Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=микронеоднородность<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Пергушов В. И., Чумакова Н. А., Мельников М. Я., Грампп Г. Г., Кокорин А. И.
Заглавие : Структурно-динамическая микронеоднородность ионной жидкости
Серия: Физическая химия
Место публикации : Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 425, N 4, апрель. - С. 501-504: 3 рис. (Шифр dran/2009/425/4)
Примечания : Библиогр.: с. 503-504 (12 назв. )
УДК : 541.6
ББК : 24.7
Предметные рубрики: Химия
Химия высокомолекулярных соединений
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ионная жидкость--микроструктурирование--спиновые зонды--микронеоднородность--структурная микронеоднородность--динамическая микронеоднородность--растворители
Аннотация: Исследовано поведение 2, 6, 6-тетраметил-4-оксипиперидин-1-оксила (R[6]OH) в растворе 1-октил-3-метилимидазолий тетрафторбората (OmimB) в широком интервале температур. Впервые методом спинового зонда обнаружено микроструктурирование ИЖ при температурах на 10-60 градусов выше температуры стеклования.
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Каримов М., Махкамов Ш., Турсунов Н. А., Махмудов Ш. А., Бегматов К. А., Караходжаев А. К., Садиков А. Х.
Заглавие : Кинетика релаксации фотопроводимости в кремнии р-типа, компенсированном атомами фосфора
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 5. - С. 9-12 (Шифр izph/2009/52/5)
Примечания : Библиогр.: c. 12 (7 назв. )
УДК : 530.1 + 621.315.55/.58
ББК : 22.31 + 31.232
Предметные рубрики: Физика
Теоретическая физика
Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Аннотация: Обсуждается кинетика релаксации Фотопроводимости нейтронно-легированного кремния (НЛК) р-типа. Обнаружено, что в компенсированном p-SiВ, Р и контрольном p-SiВ релаксационный процесс происходит различным образом. Различие объясняется на базе представлений о разной степени микронеоднородности по проводимости материала. Для определения термоотжига структурных дефектов предлагается метод, основанный на изучении зависимости подвижности носителей заряда от времени отжига.
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Каримов М., Махкамов Ш., Турсунов Н. А., Махмудов Ш. А., Сулаймонов А. А.
Заглавие : Влияние быстрых нейтронов на электрофизические свойства ядерно-легированного кремния р-типа
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 5. - С. 75-78 (Шифр izph/2011/54/5)
Примечания : Библиогр.: c. 78 (8 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): быстрые нейтроны--микронеоднородность--подвижность носителей заряда--потенциальный барьер--радиационные дефекты--скорость удаления носителей--удельное сопротивление--уровень ферми--ферми уровень--флюенс быстрых нейтронов--холла эффект--эффект холла--ядерно-легированный кремний р-типа
Аннотация: Исследуется влияние дефектов, наведенных облучением быстрыми нейтронами, на скорость удаления носителей заряда в ядерно-легированном кремнии (р-SiВ, P) и контрольном р-SiВ методом измерения коэффициента Холла и удельного сопротивления при комнатной температуре. Показано, что скорость удаления носителей заряда в р-SiВ, P быстрее, чем в р-SiВ. Предлагается барьерная модель, объясняющая наблюдаемый эффект.
Найти похожие

 
Статистика
за 04.09.2024
Число запросов 13756
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)