
УДК : 53.07
ББК : 22.3с
Предметные рубрики: Физика
Физические приборы и методы физического эксперимента
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктуры кадмий - ртуть - теллур--кадмий - ртуть - теллур--низкотемпературные отжиги--оже-спектроскопия--фотодиоды
Аннотация: Отжиг образцов КРТ p-типа при температурах 90-120 °С приводит к резкому (на два-три порядка) увеличению концентрации дырок. Если перед отжигом поверхность образцов не была защищена фоторезистором, они имели контакт с водными растворами и во время отжига были закреплены с помощью индия, имеющего омический контакт с КРТ. Наличие индия на поверхности образцов приводит к появлению градиента элементов Hg и Cd в приповерхностной области при отжигах. Оже-спектроскопия не обнаруживает появление в таких образцах химических элементов, которые обычно являются акцепторами в КРТ. Акцептором, который приводит к возрастанию концентрации дырок, может являться водород.
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Бобылев И. Б., Зюзева Н. А.
Заглавие : Механизмы взаимодействия YBa[2]Cu[3]O[y] с парами воды при низкотемпературных отжигах
Серия: Сверхпроводимость
Место публикации : Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 2. - С.225-230: 6 рис. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2016/58/2). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр. в конце ст. (23 назв.)
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кристаллография в целом--низкотемпературные отжиги--отжиги--пары воды--электрофизические свойства
Аннотация: Определены роли различных механизмов взаимодействия YBa[2]Cu[3]O[y] с парами воды и их влияния на электрофизические свойства в зависимости от температуры обработки и содержания кислорода.
Найти похожие

 
Статистика
за 05.08.2024
Число запросов 44171
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)