Поисковый запрос: (<.>K=молекулярно-лучевая эпитаксия<.>) |
Общее количество найденных документов : 23
Показаны документы с 1 по 20 |
|
1.
| Зенкевич А. В. Формирование поликристаллической фазы FeSi со структурой CsCl в соосажденных тонкопленочных слоях Fe[x]Si[1-x] (х = 0. 5-0. 6)/А. В. Зенкевич, Д. Э. Лауэр, В. П. Филиппов // Известия РАН. Серия физическая, 2007. т.Т. 71,N N 9.-С.С. 1313-1315
|
2.
| Влияние структурного состояния поверхности на формирование рельефа и морфологию слоев GaAs (001) при молекулярно-лучевой эпитаксии и вакуумном отжиге/А. В. Васев [и др. ] // Известия вузов. Физика, 2008. т.Т. 51,N N 9
|
3.
| Бембель А. Г. Молекулярно-динамическое исследование закономерностей и механизмов конденсационного роста островковых пленок/А. Г. Бембель, В. М. Самсонов, М. Ю. Пушкарь // Известия РАН. Серия физическая, 2009. т.Т. 73,N N 8.-С.1182-1184
|
4.
| Арапкина Л. В. Классификация hut-кластеров Ge в массивах, формируемых на поверхности Si (001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах/Л. В. Арапкина, В. А. Юрьев // Успехи физических наук, 2010. Т. 180,N N 3.-С.289-302
|
5.
| Сагдаткиреева М. Б. Характер наклонной анизотропии в напыленных в вакууме квантовых ямах/М. Б. Сагдаткиреева, В. В. Румянцева // Известия РАН. Серия физическая, 2010. т.Т. 74,N N 8
|
6.
| Формирование слоев MnAs и MnP методом реактивного лазерного распыления/Б. Н. Звонков [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая, 2010. т.Т. 74,N N 10
|
7.
| Молекулярно-лучевая эпитаксия структур GaAs/Si (001) для высокоэффективных тандемных А{III}B{v}/Si-преобразователей солнечной энергии на активной кремниевой подложке/М. А. Путято [и др. ] // Известия вузов. Физика, 2010. т.Т. 53,N N 9
|
8.
| Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике/О. П. Пчеляков [и др. ] // Известия вузов. Физика, 2010. т.Т. 53,N N 9
|
9.
| Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg[1-x]Cd[x]Te (x = 0, 29-0, 31) с резкими неоднородностями по составу/А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика, 2011. т.Т. 54,N N 3
|
10.
| Айкл Д. RF Micro Devices: от высоконадежных свч-компонентов до услуг фаундри/беседу вел О. Овсиенко // Электроника: наука, технология, бизнес, 2012,N № 4.-С.14-19
|
11.
| Исследование КНС-структур методами просвечивающей электронной микроскопии/А. Д. Павлов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая, 2012. т.Т. 76,N № 9.-С.1115-1117
|
12.
| Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе Cd_xHg_1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии/А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика, 2012. т.Т. 55,N № 8.-С.50-55
|
13.
| Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0,21-0,23)/А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика, 2012. т.Т. 55,N № 8.-С.56-62
|
14.
| Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001)/Е. А. Емельянов [и др.] // Известия вузов. Физика, 2013. т.Т. 56,N № 1.-С.49-54
|
15.
| Диффузия и деформации в гетеросистемах со сверхрешетками GaN/AlN по данным EXAFS спектроскопии/С. Б. Эренбург [и др.] // Известия РАН. Серия физическая, 2013. т.Т. 77,N № 9.-С.1312-1316
|
16.
| Синтез и исследование структуры массивов наноструктур арсенида галлия/Р. Г. Валеев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая, 2013. т.Т. 77,N № 9.-С.1323-1326
|
17.
| Алексеев А. Разработка отечественного высокотехнологичного оборудования – важный шаг на пути к полноценному импортозамещению ЭКБ/А. Алексеев // Электроника: наука, технология, бизнес, 2015,N № 4.-С.70-71
|
18.
| Варавин В. С. Электрофизические свойства пленок Cd[x]Hg[1-x]Te (x=0.3), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(013)/В. С. Варавин, Д. В. Марин, М. В. Якушев // Физика твердого тела, 2016. т.Т. 58,N вып. 4.-С.625-629
|
19.
| Влияние взаимодействия в системе Ga-As-O на морфологию поверхности GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии/О. А. Агеев [и др.] // Физика твердого тела, 2016. т.Т. 58,N вып. 5.-С.1011-1018
|
20.
| Свойства наноразмерного переходного слоя диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21…0,23) с приповерхностными варизонными слоями и без таких слоев/А. В. Войцеховский [и др.] // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век, 2016. т.Т. 7,N № 4.-С.39-47
|
|
|
|
БД "Книги"
Стандартный
Главная
Описание
Шлюз Z39.50